1.пакрыццё вакуумным выпарваннемпрацэс уключае выпарэнне плёнкавых матэрыялаў, перанос атамаў пары ў высокім вакууме, а таксама працэс зараджэння і росту атамаў пары на паверхні нарыхтоўкі.
2. Ступень вакуумнага нанясення пакрыцця вакуумнага выпарэння высокая, звычайна 10-510-3Па. Даўжыня вольнага прабегу малекул газу складае 1~10 м парадку велічыні, што значна больш, чым адлегласць ад крыніцы выпарэння да нарыхтоўкі. Гэта адлегласць называецца адлегласцю выпарэння, звычайна 300~800 мм.Часціцы пакрыцця практычна не сутыкаюцца з малекуламі газу і атамамі пара і дасягаюць нарыхтоўкі.
3. Пласт пакрыцця вакуумнага выпарэння не з'яўляецца накручаным пакрыццём, і атамы пары ідуць прама да нарыхтоўкі пад высокім вакуумам.Толькі бок, звернуты да крыніцы выпарэння на нарыхтоўцы, можа атрымаць пласт плёнкі, а бок і задняя частка нарыхтоўкі амаль не могуць атрымаць пласт плёнкі, і пласт плёнкі мае дрэннае пакрыццё.
4. Энергія часціц пласта пакрыцця вакуумнага выпарэння нізкая, і энергія, якая дасягае нарыхтоўкі, з'яўляецца цеплавой энергіяй, якая пераносіцца пры выпарэнні.Паколькі падчас нанясення пакрыцця вакуумным выпарэннем дэталь не зрушаная, атамы металу залежаць толькі ад цеплыні выпарэння падчас выпарэння, тэмпература выпарэння складае 1000~2000 °C, а пераносная энергія эквівалентная 0,1~0,2 эВ, таму энергія часціцы плёнкі нізкія, сіла злучэння паміж пластом плёнкі і матрыцай малая, і цяжка сфармаваць складовае пакрыццё.
5. Пласт пакрыцця вакуумнага выпарэння мае тонкую структуру.Працэс вакуумнага выпарэння пакрыццём утвараецца пры высокім вакууме, і часціцы плёнкі ў пары маюць у асноўным атамны маштаб, утвараючы дробнае ядро на паверхні нарыхтоўкі.
Час публікацыі: 14 чэрвеня 2023 г