1, Металл қосылыстарының нысана бетінде түзілуі
Реактивті шашырату процесі арқылы металдың нысана бетінен қосылыс түзу процесінде қосылыс қай жерде түзіледі?Реактивті газ бөлшектері мен нысана бетінің атомдары арасындағы химиялық реакция әдетте экзотермиялық болып табылатын қосылыс атомдарын түзетіндіктен, реакция жылуының өту жолы болуы керек, әйтпесе химиялық реакция жалғаса алмайды.Вакуум жағдайында газдар арасында жылу алмасу мүмкін емес, сондықтан химиялық реакция қатты бетінде жүруі керек.Реакциялық шашырау мақсатты беттерде, субстрат беттерінде және басқа құрылымдық беттерде қосылыстар жасайды.Субстрат бетінде қосылыстар жасау мақсат болып табылады, басқа құрылымдық беттерде қосылыстар жасау ресурстарды ысырап етеді, ал мақсатты беттегі қосылыстарды генерациялау қосылыс атомдарының көзі ретінде басталады және көбірек қосылыс атомдарын үздіксіз қамтамасыз ету үшін кедергі болады.
2, Мақсатты уланудың әсер ету факторлары
Нысаналы улануға әсер ететін негізгі фактор реакция газы мен шашыратқыш газдың арақатынасы болып табылады, реакциялық газдың шамадан тыс көп болуы мақсатты улануға әкеледі.Реактивті шашырату процесі мақсатты бетінде жүзеге асырылады шашыратқыш арна аймағы реакциялық қосылыспен жабылған сияқты немесе реакциялық қосылыс аршылып, металл беті қайта ашылады.Егер қосылыстардың пайда болу жылдамдығы құрама аршу жылдамдығынан жоғары болса, құраманың қамту аймағы артады.Белгілі бір қуатта қосылыс түзуге қатысатын реакциялық газдың мөлшері артады және қосылыстардың түзілу жылдамдығы артады.Реакциялық газдың мөлшері шамадан тыс артса, қосылыстардың қамту аймағы артады.Ал егер реакциялық газ ағынының жылдамдығын уақытында реттеу мүмкін болмаса, қосылыстардың қамту аймағының ұлғаю жылдамдығы басылмайды және бүрку арнасы қосылыспен одан әрі жабылады, бүрку мақсаты қосылыспен толығымен жабылған кезде нысана толығымен уланған.
3, Мақсатты улану құбылысы
(1) оң иондардың жинақталуы: мақсатты улану кезінде мақсатты бетінде оқшаулағыш пленка қабаты пайда болады, оң иондар оқшаулағыш қабаттың бітелуіне байланысты катодтың мақсатты бетіне жетеді.Катодтың нысана бетіне тікелей енбейді, бірақ нысана бетінде жинақталады, доғалық разрядқа дейін суық өрісті өндіруге оңай - катодты шашырату жалғасуы мүмкін емес.
(2) анодтың жоғалуы: мақсатты улану кезінде жерлендірілген вакуумдық камераның қабырғасында оқшаулағыш пленка сақталады, анодқа электрондар анодқа кіре алмайды, анодтың жоғалу құбылысының қалыптасуы.
4, Мақсатты уланудың физикалық түсіндірмесі
(1) Жалпы, металл қосылыстарының екінші реттік электронды эмиссия коэффициенті металдарға қарағанда жоғары.Нысаналы уланудан кейін нысананың беті барлық металл қосылыстары болып табылады, ал иондармен бомбаланғаннан кейін бөлінген екінші электрондар саны артады, бұл кеңістіктің өткізгіштігін жақсартады және плазмалық кедергіні төмендетеді, бұл төмен шашырау кернеуіне әкеледі.Бұл шашырау жылдамдығын азайтады.Әдетте магнетронды шашыратудың шашырау кернеуі 400В-600В аралығында болады және мақсатты улану орын алған кезде шашырау кернеуі айтарлықтай төмендейді.
(2) Металл нысанасы мен құрама нысананың бастапқы шашырау жылдамдығы әртүрлі, жалпы металдың шашырау коэффициенті қосылыстың шашырау коэффициентінен жоғары, сондықтан мақсатты уланудан кейін шашырау жылдамдығы төмен.
(3) Реактивті шашыратқыш газдың шашырау тиімділігі бастапқыда инертті газдың шашырау тиімділігінен төмен, сондықтан реактивті газдың үлесі артқаннан кейін кешенді шашырау жылдамдығы төмендейді.
5, Мақсатты улану үшін ерітінділер
(1) Орта жиілікті қуат көзін немесе радиожиілік қуат көзін қабылдаңыз.
(2) Реакциялық газ ағынының жабық циклді басқаруын қабылдаңыз.
(3) Қос мақсаттарды қабылдаңыз
(4) Қаптау режимінің өзгеруін бақылау: жабу алдында мақсатты уланудың гистерезис әсерінің қисығы жиналады, осылайша кіріс ауа ағыны мақсатты улануды тудыратын жердің алдыңғы жағында бақыланады, бұл процестің тұндыру алдында әрқашан режимде болуын қамтамасыз етеді. қарқыны күрт төмендейді.
– Бұл мақаланы вакуумдық жабын жабдығын өндіруші Guangdong Zhenhua Technology жариялаған.
Жіберу уақыты: 07 қараша 2022 ж