Τεχνολογία επικάλυψης με ψεκασμό

1, Χαρακτηριστικά της επίστρωσης διασκορπισμού
Σε σύγκριση με τη συμβατική επίστρωση εξάτμισης κενού, η επίστρωση διασκορπισμού έχει τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
(1) Οποιαδήποτε ουσία μπορεί να διασκορπιστεί, ιδιαίτερα υψηλό σημείο τήξης, στοιχεία χαμηλής πίεσης ατμών και ενώσεις.Εφόσον είναι στερεό, είτε είναι μέταλλο, ημιαγωγός, μονωτήρας, ένωση και μείγμα κ.λπ., είτε πρόκειται για μπλοκ, το κοκκώδες υλικό μπορεί να χρησιμοποιηθεί ως υλικό στόχος.Δεδομένου ότι συμβαίνει μικρή αποσύνθεση και κλασματοποίηση κατά την εκτόξευση μονωτικών υλικών και κραμάτων όπως οξείδια, μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την παρασκευή λεπτών μεμβρανών και μεμβρανών κράματος με ομοιόμορφα συστατικά παρόμοια με εκείνα του υλικού στόχου, ακόμη και υπεραγώγιμων μεμβρανών με σύνθετες συνθέσεις.» Η μέθοδος της αντιδραστικής ψεκασμού μπορεί επίσης να χρησιμοποιηθεί για την παραγωγή μεμβρανών ενώσεων εντελώς διαφορετικών από το υλικό στόχο, όπως οξείδια, νιτρίδια, καρβίδια και πυριτικά.
(2) Καλή πρόσφυση μεταξύ της διασκορπισμένης μεμβράνης και του υποστρώματος.Δεδομένου ότι η ενέργεια των διασκορπισμένων ατόμων είναι 1-2 τάξεις μεγέθους μεγαλύτερη από αυτή των εξατμισμένων ατόμων, η μετατροπή ενέργειας των σωματιδίων υψηλής ενέργειας που εναποτίθενται στο υπόστρωμα παράγει υψηλότερη θερμική ενέργεια, η οποία ενισχύει την πρόσφυση των διασκορπισμένων ατόμων στο υπόστρωμα.Ένα μέρος των υψηλής ενέργειας διασκορπισμένων ατόμων θα εγχυθεί σε διάφορους βαθμούς, σχηματίζοντας ένα λεγόμενο στρώμα ψευδο-διάχυσης στο υπόστρωμα όπου τα επιμεταλλωμένα άτομα και τα άτομα του υλικού υποστρώματος «αναμιγνύονται» μεταξύ τους.Επιπλέον, κατά τη διάρκεια του βομβαρδισμού των σωματιδίων εκτόξευσης, το υπόστρωμα καθαρίζεται και ενεργοποιείται πάντα στη ζώνη πλάσματος, η οποία αφαιρεί τα κακώς προσκολλημένα άτομα που καθιζάνουν, καθαρίζει και ενεργοποιεί την επιφάνεια του υποστρώματος.Ως αποτέλεσμα, η πρόσφυση του στρώματος διασκορπισμένης μεμβράνης στο υπόστρωμα ενισχύεται σημαντικά.
(3) Υψηλή πυκνότητα επικάλυψης διασκορπισμού, λιγότερες οπές καρφίτσας και υψηλότερη καθαρότητα του στρώματος μεμβράνης επειδή δεν υπάρχει μόλυνση από χωνευτήριο, η οποία είναι αναπόφευκτη στην εναπόθεση ατμών υπό κενό κατά τη διαδικασία επικάλυψης με ψεκασμό.
(4) Καλή δυνατότητα ελέγχου και επαναληψιμότητα του πάχους του φιλμ.Δεδομένου ότι το ρεύμα εκφόρτισης και το ρεύμα στόχου μπορούν να ελέγχονται χωριστά κατά τη διάρκεια της επίστρωσης διασκορπισμού, το πάχος της μεμβράνης μπορεί να ελεγχθεί ελέγχοντας το ρεύμα στόχου, επομένως, η δυνατότητα ελέγχου του πάχους της μεμβράνης και η αναπαραγωγιμότητα του πάχους της μεμβράνης με πολλαπλή διασκορπισμό της επίστρωσης διασκορπισμού είναι καλή και το φιλμ προκαθορισμένου πάχους μπορεί να επικαλυφθεί αποτελεσματικά.Επιπλέον, η επίστρωση διασκορπισμού μπορεί να αποκτήσει ομοιόμορφο πάχος μεμβράνης σε μεγάλη επιφάνεια.Ωστόσο, για τη γενική τεχνολογία επίστρωσης με διασκορπισμό (κυρίως διπολική διασκορπισμό), ο εξοπλισμός είναι περίπλοκος και απαιτεί συσκευή υψηλής πίεσης.η ταχύτητα σχηματισμού μεμβράνης της εναπόθεσης διασκορπισμού είναι χαμηλή, ο ρυθμός εναπόθεσης εξάτμισης υπό κενό είναι 0,1~5 nm/min, ενώ ο ρυθμός εκτόξευσης είναι 0,01~0,5nm/min.η άνοδος της θερμοκρασίας του υποστρώματος είναι υψηλή και ευάλωτη σε ακαθαρσίες κ.λπ. Ωστόσο, λόγω της ανάπτυξης της τεχνολογίας ραδιοσυχνοτήτων ραδιοσυχνοτήτων και διασκορπισμού μαγνητρονίων, έχει επιτευχθεί μεγάλη πρόοδος στην επίτευξη ταχείας εναπόθεσης διασκορπισμού και στη μείωση της θερμοκρασίας του υποστρώματος.Επιπλέον, τα τελευταία χρόνια, διερευνώνται νέες μέθοδοι επίστρωσης με διασκορπισμό – με βάση την επίπεδη διασκορπισμό μαγνητρονίων – για την ελαχιστοποίηση της πίεσης του αέρα εκτόξευσης μέχρι τη διασκορπισμό μηδενικής πίεσης, όπου η πίεση του αερίου εισαγωγής κατά τη διασκορπισμό θα είναι μηδέν.