Ինչպես բոլորս գիտենք, կիսահաղորդչի սահմանումն այն է, որ այն ունի հաղորդունակություն չոր հաղորդիչների և մեկուսիչների միջև, մետաղի և մեկուսիչի միջև դիմադրողականությունը, որը սովորաբար սենյակային ջերմաստիճանում գտնվում է 1mΩ-cm ~ 1GΩ-cm միջակայքում: Վերջին տարիներին, վակուումային կիսահաղորդչային ծածկույթը խոշոր կիսահաղորդչային ընկերություններում պարզ է, որ դրա կարգավիճակը գնալով բարձրանում է, հատկապես մագնիսական էլեկտրական փոխակերպման սարքերին, լույս արտանետող սարքերին և մշակման այլ աշխատանքներում ինտեգրված համակարգերի մշակման տեխնոլոգիայի հետազոտման որոշ լայնածավալ մեթոդներում:Վակուումային կիսահաղորդչային ծածկույթը կարևոր դեր ունի:
Կիսահաղորդիչները բնութագրվում են իրենց ներքին բնութագրերով, ջերմաստիճանի և կեղտաջրերի խտությամբ:Վակուումային կիսահաղորդչային ծածկույթի նյութերը միմյանցից տարբերվում են հիմնականում կազմող միացություններով։Մոտավորապես բոլորը հիմնված են բորի, ածխածնի, սիլիցիումի, գերմանիումի, մկնդեղի, անտիմոնի, թելուրիումի, յոդի և այլնի վրա, և որոշ համեմատաբար քիչ GaP, GaAs, lnSb և այլն: Կան նաև որոշ օքսիդ կիսահաղորդիչներ, ինչպիսիք են FeO, Fe2O3, MnO, Cr2O3, Cu2O և այլն:
Վակուումային գոլորշիացումը, ցրման ծածկույթը, իոնային ծածկույթը և այլ սարքավորումները կարող են կատարել վակուումային կիսահաղորդչային ծածկույթ:Այս ծածկույթի սարքավորումները բոլորն էլ տարբեր են իրենց աշխատանքի սկզբունքով, բայց դրանք բոլորն էլ դարձնում են կիսահաղորդչային նյութի ծածկույթի նյութը նստվածքի վրա, և որպես ենթաշերտի նյութ, պահանջ չկա, այն կարող է լինել կիսահաղորդիչ, թե ոչ:Բացի այդ, տարբեր էլեկտրական և օպտիկական հատկություններով ծածկույթներ կարող են պատրաստվել ինչպես կեղտաջրերի դիֆուզիայի, այնպես էլ իոնների իմպլանտացիայի միջոցով կիսահաղորդչային ենթաշերտի մակերեսին որոշակի տիրույթում:Ստացված բարակ շերտը կարող է մշակվել նաև որպես կիսահաղորդչային ծածկույթ ընդհանրապես։
Վակուումային կիսահաղորդչային ծածկույթն անփոխարինելի առկայություն է էլեկտրոնիկայի մեջ՝ լինի դա ակտիվ, թե պասիվ սարքերի համար:Վակուումային կիսահաղորդչային ծածկույթի տեխնոլոգիայի շարունակական առաջընթացի շնորհիվ հնարավոր է դարձել ֆիլմի աշխատանքի ճշգրիտ վերահսկումը:
Վերջին տարիներին ամորֆ ծածկույթը և պոլիբյուրեղային ծածկույթը արագ առաջընթաց են գրանցել ֆոտոհաղորդիչ սարքերի, ծածկված դաշտային ազդեցության խողովակների և բարձր արդյունավետությամբ արևային բջիջների արտադրության մեջ:Բացի այդ, վակուումային կիսահաղորդչային ծածկույթի և սենսորների բարակ թաղանթի զարգացման պատճառով, ինչը նաև զգալիորեն նվազեցնում է նյութի ընտրության դժվարությունը և աստիճանաբար պարզեցնում է արտադրական գործընթացը:Վակուումային կիսահաղորդչային ծածկույթի սարքավորումները դարձել են կիսահաղորդչային կիրառությունների անհրաժեշտ ներկայություն:Սարքավորումը լայնորեն օգտագործվում է տեսախցիկի սարքերի, արևային բջիջների, ծածկված տրանզիստորների, դաշտային արտանետումների, կաթոդ-լույսի, էլեկտրոնների արտանետման, բարակ թաղանթով զգայական տարրերի կիսահաղորդչային ծածկույթի համար և այլն:
Մագնետրոնային ցողման ծածկույթի գիծը նախագծված է լիովին ավտոմատ կառավարման համակարգով, հարմար և ինտուիտիվ սենսորային էկրանով մարդ-մեքենա ինտերֆեյսով:Գիծը նախագծված է գործառույթների ամբողջական ընտրացանկով՝ ամբողջ արտադրական գծի բաղադրիչների շահագործման կարգավիճակի ամբողջական մոնիտորինգի հասնելու համար, գործընթացի պարամետրերի կարգավորումը, շահագործման պաշտպանությունը և ազդանշանային գործառույթները:Էլեկտրական կառավարման ամբողջ համակարգը անվտանգ է, հուսալի և կայուն:Հագեցած է վերին և ստորին երկկողմանի մագնետրոն ցայտող թիրախով կամ միակողմանի ծածկույթի համակարգով:
Սարքավորումը հիմնականում կիրառվում է կերամիկական տպատախտակների, չիպերի բարձր լարման կոնդենսատորների և այլ ենթաշերտի ծածկույթների վրա, կիրառման հիմնական ոլորտներն են էլեկտրոնային տպատախտակները:
Հրապարակման ժամանակը՝ նոյ-07-2022