Tyhjiömagnetronisputterointi soveltuu erityisen hyvin reaktiivisiin pinnoituspinnoitteisiin.Itse asiassa tämä prosessi voi kerrostaa ohuita kalvoja mistä tahansa oksidi-, karbidi- ja nitridimateriaalista.Lisäksi prosessi soveltuu erityisen hyvin myös monikerroksisten kalvorakenteiden pinnoittamiseen, mukaan lukien optiset mallit, värikalvot, kulutusta kestävät pinnoitteet, nanolaminaatit, superhilapinnoitteet, eristyskalvot jne. Jo vuonna 1970 korkealaatuinen optinen kalvo kerrostusesimerkkejä on kehitetty useille optisille kalvokerrosmateriaaleille.Näitä materiaaleja ovat läpinäkyvät johtavat materiaalit, puolijohteet, polymeerit, oksidit, karbidit ja nitridit, kun taas fluorideja käytetään prosesseissa, kuten haihtuva pinnoitus.
Magnetronisputterointiprosessin tärkein etu on reaktiivisten tai ei-reaktiivisten päällystysprosessien käyttö näiden materiaalien kerrosten kerrostamiseksi ja kerroksen koostumuksen, kalvon paksuuden, kalvon paksuuden tasaisuuden ja kerroksen mekaanisten ominaisuuksien hyvä hallinta.Prosessilla on seuraavat ominaisuudet.
1、Suuri kerrostumisnopeus.Nopeiden magnetronielektrodien käytön ansiosta voidaan saavuttaa suuri ionivirtaus, mikä parantaa tehokkaasti tämän pinnoitusprosessin kerrostumisnopeutta ja sputterointinopeutta.Verrattuna muihin sputterointiprosesseihin, magnetronisputteruksella on suuri kapasiteetti ja korkea saanto, ja sitä käytetään laajalti erilaisissa teollisissa tuotannossa.
2、Suuri tehokkuus.Magnetronin sputterointikohde valitsee yleensä jännitteen välillä 200V-1000V, yleensä 600V, koska 600V jännite on juuri korkeimmalla tehoalueella.
3. Alhainen ruiskutusenergia.Magnetronin kohdejännite kohdistetaan matalaksi, ja magneettikenttä rajoittaa plasman katodin lähelle, mikä estää korkeamman energian varautuneiden hiukkasten laukaisua substraatille.
4 、Alhainen alustan lämpötila.Anodia voidaan käyttää purkamisen aikana syntyneiden elektronien ohjaamiseen pois, substraatin tukea ei tarvitse täydentää, mikä voi tehokkaasti vähentää substraatin elektronipommitusta.Näin ollen alustan lämpötila on alhainen, mikä on erittäin ihanteellinen joillekin muovisubstraateille, jotka eivät kestä kovin korkean lämpötilan pinnoitusta.
5, Magnetron sputtering kohdepinnan etsaus ei ole yhtenäinen.Magnetronin sputteroiva kohteen pinnan epätasainen syövytys johtuu kohteen epätasaisesta magneettikentästä.Syövytystavoitteen sijainti on suurempi, joten kohteen tehollinen käyttöaste on alhainen (vain 20-30 % käyttöaste).Siksi kohteen hyödyntämisen parantamiseksi magneettikentän jakautumista on muutettava tietyin keinoin tai katodissa liikkuvien magneettien käyttö voi myös parantaa kohteen käyttöä.
6、Yhdistelmäkohde.Voi tehdä komposiittikohdepinnoitteen metalliseoskalvon.Tällä hetkellä komposiittimagnetronin sputterointiprosessin käyttö on onnistuneesti päällystetty Ta-Ti-lejeeringillä, (Tb-Dy)-Fe- ja Gb-Co-seoskalvolla.Yhdistelmäkohderakennetta on neljä tyyppiä, vastaavasti: pyöreä upotettu kohde, neliönmuotoinen upotekohde, pieni neliönmuotoinen upotekohde ja sektoriuurteinen kohde.Sektoripinnoitetun kohderakenteen käyttö on parempi.
7. Laaja valikoima sovelluksia.Magnetronisputterointiprosessi voi kerrostaa monia alkuaineita, yleiset ovat: Ag, Au, C, Co, Cu, Fe, Ge, Mo, Nb, Ni, Os, Cr, Pd, Pt, Re, Rh, Si, Ta, Ti , Zr, SiO, AlO, GaAs, U, W, SnO jne.
Magnetronisputterointi on yksi yleisimmin käytetyistä pinnoitusprosesseista korkealaatuisten kalvojen saamiseksi.Uuden katodin ansiosta sillä on korkea tavoitekäyttö ja korkea kerrostumisnopeus.Guangdongin Zhenhua Technology tyhjiömagnetronin sputterointipinnoitusprosessia käytetään nyt laajalti laaja-alaisten alustojen pinnoittamiseen.Prosessia ei käytetä vain yksikerroksisen kalvon pinnoittamiseen, vaan myös monikerroksiseen kalvopäällystykseen, lisäksi sitä käytetään myös rullalta rullalle -prosessissa pakkauskalvon, optisen kalvon, laminoinnin ja muun kalvopäällystyksen yhteydessä.
Postitusaika: 07.11.2022