ຍິນ​ດີ​ຕ້ອນ​ຮັບ Guangdong Zhenhua Technology Co., Ltd.
single_banner

ເທັກໂນໂລຍີການເຄືອບ Magnetron sputtering ແລະ cathodic multi-arc ion coating technology

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: Zhenhua ສູນຍາກາດ
ອ່ານ: 10
ຈັດພີມມາ: 22-11-08

ອຸປະກອນການເຄືອບອົງປະກອບຂອງ sputtering magnetron ແລະ cathodic multi-arc ion coating ສາມາດເຮັດວຽກແຍກຕ່າງຫາກແລະພ້ອມໆກັນ;ສາ​ມາດ​ໄດ້​ຮັບ​ການ​ຝາກ​ແລະ​ການ​ກະ​ກຽມ​ຮູບ​ເງົາ​ໂລ​ຫະ​ບໍ​ລິ​ສຸດ​, ຮູບ​ເງົາ​ປະ​ສົມ​ໂລ​ຫະ​ຫຼື​ຮູບ​ເງົາ​ປະ​ສົມ​;ສາມາດເປັນຊັ້ນດຽວຂອງຟິມແລະແຜ່ນປະສົມຫຼາຍຊັ້ນ.

ຂໍ້​ດີ​ຂອງ​ມັນ​ດັ່ງ​ຕໍ່​ໄປ​ນີ້​:
ມັນບໍ່ພຽງແຕ່ປະສົມປະສານຄວາມໄດ້ປຽບຂອງການເຄືອບ ion ຕ່າງໆແລະຄໍານຶງເຖິງການກະກຽມແລະການຝາກຂອງຮູບເງົາບາງໆສໍາລັບຂົງເຂດຕ່າງໆຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ, ແຕ່ຍັງອະນຸຍາດໃຫ້ການຝາກແລະການກະກຽມຂອງຮູບເງົາ monolithic ຫຼາຍຊັ້ນຫຼືຮູບເງົາປະສົມຫຼາຍຊັ້ນໃນສູນຍາກາດດຽວກັນ. ສະພາການເຄືອບໃນເວລາດຽວ.
ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ຂອງ​ຊັ້ນ​ຮູບ​ເງົາ​ທີ່​ຝາກ​ມາ​ໄດ້​ຖືກ​ນໍາ​ໃຊ້​ຢ່າງ​ກວ້າງ​ຂວາງ​ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​ຂອງ​ຕົນ​ແມ່ນ​ຢູ່​ໃນ​ຫຼາຍ​ຮູບ​ແບບ​, ໂດຍ​ປົກ​ກະ​ຕິ​ດັ່ງ​ຕໍ່​ໄປ​ນີ້​:
(1) ທາດປະສົມຂອງ sputtering magnetron ທີ່ບໍ່ສົມດຸນແລະເຕັກໂນໂລຊີການເຄືອບ cathodic ion.
ອຸປະກອນຂອງມັນແມ່ນສະແດງໃຫ້ເຫັນດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້.ມັນເປັນອຸປະກອນການເຄືອບປະສົມຂອງ columnar magnetron ເປົ້າຫມາຍແລະ planar cathodic arc ion coating, ທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບທັງສອງເຄື່ອງມືການເຄືອບຮູບເງົາປະສົມແລະການເຄືອບຮູບເງົາຕົກແຕ່ງ.ສໍາລັບການເຄືອບເຄື່ອງມື, ການເຄືອບ cathodic arc ion ຖືກນໍາໃຊ້ຄັ້ງທໍາອິດສໍາລັບການເຄືອບຊັ້ນພື້ນຖານ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນເປົ້າຫມາຍ magnetron ຖັນແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບການ deposition ຂອງ nitride ແລະຊັ້ນຮູບເງົາອື່ນໆເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຮູບເງົາດ້ານເຄື່ອງມືປະມວນຜົນຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ.
ສໍາລັບການເຄືອບຕົກແຕ່ງ, ຮູບເງົາຕົກແຕ່ງ TiN ແລະ ZrN ສາມາດຖືກຝາກໄວ້ໂດຍການເຄືອບ cathodic arc ທໍາອິດ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນ doped ກັບໂລຫະໂດຍໃຊ້ເປົ້າຫມາຍ magnetron, ແລະຜົນກະທົບ doping ແມ່ນດີຫຼາຍ.

(2) ການປະສົມຂອງຍົນຄູ່ແຝດ magnetron ແລະຖັນ cathode arc ion ເຕັກນິກການເຄືອບ.ອຸ​ປະ​ກອນ​ສະ​ແດງ​ໃຫ້​ເຫັນ​ດັ່ງ​ຕໍ່​ໄປ​ນີ້​.ມັນຖືກນໍາໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີເປົ້າຫມາຍຄູ່ແຝດທີ່ກ້າວຫນ້າ, ເມື່ອເປົ້າຫມາຍຄູ່ແຝດສອງຂ້າງທີ່ເຊື່ອມຕໍ່ກັນກັບການສະຫນອງພະລັງງານຄວາມຖີ່ຂະຫນາດກາງ, ມັນບໍ່ພຽງແຕ່ເອົາຊະນະການເປັນພິດຂອງ DC sputtering, ໄຟແລະຂໍ້ບົກຜ່ອງອື່ນໆ;ແລະສາມາດຝາກ Al203, SiO2 oxide ຮູບເງົາທີ່ມີຄຸນນະພາບ, ດັ່ງນັ້ນການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງພາກສ່ວນທີ່ເຄືອບໄດ້ເພີ່ມຂຶ້ນແລະປັບປຸງ.Columnar multi-arc ເປົ້າຫມາຍທີ່ຕິດຕັ້ງຢູ່ໃນສູນກາງຂອງຫ້ອງສູນຍາກາດ, ອຸປະກອນການເປົ້າຫມາຍດັ່ງກ່າວສາມາດນໍາໃຊ້ Ti ແລະ Zr, ບໍ່ພຽງແຕ່ຮັກສາຄວາມໄດ້ປຽບຂອງອັດຕາການ dissociation ຫຼາຍ arc ສູງ, ອັດຕາເງິນຝາກ, ແຕ່ຍັງປະສິດທິພາບສາມາດຫຼຸດຜ່ອນ " droplets "ໃນ. ຂະ​ບວນ​ການ​ຂອງ​ຍົນ​ຂະ​ຫນາດ​ນ້ອຍ​ຫຼາຍ arc deposition ເປົ້າ​ຫມາຍ​, ສາ​ມາດ​ຝາກ​ແລະ​ກະ​ກຽມ porosity ຕ​່​ໍ​າ​ຂອງ​ຮູບ​ເງົາ​ໂລ​ຫະ​, ຮູບ​ເງົາ​ປະ​ສົມ​.ຖ້າ Al ແລະ Si ຖືກນໍາໃຊ້ເປັນວັດສະດຸເປົ້າຫມາຍສໍາລັບເປົ້າຫມາຍ magnetron ຄູ່ແຝດທີ່ຕິດຕັ້ງຢູ່ຂ້າງຄຽງ, Al203 ຫຼື Si0 ຮູບເງົາໂລຫະ-ceramic ສາມາດຝາກແລະກະກຽມ.ນອກຈາກນັ້ນ, ຍົນຂະຫນາດນ້ອຍຫຼາຍຂອງແຫຼ່ງ evaporation ຫຼາຍ arc ສາມາດຖືກຕິດຕັ້ງຢູ່ຂ້າງຄຽງ, ແລະວັດສະດຸເປົ້າຫມາຍຂອງມັນສາມາດເປັນ Cr ຫຼື Ni, ແລະຮູບເງົາໂລຫະແລະແຜ່ນ multilayer ປະສົມສາມາດຖືກຝາກແລະກະກຽມ.ດັ່ງນັ້ນ, ເຕັກໂນໂລຍີການເຄືອບປະສົມນີ້ແມ່ນເຕັກໂນໂລຊີການເຄືອບປະສົມທີ່ມີການນໍາໃຊ້ຫຼາຍ.


ເວລາປະກາດ: ເດືອນພະຈິກ-08-2022