Generelt er CVD-reaktioner afhængige af høje temperaturer, derfor kaldet termisk exciteret kemisk dampaflejring (TCVD).Det bruger generelt uorganiske prækursorer og udføres i reaktorer med varmvæg og koldvæg.Dens opvarmede metoder omfatter radiofrekvensopvarmning (RF), opvarmning af infrarød stråling, modstandsopvarmning osv.
Varm væg kemisk dampaflejring
Faktisk er hot-wall kemisk dampaflejringsreaktor en termostatisk ovn, normalt opvarmet med resistive elementer, til intermitterende produktion.Tegning af et produktionsanlæg for kemisk dampudfældning med varme vægge til belægning af spånværktøj er vist som følger.Denne varmevægge kemiske dampaflejring kan belægge TiN, TiC, TiCN og andre tynde film.Reaktoren kan designes til at være stor nok og derefter rumme et stort antal komponenter, og betingelserne kan styres meget præcist for deponering.Billede 1 viser en epitaksiallagsanordning til siliciumdoping af halvlederanordningsproduktion.Substratet i ovnen placeres i lodret retning for at reducere forurening af aflejringsoverfladen med partikler og i høj grad øge produktionsbelastningen.Varmvægsreaktorer til halvlederproduktion drives normalt ved lave tryk.
Indlægstid: 8-08-2022