1, Formazione di cumposti di metalli nantu à a superficia di destinazione
Induve hè u compostu furmatu in u prucessu di furmà un compostu da una superficia di destinazione metallica per un prucessu di sputtering reattivu?Siccomu a reazzione chimica trà e particelle di gas reattivu è l'atomi di a superficia di destinazione producenu atomi cumposti, chì sò generalmente esotermichi, u calore di reazzione deve avè una manera di cunducerà, altrimenti a reazzione chimica ùn pò micca continuà.In cundizioni di vacuum, u trasferimentu di calore trà i gasi ùn hè micca pussibule, cusì a reazzione chimica deve esse realizatu nantu à una superficia solida.A sputtering di reazione genera composti nantu à e superfici di destinazione, superfici di sustrato è altre superfici strutturali.A generazione di cumposti nantu à a superficia di u sustrato hè u scopu, a generazione di cumposti nantu à altre superfici strutturale hè una perdita di risorse, è a generazione di cumposti nantu à a superficia di destinazione principia cum'è una fonte di atomi cumposti è diventa una barriera per furnisce continuamente più atomi cumposti.
2, I fatturi di impattu di l'avvelenamentu di destinazione
U fattore principale chì affetta l'avvelenamentu di destinazione hè u rapportu di u gasu di reazzione è u gasu di sputtering, troppu gasu di reazione porta à l'avvelenamentu di destinazione.U prucessu di sputtering reattivu hè realizatu in l'area di u canali di sputtering di a superficia di destinazione chì pare esse coperta da u compostu di reazzione o u cumpostu di reazzione hè spogliatu è re-exposed superficia metallica.Se u ritmu di generazione di compostu hè più grande di u ritmu di stripping cumpostu, l'area di copertura composta aumenta.À una certa putenza, a quantità di gas di reazzione implicata in a generazione composta aumenta è a rata di generazione composta aumenta.Se a quantità di gasu di reazione aumenta eccessivamente, l'area di copertura composta aumenta.È se u flussu di gasu di reazione ùn pò micca esse aghjustatu in u tempu, u ritmu di l'aumentu di l'area di copertura cumposta ùn hè micca soppresso, è u canali di sputtering serà più coperto da u compostu, quandu u scopu di sputtering hè cumplettamente coperto da u compostu, u mira hè completamente avvelenatu.
3, Finominu di avvelenamentu di destinazione
(1) accumulazione di ioni pusitivi: quandu l'avvelenamentu di u mira, una strata di film insulating serà furmatu nantu à a superficia di destinazione, i ioni pusitivi ghjunghjenu à a superficia di u cathode per via di u bloccu di a capa insulating.Ùn entra micca direttamente in a superficia di destinazione di u catodu, ma accumule nantu à a superficia di destinazione, faciule da pruduce u campu di fretu à a scarica di l'arcu - arcing, perchè u sputtering di catodu ùn pò micca andà.
(2) scomparsa anode: quandu l 'avvelenamentu target, muru camera vacuum grounded dinù dipositu film insulating, ghjunghje sin'à l 'elettroni anode ùn pò entre in u anode, a furmazione di fenomenu anode sparizioni.
4, Spiegazione fisica di l'avvelenamentu di destinazione
(1) In generale, u coefficient d'emissione di l'elettroni secundariu di i composti di metalli hè più altu ch'è quellu di metalli.Dopu à l'avvelenamentu di u mira, a superficia di u mira hè tutti composti di metalli, è dopu avè bombardatu da ioni, u numeru di elettroni secundari liberati aumenta, chì migliurà a conduttività di u spaziu è riduce l'impedenza di plasma, chì porta à una tensione di sputtering più bassa.Questu reduce a rata di sputtering.In generale, a tensione di sputtering di magnetron sputtering hè trà 400V-600V, è quandu si verifica l'avvelenamentu di destinazione, a tensione di sputtering hè significativamente ridutta.
(2) L'obbiettivu di u metale è l'ughjettu cumpostu urigginariamente u tassu di sputtering hè diversu, in generale u coefficient di sputtering di metalli hè più altu ch'è u coefficient di sputtering di compostu, cusì u tassu di sputtering hè bassu dopu l'avvelenamentu di destinazione.
(3) L'efficienza di sputtering di u gasu sputtering reattivu hè urigginariamente più bassu di l'efficienza di sputtering di gas inerte, cusì a tarifa di sputtering cumpleta diminuisce dopu chì a proporzione di gas reattivu aumenta.
5, Soluzioni per l'avvelenamentu di destinazione
(1) Adoptate un fornimentu d'energia di frequenza media o un fornimentu di energia di frequenza radio.
(2) Adoptate u cuntrollu chjusu di u flussu di gas di reazione.
(3) Adoptate obiettivi gemelli
(4) Cuntrolla u cambiamentu di u modu di rivestimentu: Prima di rivestimentu, a curva di l'effettu di l'isteresi di l'avvelenamentu di u mira hè recullata in modu chì u flussu di l'aria di l'ingressu hè cuntrullatu in fronte di pruducia avvelenamentu di destinazione per assicurà chì u prucessu hè sempre in u modu prima di a deposizione. a tarifa scende bruscamente.
-Stu articulu hè publicatu da Guangdong Zhenhua Technology, un fabricatore di l'equipaggiu di revestimentu di vacuum.
Tempu di Postu: Nov-07-2022