Comme nous le savons tous, la définition du semi-conducteur est qu'il a une conductivité entre les conducteurs secs et les isolants, la résistivité entre le métal et l'isolant, qui est généralement à température ambiante, est comprise entre 1 mΩ-cm ~ 1 GΩ-cm. Ces dernières années, revêtement de semi-conducteurs sous vide dans les principales sociétés de semi-conducteurs, il est clair que son statut est de plus en plus élevé, en particulier dans certaines méthodes de recherche de technologies de développement de circuits intégrés à grande échelle pour les dispositifs de conversion magnétoélectrique, les dispositifs électroluminescents et d'autres travaux de développement.Le revêtement semi-conducteur sous vide joue un rôle important.
Les semi-conducteurs sont caractérisés par leurs caractéristiques intrinsèques, leur température et leur concentration en impuretés.Les matériaux de revêtement semi-conducteurs sous vide se distinguent les uns des autres principalement par leurs composés constitutifs.À peu près tous sont à base de bore, de carbone, de silicium, de germanium, d'arsenic, d'antimoine, de tellure, d'iode, etc., et quelques-uns relativement peu de GaP, GaAs, lnSb, etc. MnO, Cr₂O₃, Cu₂O, etc.
L'évaporation sous vide, le revêtement par pulvérisation cathodique, le revêtement ionique et d'autres équipements peuvent effectuer un revêtement semi-conducteur sous vide.Ces équipements de revêtement sont tous différents dans leur principe de fonctionnement, mais ils fabriquent tous le matériau de revêtement en matériau semi-conducteur déposé sur le substrat, et en tant que matériau du substrat, il n'y a aucune exigence, il peut s'agir d'un semi-conducteur ou non.De plus, des revêtements avec différentes propriétés électriques et optiques peuvent être préparés à la fois par diffusion d'impuretés et implantation d'ions sur la surface du substrat semi-conducteur dans une plage.La couche mince résultante peut également être traitée comme un revêtement semi-conducteur en général.
Le revêtement semi-conducteur sous vide est une présence indispensable en électronique, que ce soit pour les dispositifs actifs ou passifs.Avec les progrès continus de la technologie de revêtement des semi-conducteurs sous vide, un contrôle précis des performances du film est devenu possible.
Ces dernières années, le revêtement amorphe et le revêtement polycristallin ont fait des progrès rapides dans la fabrication de dispositifs photoconducteurs, de tubes à effet de champ revêtus et de cellules solaires à haut rendement.De plus, en raison du développement du revêtement semi-conducteur sous vide et du film mince des capteurs, ce qui réduit également considérablement la difficulté de sélection des matériaux et simplifie progressivement le processus de fabrication.L'équipement de revêtement de semi-conducteurs sous vide est devenu une présence nécessaire pour les applications de semi-conducteurs.L'équipement est largement utilisé pour le revêtement semi-conducteur des appareils photo, des cellules solaires, des transistors revêtus, de l'émission de champ, de la lumière cathodique, de l'émission d'électrons, des éléments de détection à couche mince, etc.
La ligne de revêtement par pulvérisation magnétron est conçue avec un système de contrôle entièrement automatique, une interface homme-machine à écran tactile pratique et intuitive.La ligne est conçue avec un menu de fonctions complet pour assurer une surveillance complète de l'état de fonctionnement de l'ensemble des composants de la ligne de production, le réglage des paramètres de processus, la protection du fonctionnement et les fonctions d'alarme.L'ensemble du système de contrôle électrique est sûr, fiable et stable.Équipé d'une cible de pulvérisation magnétron double face supérieure et inférieure ou d'un système de revêtement simple face.
L'équipement est principalement appliqué aux cartes de circuits imprimés en céramique, aux condensateurs haute tension à puce et à d'autres revêtements de substrat, les principaux domaines d'application sont les cartes de circuits électroniques.
Heure de publication : 07 novembre 2022