① ການຄວບຄຸມທີ່ດີແລະເຮັດເລື້ມຄືນຂອງຄວາມຫນາຂອງຮູບເງົາ
ບໍ່ວ່າຄວາມຫນາຂອງຮູບເງົາສາມາດຄວບຄຸມໄດ້ຕາມຄ່າທີ່ກໍານົດໄວ້ກ່ອນເອີ້ນວ່າການຄວບຄຸມຄວາມຫນາຂອງຮູບເງົາ.ຄວາມຫນາຂອງຟິມທີ່ຕ້ອງການສາມາດເຮັດຊ້ໍາໄດ້ຫຼາຍຄັ້ງ, ເຊິ່ງເອີ້ນວ່າຄວາມຫນາຂອງຟິມ repeatability. ເນື່ອງຈາກວ່າກະແສໄຟຟ້າໄຫຼແລະເປົ້າຫມາຍຂອງການເຄືອບສູນຍາກາດ sputtering ສາມາດຄວບຄຸມແຍກຕ່າງຫາກ.ດັ່ງນັ້ນ, ຄວາມຫນາຂອງຮູບເງົາ sputtered ແມ່ນສາມາດຄວບຄຸມໄດ້, ແລະຮູບເງົາທີ່ມີຄວາມຫນາ predetermined ສາມາດຖືກຝາກໄວ້ທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້.ນອກຈາກນັ້ນ, ການເຄືອບ sputter ສາມາດໄດ້ຮັບຮູບເງົາທີ່ມີຄວາມຫນາເປັນເອກະພາບໃນດ້ານຂະຫນາດໃຫຍ່.
② ການຍຶດເກາະທີ່ເຂັ້ມແຂງລະຫວ່າງຮູບເງົາແລະຊັ້ນໃຕ້ດິນ
ພະລັງງານຂອງປະລໍາມະນູ sputtered ແມ່ນ 1-2 ຄໍາສັ່ງຂອງ magnitude ສູງກວ່າປະລໍາມະນູ evaporated.ການປ່ຽນພະລັງງານຂອງປະລໍາມະນູ sputtered ພະລັງງານສູງທີ່ຝາກໄວ້ເທິງ substrate ແມ່ນສູງກວ່າຫຼາຍຂອງປະລໍາມະນູ evaporated, ເຊິ່ງສ້າງຄວາມຮ້ອນສູງແລະເສີມຂະຫຍາຍການຍຶດຫມັ້ນລະຫວ່າງປະລໍາມະນູ sputtered ກັບ substrate ໄດ້.ນອກຈາກນັ້ນ, ບາງປະລໍາມະນູ sputtered ພະລັງງານສູງຜະລິດລະດັບທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງການສີດ, ປະກອບເປັນຊັ້ນ pseudodiffusion ເທິງ substrate.ນອກຈາກນັ້ນ, substrate ໄດ້ຖືກອະນາໄມສະເຫມີແລະກະຕຸ້ນຢູ່ໃນພາກພື້ນ plasma ໃນລະຫວ່າງການຂະບວນການກອບເປັນຈໍານວນຮູບເງົາ, ເຊິ່ງເອົາປະລໍາມະນູ sputtering ທີ່ມີການຍຶດຫມັ້ນທີ່ອ່ອນແອ, ແລະ purify ແລະ activates ພື້ນຜິວ substrate ໄດ້.ເພາະສະນັ້ນ, ຮູບເງົາ sputtered ມີຄວາມຍຶດຫມັ້ນທີ່ເຂັ້ມແຂງກັບ substrate ໄດ້.
③ ຮູບເງົາວັດສະດຸໃຫມ່ທີ່ແຕກຕ່າງຈາກເປົ້າຫມາຍສາມາດກະກຽມ
ຖ້າອາຍແກັສ reactive ໄດ້ຖືກນໍາສະເຫນີໃນລະຫວ່າງການ sputtering ເພື່ອເຮັດໃຫ້ມັນ react ກັບເປົ້າຫມາຍດັ່ງກ່າວ, ຮູບເງົາວັດສະດຸໃຫມ່ທີ່ແຕກຕ່າງຈາກເປົ້າຫມາຍສາມາດໄດ້ຮັບ.ສໍາລັບຕົວຢ່າງ, ຊິລິໂຄນຖືກນໍາໃຊ້ເປັນເປົ້າຫມາຍຂອງ sputtering, ແລະອົກຊີເຈນແລະ argon ໄດ້ຖືກໃສ່ເຂົ້າໄປໃນຫ້ອງສູນຍາກາດຮ່ວມກັນ.ຫຼັງຈາກ sputtering, ຮູບເງົາ insulating SiOz ສາມາດໄດ້ຮັບ.ການນໍາໃຊ້ titanium ເປັນເປົ້າຫມາຍ sputtering, ໄນໂຕຣເຈນແລະ argon ໄດ້ຖືກໃສ່ເຂົ້າໄປໃນຫ້ອງສູນຍາກາດຮ່ວມກັນ, ແລະໄລຍະ TiN ຮູບເງົາຄ້າຍຄືຄໍາສາມາດໄດ້ຮັບຫຼັງຈາກ sputtering.
④ ຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະມີຄຸນນະພາບດີຂອງຮູບເງົາ
ເນື່ອງຈາກບໍ່ມີອົງປະກອບຂອງ crucible ໃນອຸປະກອນການກະກຽມຮູບເງົາ sputtering, ອົງປະກອບຂອງອຸປະກອນການເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ crucible ຈະບໍ່ຖືກປະສົມໃນຊັ້ນຮູບເງົາ sputtering.ຂໍ້ເສຍຂອງການເຄືອບ sputtering ແມ່ນວ່າຄວາມໄວການສ້າງຮູບເງົາແມ່ນຊ້າກວ່າການເຄືອບ evaporation, ອຸນຫະພູມ substrate ສູງ, ມັນງ່າຍທີ່ຈະໄດ້ຮັບຜົນກະທົບຈາກອາຍແກັສ impurity, ແລະໂຄງສ້າງອຸປະກອນແມ່ນສະລັບສັບຊ້ອນຫຼາຍ.
ບົດຄວາມນີ້ໄດ້ຖືກຈັດພີມມາໂດຍ Guangdong Zhenhua, ຜູ້ຜະລິດຂອງອຸປະກອນການເຄືອບສູນຍາກາດ
ເວລາປະກາດ: 09-09-2023