Вакуумното магнетронно разпрашване е особено подходящо за покрития с реактивно отлагане.Всъщност този процес може да отложи тънки филми от всякакви оксидни, карбидни и нитридни материали.В допълнение, процесът е също така особено подходящ за отлагане на многослойни филмови структури, включително оптични дизайни, цветни филми, устойчиви на износване покрития, нано-ламинати, суперрешетъчни покрития, изолационни филми и др. Още през 1970 г. висококачествен оптичен филм примери за отлагане са разработени за различни материали за слоеве от оптичен филм.Тези материали включват прозрачни проводими материали, полупроводници, полимери, оксиди, карбиди и нитриди, докато флуоридите се използват в процеси като изпарително покритие.
Основното предимство на процеса на магнетронно разпрашване е използването на реактивни или нереактивни процеси на покритие за нанасяне на слоеве от тези материали и добър контрол на състава на слоя, дебелината на филма, еднородността на дебелината на филма и механичните свойства на слоя.Процесът има следните характеристики.
1、Голяма скорост на отлагане.Благодарение на използването на високоскоростни магнетронни електроди може да се получи голям йонен поток, което ефективно подобрява скоростта на отлагане и скоростта на разпрашаване на този процес на нанасяне на покритие.В сравнение с други процеси на разпрашване на покрития, магнетронното разпрашване има висок капацитет и висок добив и се използва широко в различни индустриални производства.
2、Висока енергийна ефективност.Мишената за магнетронно разпръскване обикновено избира напрежение в диапазона от 200V-1000V, обикновено е 600V, тъй като напрежението от 600V е точно в най-високия ефективен диапазон на енергийна ефективност.
3. Ниска енергия на разпръскване.Целевото напрежение на магнетрона се прилага ниско и магнитното поле ограничава плазмата близо до катода, което предотвратява изстрелването на частици с по-висок енергиен заряд върху субстрата.
4、Ниска температура на субстрата.Анодът може да се използва за насочване на електроните, генерирани по време на разряда, няма нужда от опора на субстрата, за да се завърши, което може ефективно да намали електронното бомбардиране на субстрата.По този начин температурата на субстрата е ниска, което е много идеално за някои пластмасови субстрати, които не са много устойчиви на високотемпературно покритие.
5, ецването на повърхността на целта за магнетронно разпрашване не е равномерно.Неравномерното ецване на повърхността на целта за магнетронно разпръскване се причинява от неравномерното магнитно поле на целта.Местоположението на целевата скорост на ецване е по-голямо, така че ефективната степен на използване на целта е ниска (само 20-30% степен на използване).Следователно, за да се подобри целевото използване, разпределението на магнитното поле трябва да се промени с определени средства или използването на магнити, движещи се в катода, също може да подобри целевото използване.
6、Композитна цел.Може да направи филм от сплав от композитно целево покритие.Понастоящем използването на композитен магнетронен процес на разпрашване на мишена е успешно покрито върху филм от сплав Ta-Ti, (Tb-Dy)-Fe и Gb-Co сплав.Композитната целева структура има четири вида, съответно кръгла инкрустирана мишена, квадратна инкрустирана мишена, малка квадратна инкрустирана мишена и секторна инкрустирана мишена.Използването на целевата структура с инкрустирани сектори е по-добро.
7. Широка гама от приложения.Процесът на магнетронно разпрашване може да депозира много елементи, често срещаните са: Ag, Au, C, Co, Cu, Fe, Ge, Mo, Nb, Ni, Os, Cr, Pd, Pt, Re, Rh, Si, Ta, Ti , Zr, SiO, AlO, GaAs, U, W, SnO и др.
Магнетронното разпрашване е един от най-широко използваните процеси за нанасяне на покритие за получаване на висококачествени филми.С нов катод той има високо целево използване и висока скорост на отлагане.Процесът на нанасяне на покритие с вакуумно магнетронно разпрашване на технологията Guangdong Zhenhua сега се използва широко при нанасяне на покритие върху субстрати с голяма площ.Процесът не се използва само за отлагане на еднослоен филм, но също така и за многослойно филмово покритие, освен това се използва и в процеса на ролка до ролка за опаковъчно фолио, оптично фолио, ламиниране и друго филмово покритие.
Време на публикуване: 07 ноември 2022 г