イオンプレーティング装置の動作原理は何ですか

イオンコーティングマシーン 1960 年代に DM Mattox によって提案された理論に由来し、対応する実験は当時から始まりました。1971 年まで、Chambers らは電子ビーム イオン プレーティングの技術を発表しました。反応性蒸着メッキ (ARE) 技術は、TiC や TiN などの超硬膜タイプが製造された 1972 年の Bunshah レポートで指摘されました。同様に 1972 年に、Smith と Molley はコーティングプロセスにホローカソード技術を採用しました。1980年代に入ると、中国におけるイオンプレーティングはようやく工業応用レベルに達し、真空マルチアークイオンプレーティングやアーク放電イオンプレーティングなどのコーティングプロセスが次々と登場しました。

真空イオンプレーティングの全体的な作業プロセスは次のとおりです。ポンプ真空チャンバー、そして待って真空圧を4X10⁻⁻⁻Paまでそれ以上の、高電圧電源を接続し、基板と蒸発器の間に低電圧放電ガスの低温プラズマ領域を構築する必要があります。基板電極を 5000V DC 負の高電圧に接続して、陰極のグロー放電を形成します。不活性ガスイオンは負のグロー領域の近くで生成されます。それらは陰極の暗領域に入り、電場によって加速されて基板の表面に衝突します。ここで洗浄工程を経て、コーティング工程に入ります。衝撃加熱の影響により、めっき材料の一部が蒸発します。プラズマ領域はプロトンに入り、電子や不活性ガスイオンと衝突し、その一部がイオン化されます。これらの高エネルギーのイオン化イオンが膜表面に衝突し、膜品質がある程度改善されます。

真空イオンプレーティングの原理は次のとおりです。真空チャンバー内で、ガス放電現象または蒸発した材料のイオン化部分を使用し、蒸発した材料イオンまたはガスイオンの衝突下で、これらの蒸発した物質またはその反応物を基板上に同時に堆積します。薄い膜が得られます。イオンコーティングはマシーン真空蒸着、プラズマ技術、ガスグロー放電を組み合わせたもので、膜の品質が向上するだけでなく、膜の応用範囲も広がります。このプロセスの利点は、強い回折、優れた膜密着性、およびさまざまなコーティング材料です。イオンプレーティングの原理は、DM Mattox によって最初に提案されました。イオンプレーティングには多くの種類があります。最も一般的なのは蒸発加熱で、抵抗加熱、電子ビーム加熱、プラズマ電子ビーム加熱、高周波誘導加熱などの加熱方法が挙げられます。