Obductio per pulverisationem cathodicam fasciculi ionici et corrosio fasciculi ionici

1. Obductio per pulverisationem fasciculi ionici

Superficies materiae fasciculo ionico mediae energiae bombardatur, et energia ionum non in crystallinum materiae reticulum intrat, sed energiam ad atomos destinatos transfert, eos a superficie materiae dispergere faciens, et deinde per depositionem in materia operis pelliculam tenuem formare. Ob sputtering a fascio ionico productam, energia atomorum strati pelliculae sputtering depositae altissima est, et materia destinata fascio ionico in alto vacuo bombardatur, puritas strati pelliculae alta est, et pelliculae altae qualitatis deponi possunt, dum stabilitas strati pelliculae fascii ionici augetur, quo propositum meliorandi proprietates opticas et mechanicas strati pelliculae consequi potest. Propositum sputtering fascii ionici est novas materias pelliculae tenuis formare.

2. Corrosio fasciculi ionici

Radere fasciculo ionico est etiam bombardatio fasciculo ionico mediae energiae superficiei materiae ad effectum sputtering et rattendi in substrato producendum; est instrumentum semiconductorium, instrumenta optoelectronica, et aliae partes productionis technologiae nucleorum graphicorum. Technologia praeparationis laminis in circuitibus integratis semiconductoribus praeparationem millionum transistorum in lamina silicii monocrystallina cum diametro Φ12in (Φ304.8mm) implicat. Quisque transistor ex multis stratis pellicularum tenuium cum functionibus diversis constructus est, constantes ex strato activo, strato insulante, strato isolante, et strato conductivo. Quisque stratus functionalis suum proprium schema habet, ita postquam unumquodque stratum pelliculae functionalis obductum est, partes inutiles fasciculo ionico rattendi sunt, componentibus pelliculae utilibus intactis relictis. Hodie, latitudo fili laminis 7mm attigit, et ratdere fasciculo ionico necessaria est ad tale schema subtile praeparandum. Radere fasciculo ionico est methodus rattendi sicca cum magna accuratione rattendi comparata cum methodo rattendi humida initio adhibita.

Technologia corrosionis fasciculi ionum cum corrosione fasciculi ionum inactivo et fasciculi ionum activo duo genera habet. Prius, corrosione fasciculi ionum argonii ad reactionem physicam pertinet; posterior, per pulverizationem fasciculi ionum fluoridi, fasciculus ionum fluoridi, praeter energiam magnam, functionem tramp producere potest, fasciculus ionum fluoridi etiam corrosionis SiO2 potest.₂Si₃N4, GaAs, W, aliaeque membranae tenues reactionem chemicam habent; haec et per reactionem physicam et per reactionem chemicam technologiae corrosionis fasciculi ionici est; celeritas corrosionis est. Gases corrosivi per reactionem corrosionis sunt CF.₄C.₂F₆CCl4 BCl3₃, etc., reactantes generati pro SiF₄SiCl₃₄GCl₃; et WF₆ ubi gases corrosivi extrahuntur. Technologia corrosionis fasciculi ionici est technologia clavis ad res technologiae provectae producendas.

–Hic articulus editus est abFabricator machinae ad obducendum vacuumGuangdong Zhenhua