1, Η αρχή της τεχνολογίας επίστρωσης ιόντων κενού
Χρησιμοποιώντας την τεχνολογία εκκένωσης τόξου κενού σε θάλαμο κενού, το φως τόξου δημιουργείται στην επιφάνεια του υλικού της καθόδου, προκαλώντας το σχηματισμό ατόμων και ιόντων στο υλικό της καθόδου.Υπό τη δράση του ηλεκτρικού πεδίου, οι δέσμες ατόμου και ιόντων βομβαρδίζουν την επιφάνεια του τεμαχίου εργασίας ως άνοδος σε υψηλή ταχύτητα.Ταυτόχρονα, ένα αέριο αντίδρασης εισάγεται στον θάλαμο κενού και ένα στρώμα επικάλυψης με εξαιρετικές ιδιότητες σχηματίζεται στην επιφάνεια του τεμαχίου εργασίας.
2, Χαρακτηριστικά της επίστρωσης ιόντων κενού
(1) Καλή πρόσφυση του στρώματος επικάλυψης, το στρώμα μεμβράνης δεν είναι εύκολο να πέσει.
(2) Καλό περιτύλιγμα γύρω από την επίστρωση και βελτιωμένη κάλυψη επιφάνειας.
(3) Καλή ποιότητα στρώματος επίστρωσης.
(4) Υψηλός ρυθμός εναπόθεσης και γρήγορος σχηματισμός φιλμ.
(5)Ευρεία γκάμα κατάλληλων υλικών υποστρώματος και υλικών φιλμ για επίστρωση
Ενσωματωμένος εξοπλισμός επίστρωσης πολλαπλών τόξων magnetron κατά των δακτυλικών αποτυπωμάτων μεγάλης κλίμακας
Το μηχάνημα επίστρωσης μαγνητρόν κατά δακτυλικών αποτυπωμάτων υιοθετεί έναν συνδυασμό τεχνολογίας μεσαίας συχνότητας μάγνητρον, ιόντων πολλαπλών τόξων και AF, που χρησιμοποιείται ευρέως στη βιομηχανία υλικού, επιτραπέζια σκεύη, πλάκα από ανοξείδωτο χάλυβα τιτανίου, νεροχύτη από ανοξείδωτο χάλυβα και μεγάλη επεξεργασία πλακών από ανοξείδωτο χάλυβα.Έχει καλή πρόσφυση, επαναληψιμότητα, πυκνότητα και ομοιομορφία του στρώματος φιλμ, υψηλή απόδοση και υψηλή απόδοση προϊόντος.
Ώρα δημοσίευσης: Νοε-07-2022