वाष्पीकरण कोटिंग के दौरान, फिल्म परत का न्यूक्लियेशन और विकास विभिन्न आयन कोटिंग तकनीक का आधार है
1.न्यूक्लिएशन
Inवैक्यूम वाष्पीकरण कोटिंग प्रौद्योगिकीफिल्म परत के कणों को परमाणुओं के रूप में वाष्पीकरण स्रोत से वाष्पित होने के बाद, वे उच्च वैक्यूम में सीधे वर्कपीस में उड़ जाते हैं और वर्कपीस की सतह पर न्यूक्लियेशन और विकास द्वारा फिल्म परत बनाते हैं।वैक्यूम वाष्पीकरण के दौरान, वाष्पीकरण स्रोत से निकलने वाली फिल्म परत परमाणुओं की ऊर्जा लगभग 0.2eV होती है।जब फिल्म परत के कणों के बीच सामंजस्य फिल्म परत और वर्कपीस के परमाणुओं के बीच बंधन बल से अधिक होता है, तो एक द्वीप नाभिक बनता है।एक एकल फिल्म परत परमाणु परमाणु समूहों को बनाने के लिए अनियमित गति, प्रसार, प्रवासन या अन्य परमाणुओं के साथ टकराव की अवधि के लिए वर्कपीस की सतह पर रहता है। परमाणु क्लस्टर में परमाणुओं की संख्या एक निश्चित महत्वपूर्ण मूल्य तक पहुंच जाती है, एक स्थिर केन्द्रक का निर्माण होता है, जिसे सजातीय आकार का केन्द्रक कहते हैं।
चिकना, और इसमें कई दोष और चरण होते हैं, जो वर्कपीस के विभिन्न हिस्सों के रेडियोधर्मी परमाणुओं के सोखने के बल में अंतर का कारण बनता है।दोष की सतह की सोखने की ऊर्जा सामान्य सतह की तुलना में अधिक होती है, इसलिए यह सक्रिय केंद्र बन जाता है, जो अधिमान्य न्यूक्लिएशन के लिए अनुकूल होता है, जिसे विषम न्यूक्लिएशन कहा जाता है।जब संसंजक बल बंधन बल के बराबर होता है, या झिल्ली परमाणुओं और वर्कपीस के बीच बंधन बल झिल्ली परमाणुओं के बीच संसक्त बल से अधिक होता है, तो लैमेलर संरचना बनती है।आयन प्लेटिंग तकनीक में, अधिकांश मामलों में द्वीप कोर का निर्माण होता है।
2.विकास
एक बार जब फिल्म का मूल बन जाता है, तो यह आपतित परमाणुओं को फंसाकर बढ़ता रहता है। द्वीप बढ़ते हैं और एक-दूसरे के साथ मिलकर बड़े गोलार्ध बनाते हैं, धीरे-धीरे एक गोलार्ध द्वीप परत बनाते हैं जो वर्कपीस की सतह पर फैलती है।
जब फिल्म परत की परमाणु ऊर्जा अधिक होती है, तो यह सतह पर पर्याप्त रूप से फैल सकती है और बाद में आने वाले परमाणु क्लस्टर छोटे होने पर एक चिकनी निरंतर फिल्म बन सकती है। यदि सतह पर परमाणुओं का प्रसार कमजोर है और का आकार जमा क्लस्टर बड़े हैं, वे बड़े प्रायद्वीपीय नाभिक के रूप में मौजूद हैं। द्वीप कोर के शीर्ष पर अवतल भाग पर एक मजबूत छायांकन प्रभाव होता है, जो कि "छाया प्रभाव" है। सतह का प्रक्षेपण बाद के जमा परमाणुओं को पकड़ने के लिए अधिक अनुकूल है और तरजीही वृद्धि, जिसके परिणामस्वरूप पर्याप्त आकार के शंक्वाकार या स्तंभ क्रिस्टल बनाने के लिए सतह पर अवतलता की डिग्री बढ़ जाती है।शंक्वाकार क्रिस्टलों के बीच मर्मज्ञ रिक्तियां बनती हैं और सतह का खुरदरापन मान बढ़ जाता है। उच्च निर्वात पर बारीक ऊतक प्राप्त किया जा सकता है, निर्वात डिग्री में कमी के साथ, झिल्ली की सूक्ष्म संरचना अधिक मोटी हो जाती है।
पोस्ट समय: मई-24-2023