1. Навакуумска облога за испарувањепроцесот вклучува испарување на филмските материјали, транспорт на атоми на пареа во висок вакуум и процес на нуклеација и раст на атоми на пареа на површината на работното парче.
2. Степенот на вакуум на таложење на вакуумската испарувачка обвивка е висок, генерално 10-510-3Слободниот пат на молекулите на гасот е 1~10m ред на големина, што е многу поголемо од растојанието од изворот на испарување до работното парче, ова растојание се нарекува растојание на испарување, генерално 300~800mm.Честичките на облогата тешко се судираат со молекулите на гасот и атоми на пареа и стигнуваат до работното парче.
3. Слојот за обложување со испарување со вакуум не е намотан, а атомите на пареа одат директно до работното парче под висок вакуум.Само страната свртена кон изворот на испарување на работното парче може да го добие филмскиот слој, а страната и задната страна на работното парче тешко можат да го добијат слојот на филмот, а слојот на филмот има слаба позлата.
4. Енергијата на честичките на слојот за обложување со вакуум испарување е ниска, а енергијата што доаѓа до работното парче е топлинската енергија што ја носи испарувањето.Бидејќи работното парче не е пристрасно за време на облогата со испарување со вакуум, металните атоми се потпираат само на топлината на испарувањето за време на испарувањето, температурата на испарување е 1000~2000 °C, а енергијата што се носи е еквивалентна на 0,1~0,2eV, така што енергијата на честичките на филмот се мали, силата на поврзување помеѓу филмскиот слој и матрицата е мала и тешко е да се формира сложена обвивка.
5. Вакуумскиот слој за обложување со испарување има фина структура.Процесот на вакуумско испарување се формира под висок вакуум, а честичките на филмот во пареата се во основа атомски, формирајќи ситно јадро на површината на работното парче.
Време на објавување: Јуни-14-2023 година