1、Ciri salutan sputter
Berbanding dengan salutan penyejatan vakum konvensional, salutan sputtering mempunyai ciri-ciri berikut:
(1) Mana-mana bahan boleh terpercik, terutamanya takat lebur yang tinggi, unsur tekanan wap rendah dan sebatian.Selagi ia adalah pepejal, sama ada ia adalah logam, semikonduktor, penebat, sebatian dan campuran, dan lain-lain, sama ada ia adalah blok, bahan berbutir boleh digunakan sebagai bahan sasaran.Memandangkan sedikit penguraian dan pecahan berlaku apabila bahan penebat terpercik dan aloi seperti oksida, ia boleh digunakan untuk menyediakan filem nipis dan filem aloi dengan komponen seragam serupa dengan bahan sasaran, dan juga filem superkonduktor dengan komposisi kompleks.´ Di samping itu, kaedah sputtering reaktif juga boleh digunakan untuk menghasilkan filem sebatian yang sama sekali berbeza daripada bahan sasaran, seperti oksida, nitrida, karbida dan silisid.
(2) Lekatan yang baik antara filem terpercik dan substrat.Memandangkan tenaga atom terpercik adalah 1-2 susunan magnitud lebih tinggi daripada atom tersejat, penukaran tenaga zarah tenaga tinggi yang dimendapkan pada substrat menjana tenaga haba yang lebih tinggi, yang meningkatkan lekatan atom terpercik pada substrat.Sebahagian daripada atom terpercik bertenaga tinggi akan disuntik pada tahap yang berbeza-beza, membentuk lapisan pseudo-difusi yang dipanggil pada substrat di mana atom terpercik dan atom bahan substrat "bercampur" antara satu sama lain.Di samping itu, semasa pengeboman zarah terpercik, substrat sentiasa dibersihkan dan diaktifkan dalam zon plasma, yang menghilangkan atom termendakan yang tidak dipatuhi, memurnikan dan mengaktifkan permukaan substrat.Akibatnya, lekatan lapisan filem terpercik pada substrat sangat dipertingkatkan.
(3) Ketumpatan tinggi salutan sputter, kurang lubang jarum, dan ketulenan lapisan filem yang lebih tinggi kerana tiada pencemaran crucible, yang tidak dapat dielakkan dalam pemendapan wap vakum semasa proses salutan sputter.
(4) Kebolehkawalan yang baik dan kebolehulangan ketebalan filem.Oleh kerana arus nyahcas dan arus sasaran boleh dikawal secara berasingan semasa salutan sputter, ketebalan filem boleh dikawal dengan mengawal arus sasaran, oleh itu, kebolehkawalan ketebalan filem dan kebolehulangan ketebalan filem dengan pelbagai sputtering salutan sputter adalah baik. , dan filem dengan ketebalan yang telah ditetapkan boleh disalut dengan berkesan.Di samping itu, salutan sputter boleh mendapatkan ketebalan filem seragam di kawasan yang luas.Walau bagaimanapun, untuk teknologi salutan sputter am (terutamanya sputtering dipole), peralatan adalah rumit dan memerlukan peranti tekanan tinggi;kelajuan pembentukan filem pemendapan sputter adalah rendah, kadar pemendapan sejatan vakum ialah 0.1~5nm/min, manakala kadar sputtering ialah 0.01~0.5nm/min;kenaikan suhu substrat adalah tinggi dan terdedah kepada gas kekotoran, dsb. Walau bagaimanapun, disebabkan oleh perkembangan teknologi sputtering RF dan magnetron sputtering, kemajuan besar telah diperolehi dalam mencapai pemendapan sputtering pantas dan mengurangkan suhu substrat.Selain itu, dalam beberapa tahun kebelakangan ini, kaedah salutan sputter baharu sedang disiasat - berdasarkan sputtering magnetron planar - untuk meminimumkan tekanan udara sputtering sehingga sputtering tekanan sifar di mana tekanan gas pengambilan semasa sputtering akan menjadi sifar.
Masa siaran: Nov-08-2022