Γενικά οι αντιδράσεις CVD βασίζονται σε υψηλές θερμοκρασίες, ως εκ τούτου ονομάζεται θερμικά διεγερμένη απόθεση χημικών ατμών (TCVD).Χρησιμοποιεί γενικά ανόργανες πρόδρομες ουσίες και εκτελείται σε αντιδραστήρες θερμού και ψυχρού τοιχώματος.Οι μέθοδοι θέρμανσης του περιλαμβάνουν θέρμανση με ραδιοσυχνότητες (RF), θέρμανση με υπέρυθρη ακτινοβολία, θέρμανση με αντίσταση κ.λπ.
Εναπόθεση χημικών ατμών σε θερμό τοίχωμα
Στην πραγματικότητα, ο αντιδραστήρας εναπόθεσης χημικών ατμών θερμού τοιχώματος είναι ένας θερμοστατικός κλίβανος, συνήθως θερμαινόμενος με ωμικά στοιχεία, για διακοπτόμενη παραγωγή.Το σχέδιο μιας εγκατάστασης παραγωγής χημικής εναπόθεσης ατμών σε ζεστό τοίχωμα για επίστρωση εργαλείων τσιπ φαίνεται ως εξής.Αυτή η εναπόθεση ατμών σε θερμό τοίχωμα μπορεί να επικαλύψει TiN, TiC, TiCN και άλλες λεπτές μεμβράνες.Ο αντιδραστήρας μπορεί να σχεδιαστεί ώστε να είναι αρκετά μεγάλος και στη συνέχεια να χωράει μεγάλο αριθμό εξαρτημάτων και οι συνθήκες μπορούν να ελεγχθούν με μεγάλη ακρίβεια για εναπόθεση.Η εικόνα 1 δείχνει μια συσκευή επιταξιακού στρώματος για ντόπινγκ πυριτίου της παραγωγής συσκευής ημιαγωγών.Το υπόστρωμα στον κλίβανο τοποθετείται σε κάθετη κατεύθυνση για να μειώσει τη μόλυνση της επιφάνειας εναπόθεσης από σωματίδια και να αυξήσει σημαντικά το φορτίο παραγωγής.Οι αντιδραστήρες θερμού τοιχώματος για παραγωγή ημιαγωγών λειτουργούν συνήθως σε χαμηλές πιέσεις.
Ώρα δημοσίευσης: Νοε-08-2022