Deposición química de vapor excitada térmicamente

Xeralmente as reaccións CVD dependen de altas temperaturas, polo que se denomina deposición química de vapor excitada térmicamente (TCVD).Xeralmente utiliza precursores inorgánicos e realízase en reactores de parede quente e de parede fría.Os seus métodos de calefacción inclúen o quecemento por radiofrecuencia (RF), o quecemento por radiación infravermella, o quecemento por resistencia, etc.

Deposición química de vapor de parede quente
En realidade, o reactor de deposición química de vapor de parede quente é un forno termostático, xeralmente quentado con elementos resistivos, para a produción intermitente.O debuxo dunha instalación de produción de deposición química en vapor de parede quente para o revestimento de ferramentas de chip móstrase como segue.Esta deposición química de vapor de parede quente pode recubrir TiN, TiC, TiCN e outras películas finas.O reactor pode ser deseñado para o suficientemente grande para poder albergar un gran número de compoñentes, e as condicións pódense controlar con moita precisión para a deposición.A imaxe 1 mostra un dispositivo de capa epitaxial para o dopaxe de silicio na produción de dispositivos semicondutores.O substrato no forno colócase en dirección vertical para reducir a contaminación da superficie de deposición por partículas e aumentar moito a carga de produción.Os reactores de parede quente para a produción de semicondutores adoitan funcionar a baixas presións.