Millised on tegurid, mis mõjutavad sihtmärgi mürgitust magnetroni pihustamisel?

1, metalliühendite moodustumine sihtpinnal
Kus tekib ühend, mille käigus moodustub ühend metallist sihtpinnast reaktiivse pihustusprotsessiga?Kuna reaktiivsete gaasiosakeste ja sihtpinna aatomite vahelisel keemilisel reaktsioonil tekivad ühendiaatomid, mis on tavaliselt eksotermilised, peab reaktsioonisoojusel olema väljapääsutee, vastasel juhul ei saa keemiline reaktsioon jätkuda.Vaakumtingimustes ei ole soojusülekanne gaaside vahel võimalik, mistõttu keemiline reaktsioon peab toimuma tahkel pinnal.Reaktsioonpihustamine tekitab ühendeid sihtpindadel, aluspindadel ja muudel struktuuripindadel.Eesmärk on ühendite tekitamine substraadi pinnal, ühendite tekitamine muudel struktuuripindadel on ressursside raiskamine ja ühendite tekitamine sihtpinnal algab ühendi aatomite allikana ja muutub takistuseks ühendi aatomite pidevale lisamisele.

2, sihtmärgi mürgistuse mõjutegurid
Peamine sihtmärgi mürgitust mõjutav tegur on reaktsioonigaasi ja pihustusgaasi suhe, liiga palju reaktsioonigaasi põhjustab sihtmärgimürgituse.Reaktiivne pihustusprotsess viiakse läbi sihtpinnal. Pommitamiskanali piirkond näib olevat reaktsiooniühendiga kaetud või reaktsiooniühend eemaldatakse ja metallpind paljastatakse uuesti.Kui ühendi tekkimise kiirus on suurem kui ühendi eemaldamise kiirus, suureneb ühendi leviala.Teatud võimsusel suureneb ühendi tekkega seotud reaktsioonigaasi hulk ja suureneb ühendi tekke kiirus.Kui reaktsioonigaasi kogus suureneb liigselt, suureneb ühendi katteala.Ja kui reaktsioonigaasi voolukiirust ei saa õigeaegselt reguleerida, siis ühendi katvusala suurenemise kiirust ei summutata ja pihustuskanal kaetakse ühendiga veelgi, kui pihustusobjekt on ühendiga täielikult kaetud, on sihtmärk täiesti mürgitatud.

3, sihtmärgi mürgistuse nähtus
(1) positiivsete ioonide akumuleerumine: sihtmärgi mürgistuse korral moodustub sihtpinnale isoleerkile kiht, positiivsed ioonid jõuavad katoodi sihtpinnale isolatsioonikihi ummistumise tõttu.Mitte otse siseneda katoodi sihtpinnale, vaid koguneda sihtpinnale, lihtne tekitada külma välja kaarlahendust — kaare teket, nii et katoodi pihustamine ei saa jätkuda.
(2) anoodi kadumine: kui sihtmärk mürgistus, maandatud vaakumkambri seina ka hoiule isoleerkile, jõudes anoodi elektronid ei saa siseneda anoodi, teket anoodi kadumise nähtus.

4, sihtmärgi mürgistuse füüsiline seletus
(1) Üldjuhul on metalliühendite sekundaarne elektronemissiooni koefitsient kõrgem kui metallidel.Pärast sihtmärgi mürgitamist on sihtmärgi pinnaks kõik metalliühendid ja pärast ioonidega pommitamist suureneb vabanevate sekundaarsete elektronide arv, mis parandab ruumi juhtivust ja vähendab plasma impedantsi, mille tulemuseks on väiksem pihustuspinge.See vähendab pihustuskiirust.Üldiselt on magnetroni pommitamise pinge vahemikus 400 V–600 V ja sihtmärgi mürgistuse korral väheneb pommitamispinge oluliselt.
(2) Metalli sihtmärk ja ühendi sihtmärk on algselt erinevad, üldiselt on metalli pihustuskoefitsient suurem kui ühendi pihustuskoefitsient, seega on pihustusmäär pärast sihtmärgi mürgitamist madal.
(3) Reaktiivgaasi pihustusefektiivsus on algselt madalam kui inertgaasi pihustusefektiivsus, mistõttu üldine pommitamiskiirus väheneb pärast reaktiivgaasi osakaalu suurenemist.

5, Lahendused sihtmärgi mürgistuse korral
(1) Kasutage keskmise sagedusega toiteallikat või raadiosageduslikku toiteallikat.
(2) Kasutage reaktsioonigaasi sissevoolu suletud ahela juhtimist.
(3) Võtke vastu kaks sihtmärki
(4) Kontrollige katmisrežiimi muutmist: enne katmist kogutakse sihtmärgi mürgistuse hüstereesiefekti kõver nii, et sisselaskeõhu voolu kontrollitakse sihtmärgi mürgistuse tekitamise ees, et tagada protsessi alati sadestuseelses režiimis. määr langeb järsult.

–Selle artikli on avaldanud Guangdong Zhenhua Technology, vaakumkatmisseadmete tootja.