ღრუ კათოდური იონის საფარის პროცესი

ღრუ კათოდური იონის საფარის პროცესი შემდეგია:

1, ჩადეთ ნიკაპის შიგთავსები კოლაფსში.

2, სამუშაო ნაწილის დამონტაჟება.

3, 5×10-3Pa-მდე ევაკუაციის შემდეგ, არგონის გაზი შეჰყავთ საფარის პალატაში ვერცხლის მილიდან და ვაკუუმის დონე არის დაახლოებით 100Pa.

4, ჩართეთ მიკერძოებული ძალა.

5. რკალის დენის ჩართვის შემდეგ, რომ აანთოს ღრუ კათოდური გამონადენი. მბზინავი გამონადენი წარმოიქმნება ღილაკების მილში, გამონადენის ძაბვა არის 800~1000V, რკალის ამაღლების დენი არის 30~50A. განათების ღრუ კათოდური ეფექტის გამო. გამონადენი, მაღალი სიკაშკაშის გამონადენის დენის სიმკვრივე, ვირთხის იონების მაღალი სიმკვრივე ვერცხლის მილში ბომბავს მილის კედელს, აიძულებს მილის კედელს სწრაფად გაათბოს ელექტრონის ნაკადის გამოსხივებამდე, გამონადენის რეჟიმი მბზინავი გამონადენიდან მოულოდნელად იცვლება რკალის გამონადენი,ძაბვა არის 40~70V,დენი არის 80~300A.ვერცხლის მილის ტემპერატურა აღწევს 2300K-ზე მაღლა,ინკანდესენტური,გამოყოფს რკალის ელექტრონების მაღალი სიმკვრივის ნაკადს მილიდან და ისვრის ანოდამდე.

6. ვაკუუმის დონის რეგულირება. ღრუ კათოდური იარაღიდან ბზინვის გამონადენის ვაკუუმის დონე არის დაახლოებით 100 Pa, ხოლო საფარის ვაკუუმის ხარისხი არის 8×10-1~2Pa. ამიტომ, რკალის გამონადენის აალების შემდეგ, შეამცირეთ შემომავალი არგონი. გაზი რაც შეიძლება მალე, დაარეგულირეთ ვაკუუმის დონე დაფარვისთვის შესაფერის დიაპაზონში.

7, ტიტანის მოოქროვილი საბაზისო ფენა.ელექტრონების ნაკადი ანოდურად ჩამონგრეულ ნიკაპის მეტალის ღეროზე, კინეტიკური ენერგიის გადაქცევა თერმულ ენერგიად, ნიკაპის ლითონის აორთქლება გაცხელებით, ორთქლის ატომები აღწევს სამუშაო ნაწილს ტიტანის ფირის წარმოქმნით.

8. TiN-ის დეპონირება. აზოტის გაზი მიეწოდება საფარის კამერას, აზოტის გაზი და აორთქლებული ატომები იონიზირებულია აზოტისა და ტიტანის იონებად. ჭურჭლის ზემოთ, ტიტანის ორთქლის ატომების არაელასტიური შეჯახების ალბათობა დაბალი ენერგეტიკული ელექტრონების მკვრივ ნაკადებთან, ლითონის დისოციაციის სიჩქარე 20%-40%-მდეა, ტიტანის იონები უფრო სავარაუდოა, რომ ქიმიურად რეაგირებენ რეაქციის გაზის აზოტთან, დეპონირება ნიტრიდის მანტიის ფირის შრის მისაღებად. ღრუ კათოდური იარაღი ორივე აორთქლების წყაროა, სხვა წყარო. იონიზაციის დროს.დაფარვისას ასევე უნდა დარეგულირდეს ელექტრომაგნიტური სპირალის დენი ჭურჭლის ირგვლივ, ფოკუსირება მოახდინოს ელექტრონული სხივი კოლაფსის ცენტრში,ამგვარად იზრდება ელექტრონის ნაკადის სიმძლავრის სიმკვრივე.

9, გამორთვა. მას შემდეგ, რაც ფირის სისქე მიაღწევს წინასწარ განსაზღვრულ ფირის სისქეს, გამორთეთ რკალის კვების წყარო, მიკერძოებული ელექტრომომარაგება და ჰაერის მიწოდება.