Bi gelemperî reaksiyonên CVD bi germahiyên bilind ve girêdayî ne, ji ber vê yekê jê re depokirina buhara kîmyewî ya germî (TCVD) tê gotin.Ew bi gelemperî pêşgirên neorganîkî bikar tîne û di reaktorên dîwarê germ û sar de tête kirin.Rêbazên wê yên germkirî germkirina frekansa radyoyê (RF), germkirina tîrêjê ya infrared, germkirina berxwedanê, hwd.
Depokirina buhara kîmyayî ya dîwarê germ
Bi rastî, reaktora depokirina buhara kîmyewî ya dîwarê germ firneyek termostatîk e, bi gelemperî bi hêmanên berxwedêr tê germ kirin, ji bo hilberîna navber.Xêzkirina sazûmanek hilberîna hilanîna buhara kîmyewî ya dîwarê germ ji bo xêzkirina amûra çîpê wekî jêrîn tê destnîşan kirin.Ev rûxandina buhara kîmyewî ya germ-dîwar dikare TiN, TiC, TiCN û fîlimên din ên nazik bipêçe.Reaktor dikare bi têra xwe mezin were sêwirandin û dûv re hejmareke mezin ji pêkhateyan bigire, û şert û mercên ji bo depokirinê pir rast têne kontrol kirin.Wêneya 1 ji bo dopinga silicon a hilberîna cîhaza nîvconductor amûrek qatek epîtaksial nîşan dide.Substrate di firnê de bi rêgezek vertîkal tê danîn da ku qirêjiya rûbera hilweşandinê ji hêla perçeyan ve kêm bike, û barkirina hilberînê pir zêde bike.Reaktorên dîwarê germ ên ji bo hilberîna nîvconductor bi gelemperî di zextên kêm de têne xebitandin.
Dema şandinê: Nov-08-2022