Apakah faktor yang mempengaruhi keracunan sasaran dalam magnetron sputtering？

1, Pembentukan sebatian logam pada permukaan sasaran
Di manakah sebatian yang terbentuk dalam proses membentuk sebatian daripada permukaan sasaran logam melalui proses sputtering reaktif?Oleh kerana tindak balas kimia antara zarah gas reaktif dan atom permukaan sasaran menghasilkan atom kompaun, yang biasanya eksotermik, haba tindak balas mesti mempunyai cara untuk dijalankan, jika tidak, tindak balas kimia tidak dapat diteruskan.Di bawah keadaan vakum, pemindahan haba antara gas tidak mungkin, jadi tindak balas kimia mesti berlaku pada permukaan pepejal.Reaksi sputtering menghasilkan sebatian pada permukaan sasaran, permukaan substrat dan permukaan struktur lain.Menjana sebatian pada permukaan substrat adalah matlamat, menghasilkan sebatian pada permukaan struktur lain adalah pembaziran sumber, dan menghasilkan sebatian pada permukaan sasaran bermula sebagai sumber atom sebatian dan menjadi penghalang untuk terus menyediakan lebih banyak atom sebatian.

2, Faktor kesan keracunan sasaran
Faktor utama yang mempengaruhi keracunan sasaran ialah nisbah gas tindak balas dan gas sputtering, gas tindak balas terlalu banyak akan membawa kepada keracunan sasaran.Proses sputtering reaktif dijalankan di kawasan saluran sputtering permukaan sasaran kelihatan dilindungi oleh sebatian tindak balas atau sebatian tindak balas dilucutkan dan permukaan logam terdedah semula.Jika kadar penjanaan kompaun lebih besar daripada kadar pelucutan kompaun, kawasan liputan kompaun bertambah.Pada kuasa tertentu, jumlah gas tindak balas yang terlibat dalam penjanaan kompaun meningkat dan kadar penjanaan kompaun meningkat.Jika jumlah gas tindak balas meningkat secara berlebihan, kawasan liputan kompaun bertambah.Dan jika kadar aliran gas tindak balas tidak dapat diselaraskan dalam masa, kadar peningkatan kawasan liputan kompaun tidak ditindas, dan saluran sputtering akan terus dilindungi oleh kompaun, apabila sasaran sputtering dilindungi sepenuhnya oleh kompaun, sasaran adalah diracun sepenuhnya.

3, fenomena keracunan sasaran
(1) pengumpulan ion positif: apabila keracunan sasaran, lapisan filem penebat akan terbentuk pada permukaan sasaran, ion positif mencapai permukaan sasaran katod kerana penyumbatan lapisan penebat.Tidak secara langsung memasuki permukaan sasaran katod, tetapi terkumpul pada permukaan sasaran, mudah untuk menghasilkan medan sejuk kepada pelepasan arka - arka, supaya sputtering katod tidak dapat diteruskan.
(2) kehilangan anod: apabila keracunan sasaran, dinding ruang vakum dibumikan juga didepositkan filem penebat, mencapai elektron anod tidak boleh memasuki anod, pembentukan fenomena kehilangan anod.

4, Penjelasan fizikal keracunan sasaran
(1) Secara amnya, pekali pelepasan elektron sekunder bagi sebatian logam adalah lebih tinggi daripada logam.Selepas keracunan sasaran, permukaan sasaran adalah semua sebatian logam, dan selepas dibombardir oleh ion, bilangan elektron sekunder yang dilepaskan meningkat, yang meningkatkan kekonduksian ruang dan mengurangkan impedans plasma, membawa kepada voltan sputtering yang lebih rendah.Ini mengurangkan kadar sputtering.Secara amnya voltan sputtering magnetron sputtering adalah antara 400V-600V, dan apabila keracunan sasaran berlaku, voltan sputtering berkurangan dengan ketara.
(2) Sasaran logam dan sasaran kompaun pada asalnya kadar sputtering adalah berbeza, secara amnya pekali sputtering logam adalah lebih tinggi daripada pekali sputtering kompaun, jadi kadar sputtering adalah rendah selepas keracunan sasaran.
(3) Kecekapan sputtering gas sputtering reaktif pada asalnya lebih rendah daripada kecekapan sputtering gas lengai, jadi kadar sputtering komprehensif berkurangan selepas perkadaran gas reaktif meningkat.

5, Penyelesaian untuk keracunan sasaran
(1) Gunakan bekalan kuasa frekuensi sederhana atau bekalan kuasa frekuensi radio.
(2) Gunakan kawalan gelung tertutup aliran masuk gas tindak balas.
(3) Mengamalkan sasaran berkembar
(4) Kawal perubahan mod salutan: Sebelum salutan, lengkung kesan histerisis keracunan sasaran dikumpulkan supaya aliran udara masuk dikawal di hadapan menghasilkan keracunan sasaran untuk memastikan proses sentiasa dalam mod sebelum pemendapan kadar turun dengan mendadak.

–Artikel ini diterbitkan oleh Guangdong Zhenhua Technology, pengeluar peralatan salutan vakum.