აორთქლების საფარის დროს, ფირის ფენის ნუკლეაცია და ზრდა არის სხვადასხვა იონური საფარის ტექნოლოგიის საფუძველი.
1.ნუკლეაცია
Inვაკუუმური აორთქლების საფარის ტექნოლოგიამას შემდეგ, რაც ფილმის ფენის ნაწილაკები აორთქლდება აორთქლების წყაროდან ატომების სახით, ისინი პირდაპირ მიფრინავენ სამუშაო ნაწილს მაღალ ვაკუუმში და ქმნიან ფილმის ფენას ბირთვის და ზრდის შედეგად სამუშაო ნაწილის ზედაპირზე.ვაკუუმური აორთქლების დროს, ფირის შრის ატომების ენერგია აორთქლების წყაროდან არის დაახლოებით 0,2 ევ.როდესაც ფირის ფენის ნაწილაკებს შორის შეკრულობა აღემატება ფირის შრის ატომებსა და სამუშაო ნაწილს შორის შემაკავშირებელ ძალას, წარმოიქმნება კუნძულის ბირთვი.ერთი ფირის ფენის ატომი რჩება სამუშაო ნაწილის ზედაპირზე დროის განმავლობაში და აკეთებს არარეგულარულ მოძრაობას, დიფუზიას, მიგრაციას ან სხვა ატომებთან შეჯახებას ატომური გროვების შესაქმნელად. იქმნება ბირთვი, რომელსაც ეწოდება ერთგვაროვანი ფორმის ბირთვი.
გლუვი და შეიცავს უამრავ დეფექტს და საფეხურს, რაც იწვევს სამუშაო ნაწილის სხვადასხვა ნაწილის ადსორბციის ძალის განსხვავებას რადიოაქტიურ ატომებში.დეფექტის ზედაპირის ადსორბციული ენერგია უფრო მეტია ვიდრე ნორმალური ზედაპირის, ამიტომ ის ხდება აქტიური ცენტრი, რომელიც ხელს უწყობს შეღავათიან ნუკლეაციას, რომელსაც ეწოდება ჰეტეროგენული ნუკლეაცია.როდესაც შეკრული ძალა უდრის შემაკავშირებელ ძალას, ან მემბრანის ატომებსა და სამუშაო ნაწილს შორის დამაკავშირებელი ძალა უფრო მეტია, ვიდრე მემბრანის ატომებს შორის შეკრული ძალა, იქმნება ლამელარული სტრუქტურა.იონის დაფარვის ტექნოლოგიაში უმეტეს შემთხვევაში კუნძულის ბირთვი იქმნება.
2. ზრდა
მას შემდეგ, რაც ფილმის ბირთვი ჩამოყალიბდება, ის აგრძელებს ზრდას ინციდენტის ატომების დაჭერით. კუნძულები იზრდება და ერწყმის ერთმანეთს უფრო დიდი ნახევარსფეროების წარმოქმნით, თანდათანობით ქმნის ნახევარსფეროს კუნძულის ფენას, რომელიც ვრცელდება სამუშაო ნაწილის ზედაპირზე.
როდესაც ფირის ფენის ატომური ენერგია მაღალია, მას შეუძლია საკმარისად გავრცელდეს ზედაპირზე და შეიძლება წარმოიქმნას გლუვი უწყვეტი ფილმი, როდესაც შემდგომი შემომავალი ატომური მტევნები მცირეა. თუ ზედაპირზე ატომების დიფუზია სუსტია და ზომა დეპონირებული მტევნები დიდია, ისინი არსებობენ როგორც დიდი ნახევარკუნძული ბირთვები. კუნძულის ბირთვის ზედა ნაწილს აქვს ძლიერი დაჩრდილვის ეფექტი ჩაზნექილ ნაწილზე, ეს არის "ჩრდილის ეფექტი". ზედაპირის პროექცია უფრო ხელსაყრელია შემდგომი დეპონირებული ატომების დასაჭერად. და შეღავათიანი ზრდა, რაც იწვევს ზედაპირზე ჩაღრმავების მზარდ ხარისხს საკმარისი ზომის კონუსური ან სვეტოვანი კრისტალების წარმოქმნით.კონუსურ კრისტალებს შორის წარმოიქმნება შეღწევადი სიცარიელეები და იზრდება ზედაპირის უხეშობის მნიშვნელობა. წვრილი ქსოვილის მიღება შესაძლებელია მაღალ ვაკუუმში, ვაკუუმის ხარისხის დაქვეითებით, მემბრანის მიკროსტრუქტურა სქელი და სქელი ხდება.
გამოქვეყნების დრო: მაისი-24-2023