Tehnologija taloženja uz pomoć ionskog snopa

U stvari, tehnologija taloženja uz pomoć ionskog snopa je kompozitna tehnologija.To je kompozitna tehnika površinskog ionskog tretmana koja kombinuje ionsku implantaciju i tehnologiju fizičkog taloženja filma iz pare, te novu vrstu tehnike optimizacije površine ionskim snopom.Pored prednosti fizičkog taloženja parom, ova tehnika može kontinuirano uzgajati film bilo koje debljine pod strožijim uvjetima kontrole, značajno poboljšati kristalnost i orijentaciju sloja filma, povećati čvrstoću prianjanja sloja filma/podloge, poboljšati gustoću sloja filma i sintetiziraju složene filmove s idealnim stehiometrijskim omjerima na sobnoj temperaturi, uključujući nove tipove filmova koji se ne mogu dobiti na sobnoj temperaturi i pritisku.Taloženje potpomognuto jonskim snopom ne samo da zadržava prednosti procesa ionske implantacije, već može pokriti supstrat potpuno drugačijim filmom od supstrata.
U svim vrstama fizičkog taloženja iz pare i hemijskog taloženja pare, može se dodati skup pomoćnih ionskih topova za bombardovanje da bi se formirao IBAD sistem, a postoje dva opšta IBAD procesa kako sledi, kao što je prikazano na slici:

Kao što je prikazano na slici (a), izvor isparavanja elektronskog snopa koristi se za ozračivanje sloja filma snopom jona koji se emituje iz jonskog pištolja, čime se ostvaruje taloženje uz pomoć ionskog snopa.Prednost je u tome što se energija i smjer snopa jona mogu podesiti, ali se samo jedna ili ograničena legura ili spoj može koristiti kao izvor isparavanja, a svaki pritisak pare komponente legure i spoja je različit, što otežava kako bi se dobio sloj filma originalnog sastava izvora isparavanja.
Slika (b) prikazuje taloženje potpomognuto raspršivanjem jonskim snopom, koje je također poznato kao taloženje raspršivanjem s dvostrukim ionskim snopom, u kojem se kao izvor koristi meta napravljena od materijala za oblaganje ionskim snopom raspršivanja, proizvodi raspršivanja.Dok se nanosi na podlogu, taloženje potpomognuto raspršivanjem jonskog snopa postiže se zračenjem drugim izvorom jona.Prednost ove metode je što same raspršene čestice imaju određenu energiju, pa je bolje prianjanje sa podlogom;bilo koja komponenta mete može biti raspršena premaz, ali također može biti reakcijsko raspršivanje u film, lako se podesi sastav filma, ali njegova efikasnost taloženja je niska, meta je skupa i postoje problemi kao što je selektivno raspršivanje.