လေဟာနယ်အငွေ့ပျံခြင်းဆိုင်ရာ အလွှာနည်းပညာကို မိတ်ဆက်ခြင်း။

2၊ ရေငွေ့ပျံအပူပေးခြင်း

(၁) အပူအငွေ့ပျံခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
ခံနိုင်ရည်ရှိသော အပူငွေ့ပျံခြင်းသည် အရိုးရှင်းဆုံးနှင့် အသုံးအများဆုံး အပူပေးနည်းလမ်းဖြစ်ပြီး ယေဘုယျအားဖြင့် 1500 ℃အောက် အရည်ပျော်မှတ်ရှိသော အလွှာဆိုင်ရာပစ္စည်းများ၊ ဝါယာကြိုး သို့မဟုတ် စာရွက်ပုံသဏ္ဍာန်ရှိ အရည်ပျော်မှတ်မြင့်မားသော သတ္တုများ (W, Mo, Ti, Ta, boron nitride စသည်) တို့ဖြစ်သည်။ များသောအားဖြင့် အငွေ့ပျံခြင်းအရင်းအမြစ်၏ သင့်လျော်သောပုံသဏ္ဍာန်တစ်ခုအဖြစ် ပြုလုပ်ထားပြီး အငွေ့ပျံသည့်ပစ္စည်းများဖြင့် တင်ဆောင်ကာ၊ လျှပ်စီးကြောင်း၏ Joule အပူမှတဆင့် ပလပ်စတစ်ပစ္စည်းကို အရည်ပျော်ရန်၊ အငွေ့ပျံခြင်း သို့မဟုတ် သိမ်မွေ့စေခြင်း၊ ရေငွေ့ပျံခြင်းအရင်းအမြစ်၏ပုံသဏ္ဍာန်တွင် အဓိကအားဖြင့် ကြိုးမျှင်များစွာပါဝင်သည့် ခရုပတ်၊ U-shaped၊ sine wave၊ ပါးလွှာသောပန်းကန်၊ လှေ၊ cone ခြင်းတောင်း စသည်တို့သည် တစ်ချိန်တည်းတွင်၊ နည်းလမ်းသည် မြင့်မားသော အရည်ပျော်မှတ်ရှိရန်၊ ရွှဲရွှဲသောအငွေ့ဖိအား၊ တည်ငြိမ်သောဓာတုဂုဏ်သတ္တိရှိရန်၊ မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် အပေါ်ယံပစ္စည်းနှင့် ဓာတုတုံ့ပြန်မှုမရှိစေရန်၊ ကောင်းသောအပူခံနိုင်ရည်၊ ပါဝါသိပ်သည်းဆအနည်းငယ်ပြောင်းလဲမှုစသည်ဖြင့် ၎င်းသည် တိုက်ရိုက်အပူပေးခြင်းဖြင့် ဖလင်ပစ္စည်းကို အပူပေးပြီး အငွေ့ပျံစေရန် သို့မဟုတ် ဖလင်ပစ္စည်းကို ဂရပ်ဖိုက်ဖြင့်ပြုလုပ်ထားပြီး အချို့သောမြင့်မားသောအပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသော မြင့်မားသောအပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသော အငွေ့ပျံသည့်ရင်းမြစ်မှတဆင့် မြင့်မားသောလျှပ်စီးကြောင်းကို လက်ခံပါသည်။ အငွေ့ပျံစေရန် သွယ်ဝိုက်အပူပေးရန်အတွက် သတ္တုအောက်ဆိုဒ်များ (ဥပမာ A202၊ B0) နှင့် အခြားပစ္စည်းများ။
အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိသော အငွေ့ပျံခြင်းအပေါ်ယံပိုင်းတွင် ကန့်သတ်ချက်များရှိသည်- သတ္တုဓါတ်များသည် ပါးလွှာသောဖလင်ပြုလုပ်ရန်ခက်ခဲသော အခိုးအငွေ့ဖိအားနည်းသော၊အချို့သောဒြပ်စင်များသည် အပူဝါယာကြိုးဖြင့် အလွိုင်းပြုလုပ်ရန် လွယ်ကူပါသည်။သတ္တုစပ်ဖလင်၏ တူညီသောဖွဲ့စည်းမှုတစ်ခုရရန် မလွယ်ကူပါ။ရိုးရှင်းသောဖွဲ့စည်းပုံ၊ စျေးနှုန်းချိုသာပြီး ခံနိုင်ရည်ရှိအပူပေးခြင်း အငွေ့ပျံခြင်းနည်းလမ်းကို လွယ်ကူစွာလုပ်ဆောင်နိုင်ခြင်းကြောင့် ၎င်းသည် ရေငွေ့ပျံခြင်းနည်းလမ်း၏ အလွန်အသုံးများသောအသုံးချမှုတစ်ခုဖြစ်သည်။

(၂) Electron beam အပူငွေ့ပျံခြင်း။
အီလက်ထရွန် အလင်းတန်းများ ရေငွေ့ပျံခြင်း သည် ရေအေးပေးထားသော ကြေးနီဇိမ်ခံ တွင် ထားခြင်းဖြင့် ၎င်းကို စွမ်းအင်မြင့် အီလက်ထရွန် အလင်းတန်း ဖြင့် ဗုံးကြဲခြင်းဖြင့် အပေါ်ယံ ပစ္စည်းကို အငွေ့ပျံ စေသည့် နည်းလမ်း တစ်ခု ဖြစ်သည်။အငွေ့ပျံခြင်း အရင်းအမြစ်တွင် အီလက်ထရွန် ထုတ်လွှတ်မှု အရင်းအမြစ်၊ အီလက်ထရွန် အရှိန်မြှင့် ပါဝါရင်းမြစ်၊ Crucible (များသောအားဖြင့် ကြေးနီပိုက်ကွန်)၊ သံလိုက်စက်ကွင်း ကွိုင် နှင့် အအေးခံရေအစုံ စသည်တို့ ပါဝင်ပါသည်။ ဤကိရိယာတွင် အပူပေးထားသော ပစ္စည်းကို ရေထဲတွင် ထားရှိပါသည်။ -cooled crucible နှင့် electron beam သည် ပစ္စည်း၏ အလွန်သေးငယ်သော အစိတ်အပိုင်းကိုသာ ဗုံးကြဲနိုင်ပြီး ကျန်ပစ္စည်းအများစုသည် crucible ၏ cooling effect အောက်တွင် အလွန်နိမ့်သော အပူချိန်တွင် ရှိနေကာ၊ crucible ၏ ဗုံးကြဲထားသော အစိတ်အပိုင်းအဖြစ် မှတ်ယူနိုင်ပါသည်။ထို့ကြောင့် အငွေ့ပျံခြင်းအတွက် အီလက်ထရွန်အလင်းအပူပေးခြင်းနည်းလမ်းသည် အပေါ်ယံပစ္စည်းနှင့် အငွေ့ပျံခြင်းအရင်းအမြစ်ပစ္စည်းကြားတွင် ညစ်ညမ်းမှုကို ရှောင်ရှားနိုင်မည်ဖြစ်သည်။
အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည်ငွေ့ပျံခြင်းအရင်းအမြစ်၏ဖွဲ့စည်းပုံအား အမျိုးအစားသုံးမျိုးခွဲခြားနိုင်သည်- အဖြောင့်သေနတ်များ (Boules guns)၊ ring guns (လျှပ်စစ်ဖြင့် ကွဲလွဲနေသော) နှင့် e-guns (သံလိုက်ဖြင့် ကွဲထွက်သွားသည်)။တစ်ခု သို့မဟုတ် တစ်ခုထက်ပိုသော Crucible များကို အငွေ့ပျံနိုင်သော စက်ရုံတစ်ခုတွင် ထားရှိနိုင်ပြီး မတူညီသော အရာများစွာကို တစ်ပြိုင်နက် သို့မဟုတ် သီးခြားစီ အပ်နှံနိုင်သည်။

အီလက်ထရွန် အလင်းတန်းများ ရေငွေ့ပျံခြင်း အရင်းအမြစ်များသည် အောက်ပါ အားသာချက်များ ရှိသည်။
① Electron beam ဗုံးကြဲခြင်း ရေငွေ့ပျံခြင်း အရင်းအမြစ်၏ မြင့်မားသော အလင်းတန်းသိပ်သည်းဆသည် W, Mo, Al2O3, စသည်တို့ကဲ့သို့ အရည်ပျော်မှတ်မြင့်ပစ္စည်းများဖြစ်သည့် W, Mo, Al2O3 စသည်တို့ကို အငွေ့ပျံနိုင်သော ခံနိုင်ရည်ရှိ အပူပေးရင်းမြစ်ထက် စွမ်းအင်သိပ်သည်းဆ ပိုမိုများပြားစွာ ရရှိနိုင်သည်။
② အပေါ်ယံပစ္စည်းကို ရေအေးပေးထားသော ကြေးနီအိမ်အတွင်းတွင် ထားရှိထားပြီး၊ ၎င်းတို့ကြားမှ တုံ့ပြန်မှုအား အငွေ့ပျံခြင်းမှ ကင်းဝေးစေပါသည်။
③အပူကို အပေါ်ယံပစ္စည်း၏ မျက်နှာပြင်သို့ တိုက်ရိုက်ထည့်နိုင်သည်၊ ၎င်းသည် အပူ၏ထိရောက်မှုကို မြင့်မားစေပြီး အပူကူးယူမှု ဆုံးရှုံးမှုနှင့် အပူဓါတ်များ နည်းပါးစေသည်။
အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည် အပူငွေ့ပျံခြင်းနည်းလမ်း၏ အားနည်းချက်မှာ အီလက်ထရွန်သေနတ်မှ ပင်မအီလက်ထရွန်များနှင့် အပေါ်ယံပစ္စည်း၏မျက်နှာပြင်မှ ဒုတိယအီလက်ထရွန်များသည် အငွေ့ပျံနေသောအက်တမ်များနှင့် ကျန်ရှိသောဓာတ်ငွေ့မော်လီကျူးများကို တခါတရံတွင် ဖလင်၏အရည်အသွေးကို သက်ရောက်မှုရှိစေမည်ဖြစ်သည်။

(3) High frequency induction heating evaporation
ကြိမ်နှုန်းမြင့် induction heating evaporation သည် ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော ခရုပတ်ကွိုင်၏ အလယ်ဗဟိုတွင် crucible ကို coating material ဖြင့် ထားရန်ဖြစ်ပြီး၊ သို့မှသာ coating material သည် ပြင်းထန်သော eddy current နှင့် hysteresis effect ကိုဖြစ်ပေါ်စေသည့် ကြိမ်နှုန်းမြင့် လျှပ်စစ်သံလိုက်စက်ကွင်း၏ induction အောက်၌၊ ဖလင်အလွှာသည် အငွေ့ပျံပြီး အငွေ့ပျံသည်အထိ အပူပေးသည်။အငွေ့ပျံခြင်းအရင်းအမြစ်တွင် ယေဘုယျအားဖြင့် ရေအေးပေးထားသော ကြိမ်နှုန်းမြင့်ကွိုင်နှင့် ဂရပ်ဖိုက် သို့မဟုတ် ကြွေထည်များ (မဂ္ဂနီဆီယမ်အောက်ဆိုဒ်၊ အလူမီနီယမ်အောက်ဆိုဒ်၊ ဘိုရွန်အောက်ဆိုဒ်၊ စသည်) ပါဝင်သည်။မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းပါဝါထောက်ပံ့မှုသည် ကြိမ်နှုန်း တစ်သောင်းမှ သိန်းပေါင်းများစွာ Hz ကိုအသုံးပြုသည်၊၊ အဝင်ပါဝါသည် ကီလိုဝပ်များစွာမှ ရာဂဏန်းအထိ၊ အမြှေးပါးပစ္စည်း၏ ထုထည်သေးငယ်လေ၊ induction frequency မြင့်မားလေဖြစ်သည်။Induction coil ကြိမ်နှုန်းကို များသောအားဖြင့် ရေအေးကြေးနီပြွန်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။
ကြိမ်နှုန်းမြင့် induction heating evaporation နည်းလမ်း၏ အားနည်းချက်မှာ input power ကို ချိန်ညှိရန် မလွယ်ကူသောကြောင့်၊ ၎င်းတွင် အောက်ပါ အားသာချက်များရှိသည်။
① မြင့်မားသော အငွေ့ပျံနှုန်း
② အငွေ့ပျံခြင်းအရင်းအမြစ်၏ အပူချိန်သည် တစ်ပြေးညီဖြစ်ပြီး တည်ငြိမ်သောကြောင့် အပေါ်ယံအမှုန်အမွှားများ အက်ကွဲခြင်းဖြစ်စဉ်ကို ထုတ်လုပ်ရန် မလွယ်ကူသည့်အပြင် အပ်နှံထားသော ဖလင်တွင် အပေါက်များဖြစ်ပေါ်ခြင်းကိုလည်း ရှောင်ရှားနိုင်ပါသည်။
③အငွေ့ပျံခြင်းအရင်းအမြစ်ကို တစ်ကြိမ်တင်ဆောင်ပြီး အပူချိန်ကို ထိန်းချုပ်ရန် အတော်လေးလွယ်ကူပြီး ရိုးရှင်းပါသည်။