1၊ sputter coating ၏အင်္ဂါရပ်များ
သမားရိုးကျ ဖုန်စုပ်စက်အငွေ့ပျံသည့်အလွှာနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက၊ sputtering coating တွင် အောက်ပါအင်္ဂါရပ်များရှိသည်။
(၁) အထူးသဖြင့် အရည်ပျော်မှတ်မြင့်ခြင်း၊ အခိုးအငွေ့ဖိအားနည်းသော ဒြပ်စင်များနှင့် ဒြပ်ပေါင်းများကို ပေါက်ကွဲစေနိုင်သည်။အစိုင်အခဲဖြစ်သရွေ့၊ သတ္တု၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ လျှပ်ကာ၊ ဒြပ်ပေါင်းနှင့် အရောအနှောစသည်ဖြင့်၊ ဘလောက်တစ်ခုဖြစ်စေ၊ သေးငယ်သောပစ္စည်းဖြစ်စေ ပစ်မှတ်ပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။အောက်ဆိုဒ်ကဲ့သို့သော လျှပ်ကာပစ္စည်းများနှင့် သတ္တုစပ်ကဲ့သို့သော သတ္တုစပ်များကို sputtering ပြုလုပ်သောအခါတွင် အနည်းငယ်မျှသာ ကွဲအက်ခြင်းနှင့် အပိုင်းပိုင်းကွဲခြင်းများ ဖြစ်ပေါ်သောကြောင့်၊ ၎င်းတို့ကို ပစ်မှတ်ပစ္စည်းနှင့် ဆင်တူသော အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ဆင်တူသော သတ္တုစပ်ရုပ်ရှင်များကို ပြင်ဆင်ရာတွင် အသုံးပြုနိုင်ပြီး ရှုပ်ထွေးသော ပေါင်းစပ်ပါဝင်မှုရှိသော superconducting ရုပ်ရှင်များကိုပင် အသုံးပြုနိုင်သည်။´ ထို့အပြင်၊ အောက်ဆိုဒ်၊ နိုက်ထရိုက်၊ ကာဘိုဒ်နှင့် ဆီးဆေးများကဲ့သို့သော ပစ်မှတ်ပစ္စည်းများနှင့် လုံးဝကွဲပြားသော ဒြပ်ပေါင်းများ၏ ရုပ်ရှင်များကို ထုတ်လုပ်ရန် ဓာတ်ပြုမှု sputtering နည်းလမ်းကိုလည်း အသုံးပြုနိုင်သည်။
(၂) Sputtered Film နှင့် Substrate အကြား ကောင်းမွန်သော ကပ်ငြိခြင်း။sputtered အက်တမ်များ၏ စွမ်းအင်သည် အငွေ့ပျံသွားသော အက်တမ်များထက် ပြင်းအား 1-2 သာလွန်သောကြောင့်၊ အငွေ့ပျံသော အက်တမ်များထက် ပြင်းအား 1-2 ပမာဏ ပိုများသောကြောင့်၊ အငွေ့ပျံသော အက်တမ်များ၏ စွမ်းအင်အဖြစ် ပြောင်းလဲခြင်းသည် မြင့်မားသော စွမ်းအင်အမှုန်အမွှားများကို စွမ်းအင်အဖြစ် ထုတ်ပေးပြီး sputtered atoms များ၏ ကပ်ငြိမှုကို အားကောင်းစေပါသည်။Sputtered atoms နှင့် substrate material ၏ atoms တို့သည် တစ်ခုနှင့်တစ်ခု “miscible” ရှိသော အလွှာပေါ်တွင် pseudo-diffusion layer ဟုခေါ်သော စွမ်းအင်မြင့် sputtered အက်တမ်များ၏ အပိုင်းကို ဒီဂရီအမျိုးမျိုးသို့ ထိုးသွင်းမည်ဖြစ်ပါသည်။ထို့အပြင်၊ sputtering particles များကို ဗုံးကြဲစဉ်အတွင်း၊ အောက်စတမ်ကို ပလာစမာဇုန်တွင် အမြဲတမ်း သန့်စင်ပြီး အသက်သွင်းထားကာ၊ တွယ်ကပ်နေသော မိုးရေခံနိုင်သော အက်တမ်များကို ဖယ်ရှားပေးကာ အလွှာမျက်နှာပြင်ကို သန့်စင်ပေးပြီး အသက်ဝင်စေပါသည်။ရလဒ်အနေဖြင့်၊ sputtered film layer သည် substrate နှင့် adhesion အလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။
(၃) sputter coating ၏ သိပ်သည်းဆ မြင့်မားသော၊ အပေါက်များ နည်းပါးပြီး ဖလင်အလွှာ၏ သန့်စင်မှု မြင့်မားသောကြောင့် ဖလင်အလွှာ ညစ်ညမ်းမှု မရှိသောကြောင့်၊ လေဟာနယ်တွင် အခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်း ဖြစ်စဉ်တွင် ရှောင်လွှဲ၍မရပါ။
(၄) ဖလင်အထူကို ကောင်းမွန်စွာ ထိန်းချုပ်နိုင်မှု နှင့် ထပ်တလဲလဲ ပြုလုပ်နိုင်ခြင်း။discharge current နှင့် target current တို့ကို sputter coating တွင် သီးခြားစီ ထိန်းချုပ်ထားနိုင်သောကြောင့်၊ ပစ်မှတ် current ကို ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် ဖလင်အထူကို ထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး၊ ထို့ကြောင့်၊ ဖလင်အထူ၏ ထိန်းချုပ်နိုင်မှုနှင့် sputter coating အများအပြား sputtering ဖြင့် ဖလင်အထူကို ပြန်လည်ထုတ်လုပ်နိုင်မှုသည် ကောင်းမွန်ပါသည်။ နှင့် ကြိုတင်သတ်မှတ်ထားသော အထူ၏ ဖလင်ကို ထိထိရောက်ရောက် ဖုံးအုပ်နိုင်သည်။ထို့အပြင်၊ sputter coating သည် ကြီးမားသောဧရိယာအပေါ်မှ ယူနီဖောင်းဖလင်အထူကို ရယူနိုင်သည်။သို့သော်၊ ယေဘူယျ ရေပက်ခြင်းနည်းပညာ (အဓိကအားဖြင့် dipole sputtering) အတွက် စက်ပစ္စည်းသည် ရှုပ်ထွေးပြီး ဖိအားမြင့်ကိရိယာ လိုအပ်ပါသည်။sputter deposition ၏ ဖလင်ဖွဲ့စည်းမှု အရှိန်သည် နိမ့်သည်၊ လေဟာနယ် evaporation deposition rate သည် 0.1~5nm/min ဖြစ်ပြီး sputtering rate သည် 0.01~0.5nm/min ဖြစ်ပြီး၊အလွှာ၏အပူချိန်မြင့်တက်မှုသည် မြင့်မားပြီး အညစ်အကြေးဓာတ်ငွေ့များကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေပါသည်။ သို့သော်၊ RF sputtering နှင့် magnetron sputtering နည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကြောင့်၊ လျင်မြန်သော sputtering deposition ရရှိရန်နှင့် substrate temperature ကိုလျှော့ချရာတွင် ကြီးမားသောတိုးတက်မှုကို ရရှိခဲ့ပါသည်။ထို့အပြင်၊ မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း၊ sputtering တွင် intake gas ၏ဖိအား သုညဖြစ်မည့် sputtering လေဖိအားကို သုညအထိ လျှော့ချရန် planar magnetron sputtering ကို အခြေခံ၍ sputtering လေဖိအားကို လျှော့ချရန်အတွက် sputter coating နည်းလမ်းအသစ်များကို စူးစမ်းလေ့လာလျက်ရှိသည်။
ပို့စ်အချိန်- Nov-08-2022