Tatsächlech ass Ionstrahl assistéiert Oflagerungstechnologie eng Komposittechnologie.Et ass eng Komposit Uewerfläch Ion Behandlungstechnik déi Ionimplantatioun a kierperlech Dampdepositiounsfilmtechnologie kombinéiert, an eng nei Zort Ionstrahl Uewerflächoptimiséierungstechnik.Zousätzlech zu de Virdeeler vun der kierperlecher Dampdepositioun kann dës Technik kontinuéierlech all Dickefilm ënner méi strenge Kontrollbedéngungen wuessen, d'Kristallinitéit an d'Orientéierung vun der Filmschicht méi däitlech verbesseren, d'Haftkraaft vun der Filmschicht / Substrat erhéijen, d'Dichtheet verbesseren. vun der Filmschicht, a synthetiséiert Verbindungsfilmer mat idealen stoichiometresche Verhältnisser bei Raumtemperatur, dorënner nei Zorte vu Filmer, déi net bei Raumtemperatur an Drock kritt kënne ginn.Ionenstrahl assistéiert Oflagerung behält net nëmmen d'Virdeeler vum Ionimplantatiounsprozess, mee kann och de Substrat mat engem ganz anere Film aus dem Substrat ofdecken.
An all Zorte vu kierperlecher Dampdepositioun a chemescher Dampdepositioun kann e Set vun Hëllefsbombardemention-Ionen bäigefüügt ginn fir en IBAD System ze bilden, an et ginn zwee allgemeng IBAD Prozesser wéi follegt, wéi am Pic gewisen:
Wéi am Pic (a) gewisen, gëtt eng Elektronenstrahl Verdampfungsquell benotzt fir d'Filmschicht mat dem Ionenstrahl aus der Ionegewier ze bestrahlen, sou datt d'Ionenstrahl assistéiert Oflagerung realiséiert gëtt.De Virdeel ass datt d'Ionestrahlenergie an d'Richtung ugepasst kënne ginn, awer nëmmen eng eenzeg oder limitéiert Legierung, oder Verbindung kann als Verdampungsquell benotzt ginn, an all Dampdrock vun der Legierungskomponent a Verbindung ass anescht, wat et schwéier mécht fir d'Filmschicht vun der ursprénglecher Verdampfungsquell Zesummesetzung ze kréien.
Pic (b) weist d'Ionenstrahl Sputtering-assistéiert Oflagerung, déi och als Duebel-Ionstrahl-Sputtering Oflagerung bekannt ass, an deem d'Zil aus Ionenstrahl-Sputtering Beschichtungsmaterial gemaach gëtt, d'Sputterprodukter als Quell benotzt ginn.Wärend et op de Substrat deposéiert gëtt, gëtt Ionestrahl-Sputtering assistéiert Oflagerung duerch Bestralung mat enger anerer Ionequell erreecht.De Virdeel vun dëser Method ass datt d'Sputterpartikel selwer eng gewëssen Energie hunn, sou datt et besser Adhäsioun mam Substrat gëtt;all Bestanddeel vum Zil kann sputtered Beschichtung ginn, awer och kann Reaktiounssputtering an de Film sinn, einfach d'Zesummesetzung vum Film unzepassen, awer seng Oflagerungseffizienz ass niddereg, d'Zil ass deier an et gi Probleemer wéi selektiv Sputtering.
Post Zäit: Nov-08-2022