Tecnulugia di deposizione assistita da fasci di ioni

In fatti, a tecnulugia di deposizione assistita da u fasciu di ioni hè una tecnulugia composta.Hè una tecnica di trattamentu di ioni di superficia composta chì combina l'implantazione di ioni è a tecnulugia di film di depositu di vapore fisicu, è un novu tipu di tecnica di ottimisazione di a superficia di u fasciu di ioni.In più di i vantaghji di a deposizione fisica di vapore, sta tecnica pò cresce continuamente ogni film di spessore in cundizioni di cuntrollu più strette, migliurà a cristalinità è l'orientazione di a capa di film in modu più significativu, aumentà a forza di aderenza di a capa di film / substratu, migliurà a densità. di a strata di film, è sintetizà filmi cumposti cù ratios stoichiometric ideali à a temperatura di l'ambienti vicinu, cumprese novi tipi di film chì ùn ponu micca esse acquistati à a temperatura è a pressione di l'ambienti.A deposizione assistita da u fasciu di ioni ùn solu conserva i vantaghji di u prucessu di implantazione di ioni, ma pò ancu copre u sustrato cù una film completamente diversa da u sustrato.
In ogni tipu di deposizione di vapore fisicu è di deposizione di vapore chimicu, un inseme di pistole ioni di bumbardamentu ausiliari pò esse aghjuntu per furmà un sistema IBAD, è ci sò dui prucessi generali IBAD cum'è seguita, cum'è mostra in u Pic:

Cum'è mostra in Pic (a), una fonte di evaporazione di u fasciu d'elettroni hè aduprata per irradià a strata di film cù u fasciu di ioni emessi da a pistola di ioni, realizà cusì a deposizione assistita da u fasciu di ioni.U vantaghju hè chì l'energia è a direzzione di u fasciu di ioni ponu esse aghjustate, ma solu una lega unica o limitata, o compostu pò esse usata cum'è fonte di evaporazione, è ogni pressione di vapore di u cumpunente di lega è cumpostu hè diversu, chì rende difficiule. pè ottene a strata di film di a cumpusizioni di a fonte di evaporazione originale.
Pic (b) mostra u dipusizioni sputtering-assisted di fasciu di ioni, chì hè cunnisciutu ancu com'è dipusizioni di sputtering sputtering doppiu, in quale l'obiettivu hè fattu di materiale di rivestimentu di sputtering, i prudutti di sputtering sò usati cum'è fonte.Mentre u dipositu nantu à u sustrato, a deposizione assistita da sputtering di fasci di ioni hè ottenuta da irradiazione cù una altra fonte di ioni.U vantaghju di stu metudu hè chì i particeddi sputtered stessi anu una certa energia, cusì ci hè megliu aderenza cù u sustrato;ogni cumpunente di u mira pò esse sputtered revestimentu, ma dinù pò esse riazzioni sputtering in u film, facile à aghjustà a cumpusizioni di u film, ma u so efficienza depositu hè bassu, u mira hè caru è ci sò prublemi cum'è sputtering selettivu.