Ionenbundelondersteunde afzettingstechnologie is in feite een composiettechnologie.Het is een techniek voor de behandeling van composietoppervlakte-ionen die ionenimplantatie en filmtechnologie voor fysieke dampafzetting combineert, en een nieuw type techniek voor het optimaliseren van het ionenbundeloppervlak.Naast de voordelen van fysische dampafzetting, kan deze techniek continu elke diktefilm laten groeien onder strengere controleomstandigheden, de kristalliniteit en oriëntatie van de filmlaag significant verbeteren, de hechtingssterkte van de filmlaag/substraat verhogen, de dichtheid verbeteren van de filmlaag en synthetiseren samengestelde films met ideale stoichiometrische verhoudingen bij bijna kamertemperatuur, inclusief nieuwe soorten films die niet kunnen worden verkregen bij kamertemperatuur en druk.Door ionenbundels ondersteunde depositie behoudt niet alleen de voordelen van het ionenimplantatieproces, maar kan het substraat ook bedekken met een volledig andere film dan het substraat.
Bij allerlei soorten fysieke dampafzetting en chemische dampafzetting kan een set hulpbombardement-ionenkanonnen worden toegevoegd om een IBAD-systeem te vormen, en er zijn twee algemene IBAD-processen als volgt, zoals weergegeven in de afbeelding:
Zoals getoond in Pic (a), wordt een elektronenbundelverdampingsbron gebruikt om de filmlaag te bestralen met de ionenbundel die wordt uitgezonden door het ionenkanon, waardoor ionenbundelondersteunde afzetting wordt gerealiseerd.Het voordeel is dat de energie en richting van de ionenbundel kunnen worden aangepast, maar dat slechts een enkele of beperkte legering of verbinding als verdampingsbron kan worden gebruikt, en dat elke dampdruk van de legeringscomponent en verbinding anders is, wat het moeilijk maakt om de filmlaag van de originele samenstelling van de verdampingsbron te verkrijgen.
Pic (b) toont de door ionenbundelsputteren ondersteunde afzetting, ook bekend als dubbele ionenbundelsputtering, waarbij het doel gemaakt van ionenbundelsputteringsbekledingsmateriaal, de sputterproducten, als bron wordt gebruikt.Tijdens het afzetten op het substraat wordt door ionenbundelverstuiving ondersteunde afzetting bereikt door bestraling met een andere ionenbron.Het voordeel van deze methode is dat de gesputterde deeltjes zelf een bepaalde energie hebben, waardoor er een betere hechting is met de ondergrond;elk onderdeel van het doel kan een sputtercoating zijn, maar het kan ook reactie-sputteren in de film zijn, gemakkelijk om de samenstelling van de film aan te passen, maar de afzettingsefficiëntie is laag, het doel is duur en er zijn problemen zoals selectief sputteren.
Posttijd: 08-nov-2022