ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಕ್ಯಾಥೋಡಿಕ್ ಮಲ್ಟಿ-ಆರ್ಕ್ ಐಯಾನ್ ಕೋಟಿಂಗ್ ಕಾಂಪೋಸಿಟ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ

ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಕ್ಯಾಥೋಡಿಕ್ ಮಲ್ಟಿ-ಆರ್ಕ್ ಅಯಾನ್ ಲೇಪನದ ಸಂಯೋಜಿತ ಲೇಪನ ಉಪಕರಣಗಳು ಪ್ರತ್ಯೇಕವಾಗಿ ಮತ್ತು ಏಕಕಾಲದಲ್ಲಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡಬಹುದು;ಠೇವಣಿ ಇಡಬಹುದು ಮತ್ತು ಶುದ್ಧ ಲೋಹದ ಫಿಲ್ಮ್, ಲೋಹದ ಸಂಯುಕ್ತ ಫಿಲ್ಮ್ ಅಥವಾ ಸಂಯೋಜಿತ ಫಿಲ್ಮ್ ಅನ್ನು ತಯಾರಿಸಬಹುದು;ಫಿಲ್ಮ್ನ ಒಂದೇ ಪದರ ಮತ್ತು ಬಹು-ಪದರದ ಸಂಯೋಜಿತ ಫಿಲ್ಮ್ ಆಗಿರಬಹುದು.

ಕೆಳಗಿನಂತೆ ಅದರ ಅನುಕೂಲಗಳು:
ಇದು ವಿವಿಧ ಅಯಾನು ಲೇಪನಗಳ ಅನುಕೂಲಗಳನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ವಿವಿಧ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಿಗೆ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್‌ನ ತಯಾರಿಕೆ ಮತ್ತು ಶೇಖರಣೆಯನ್ನು ಗಣನೆಗೆ ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಅದೇ ನಿರ್ವಾತದಲ್ಲಿ ಬಹು-ಪದರದ ಏಕಶಿಲೆಯ ಫಿಲ್ಮ್‌ಗಳು ಅಥವಾ ಬಹು-ಪದರದ ಸಂಯೋಜಿತ ಚಲನಚಿತ್ರಗಳ ಶೇಖರಣೆ ಮತ್ತು ತಯಾರಿಕೆಯನ್ನು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ. ಒಂದು ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಲೇಪನ ಚೇಂಬರ್.
ಠೇವಣಿ ಮಾಡಿದ ಫಿಲ್ಮ್ ಲೇಯರ್‌ಗಳ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳನ್ನು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಅದರ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಗಳು ವಿವಿಧ ರೂಪಗಳಲ್ಲಿವೆ, ವಿಶಿಷ್ಟವಾದವುಗಳು ಈ ಕೆಳಗಿನಂತಿವೆ:
(1) ನಾನ್-ಇಕ್ವಿಲಿಬ್ರಿಯಮ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಕ್ಯಾಥೋಡಿಕ್ ಅಯಾನ್ ಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಸಂಯುಕ್ತ.
ಅದರ ಸಾಧನವನ್ನು ಈ ಕೆಳಗಿನಂತೆ ತೋರಿಸಲಾಗಿದೆ.ಇದು ಸ್ತಂಭಾಕಾರದ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಗುರಿ ಮತ್ತು ಸಮತಲ ಕ್ಯಾಥೋಡಿಕ್ ಆರ್ಕ್ ಅಯಾನ್ ಲೇಪನದ ಸಂಯುಕ್ತ ಲೇಪನ ಸಾಧನವಾಗಿದೆ, ಇದು ಟೂಲ್ ಕೋಟಿಂಗ್ ಕಾಂಪೌಂಡ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಮತ್ತು ಅಲಂಕಾರಿಕ ಫಿಲ್ಮ್ ಲೇಪನ ಎರಡಕ್ಕೂ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.ಟೂಲ್ ಲೇಪನಕ್ಕಾಗಿ, ಕ್ಯಾಥೋಡಿಕ್ ಆರ್ಕ್ ಅಯಾನ್ ಲೇಪನವನ್ನು ಬೇಸ್ ಲೇಯರ್ ಲೇಪನಕ್ಕಾಗಿ ಮೊದಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ನಂತರ ಕಾಲಮ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಗುರಿಯನ್ನು ನೈಟ್ರೈಡ್ ಮತ್ತು ಇತರ ಫಿಲ್ಮ್ ಲೇಯರ್‌ಗಳ ಶೇಖರಣೆಗಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ-ನಿಖರವಾದ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ಉಪಕರಣದ ಮೇಲ್ಮೈ ಫಿಲ್ಮ್ ಅನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.
ಅಲಂಕಾರಿಕ ಲೇಪನಕ್ಕಾಗಿ, TiN ಮತ್ತು ZrN ಅಲಂಕಾರಿಕ ಫಿಲ್ಮ್‌ಗಳನ್ನು ಕ್ಯಾಥೋಡಿಕ್ ಆರ್ಕ್ ಲೇಪನದಿಂದ ಮೊದಲು ಠೇವಣಿ ಮಾಡಬಹುದು ಮತ್ತು ನಂತರ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಗುರಿಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಲೋಹದೊಂದಿಗೆ ಡೋಪ್ ಮಾಡಬಹುದು ಮತ್ತು ಡೋಪಿಂಗ್ ಪರಿಣಾಮವು ತುಂಬಾ ಒಳ್ಳೆಯದು.

(2) ಅವಳಿ ಪ್ಲೇನ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಮತ್ತು ಕಾಲಮ್ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಆರ್ಕ್ ಅಯಾನ್ ಲೇಪನ ತಂತ್ರಗಳ ಸಂಯುಕ್ತ.ಸಾಧನವನ್ನು ಈ ಕೆಳಗಿನಂತೆ ತೋರಿಸಲಾಗಿದೆ.ಇದು ಸುಧಾರಿತ ಅವಳಿ ಗುರಿ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ, ಮಧ್ಯಮ ಆವರ್ತನದ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜಿಗೆ ಎರಡು ಪಕ್ಕ-ಪಕ್ಕದ ಅವಳಿ ಗುರಿಗಳನ್ನು ಲಿಂಕ್ ಮಾಡಿದಾಗ, ಇದು DC ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್, ಬೆಂಕಿ ಮತ್ತು ಇತರ ನ್ಯೂನತೆಗಳ ಗುರಿ ವಿಷವನ್ನು ಮಾತ್ರ ಮೀರಿಸುತ್ತದೆ;ಮತ್ತು Al203, SiO2 ಆಕ್ಸೈಡ್ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಫಿಲ್ಮ್ ಅನ್ನು ಠೇವಣಿ ಮಾಡಬಹುದು, ಇದರಿಂದ ಲೇಪಿತ ಭಾಗಗಳ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಪ್ರತಿರೋಧವು ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಸುಧಾರಿಸಿದೆ.ನಿರ್ವಾತ ಕೊಠಡಿಯ ಮಧ್ಯದಲ್ಲಿ ಸ್ಥಾಪಿಸಲಾದ ಸ್ತಂಭಾಕಾರದ ಬಹು-ಆರ್ಕ್ ಗುರಿ, ಟಾರ್ಗೆಟ್ ಮೆಟೀರಿಯಲ್ Ti ಮತ್ತು Zr ಅನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು, ಹೆಚ್ಚಿನ ಮಲ್ಟಿ-ಆರ್ಕ್ ಡಿಸೋಸಿಯೇಷನ್ ​​ದರ, ಠೇವಣಿ ದರದ ಅನುಕೂಲಗಳನ್ನು ಕಾಪಾಡಿಕೊಳ್ಳಲು ಮಾತ್ರವಲ್ಲದೆ, "ಹನಿಗಳನ್ನು" ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದು. ಸಣ್ಣ ಪ್ಲೇನ್ ಮಲ್ಟಿ-ಆರ್ಕ್ ಟಾರ್ಗೆಟ್ ಠೇವಣಿ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ, ಲೋಹದ ಫಿಲ್ಮ್‌ಗಳು, ಸಂಯುಕ್ತ ಫಿಲ್ಮ್‌ಗಳ ಕಡಿಮೆ ಸರಂಧ್ರತೆಯನ್ನು ಠೇವಣಿ ಮಾಡಬಹುದು ಮತ್ತು ತಯಾರಿಸಬಹುದು.ಪರಿಧಿಯಲ್ಲಿ ಸ್ಥಾಪಿಸಲಾದ ಅವಳಿ ಪ್ಲ್ಯಾನರ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಗುರಿಗಳಿಗೆ Al ಮತ್ತು Si ಅನ್ನು ಗುರಿ ವಸ್ತುಗಳಾಗಿ ಬಳಸಿದರೆ, Al203 ಅಥವಾ Si0 ಮೆಟಲ್-ಸೆರಾಮಿಕ್ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳನ್ನು ಠೇವಣಿ ಮಾಡಬಹುದು ಮತ್ತು ತಯಾರಿಸಬಹುದು.ಇದರ ಜೊತೆಗೆ, ಬಹು-ಆರ್ಕ್ ಬಾಷ್ಪೀಕರಣ ಮೂಲದ ಬಹು ಸಣ್ಣ ವಿಮಾನಗಳನ್ನು ಪರಿಧಿಯಲ್ಲಿ ಸ್ಥಾಪಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ಅದರ ಗುರಿ ವಸ್ತು Cr ಅಥವಾ Ni ಆಗಿರಬಹುದು ಮತ್ತು ಲೋಹದ ಫಿಲ್ಮ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಬಹುಪದರದ ಸಂಯೋಜಿತ ಫಿಲ್ಮ್‌ಗಳನ್ನು ಠೇವಣಿ ಮಾಡಬಹುದು ಮತ್ತು ತಯಾರಿಸಬಹುದು.ಆದ್ದರಿಂದ, ಈ ಸಂಯೋಜಿತ ಲೇಪನ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವು ಬಹು ಅನ್ವಯಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿತ ಲೇಪನ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವಾಗಿದೆ.