ਖੋਖਲੇ ਕੈਥੋਡ ਆਇਨ ਕੋਟਿੰਗ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ

ਖੋਖਲੇ ਕੈਥੋਡ ਆਇਨ ਕੋਟਿੰਗ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਹੇਠ ਲਿਖੇ ਅਨੁਸਾਰ ਹੈ:

1、ਠੋਡੀ ਨੂੰ ਢਹਿਣ ਵਿੱਚ ਪਾਓ।

2, ਵਰਕਪੀਸ ਨੂੰ ਮਾਊਂਟ ਕਰਨਾ।

3、5×10-3Pa ਨੂੰ ਖਾਲੀ ਕਰਨ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਸਿਲਵਰ ਟਿਊਬ ਤੋਂ ਕੋਟਿੰਗ ਚੈਂਬਰ ਵਿੱਚ ਆਰਗਨ ਗੈਸ ਦਾਖਲ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਵੈਕਿਊਮ ਪੱਧਰ ਲਗਭਗ 100Pa ਹੈ।

4, ਪੱਖਪਾਤ ਦੀ ਸ਼ਕਤੀ ਨੂੰ ਚਾਲੂ ਕਰੋ।

5, ਖੋਖਲੇ ਕੈਥੋਡ ਡਿਸਚਾਰਜ ਨੂੰ ਜਗਾਉਣ ਲਈ ਚਾਪ ਪਾਵਰ ਨੂੰ ਚਾਲੂ ਕਰਨ ਤੋਂ ਬਾਅਦ। ਬਟਨ ਟਿਊਬ ਵਿੱਚ ਗਲੋ ਡਿਸਚਾਰਜ ਉਤਪੰਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਡਿਸਚਾਰਜ ਵੋਲਟੇਜ 800~ 1000V ਹੈ, ਚਾਪ-ਉਭਾਰ ਕਰੰਟ 30~ 50A ਹੈ। ਗਲੋ ਦੇ ਖੋਖਲੇ ਕੈਥੋਡ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੇ ਕਾਰਨ ਡਿਸਚਾਰਜ,ਹਾਈ ਗਲੋ ਡਿਸਚਾਰਜ ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ,ਚਾਂਦੀ ਦੀ ਟਿਊਬ ਵਿੱਚ ਚੂਹੇ ਦੇ ਆਇਨਾਂ ਦੀ ਉੱਚ ਘਣਤਾ ਵੈਨਟੇਜ ਟਿਊਬ ਦੀ ਕੰਧ ਨੂੰ ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਟਿਊਬ ਦੀ ਕੰਧ ਨੂੰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦੇ ਨਿਕਾਸ ਤੱਕ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਗਰਮ ਕਰੋ, ਗਲੋ ਡਿਸਚਾਰਜ ਤੋਂ ਡਿਸਚਾਰਜ ਮੋਡ ਅਚਾਨਕ ਬਦਲਦਾ ਹੈ ਚਾਪ ਡਿਸਚਾਰਜ, ਵੋਲਟੇਜ 40~ 70V ਹੈ, ਵਰਤਮਾਨ 80~ 300A ਹੈ। ਸਿਲਵਰ ਟਿਊਬ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ 2300K ਤੋਂ ਉੱਪਰ ਪਹੁੰਚਦਾ ਹੈ, ਇੰਕੈਨਡੇਸੈਂਟ, ਟਿਊਬ ਤੋਂ ਚਾਪ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਦੀ ਉੱਚ ਘਣਤਾ ਵਾਲੀ ਧਾਰਾ ਦਾ ਨਿਕਾਸ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਐਨੋਡ ਨੂੰ ਮਾਰਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

6、ਵੈਕਿਊਮ ਪੱਧਰ ਦਾ ਸਮਾਯੋਜਨ। ਖੋਖਲੇ ਕੈਥੋਡ ਗਨ ਤੋਂ ਗਲੋ ਡਿਸਚਾਰਜ ਲਈ ਵੈਕਿਊਮ ਪੱਧਰ ਲਗਭਗ 100 Pa ਹੈ, ਅਤੇ ਕੋਟਿੰਗ ਦੀ ਵੈਕਿਊਮ ਡਿਗਰੀ 8×10-1~2Pa ਹੈ। ਇਸਲਈ, ਚਾਪ ਡਿਸਚਾਰਜ ਦੇ ਇਗਨੀਸ਼ਨ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਆਉਣ ਵਾਲੇ ਆਰਗਨ ਨੂੰ ਘਟਾਓ। ਜਿੰਨੀ ਜਲਦੀ ਹੋ ਸਕੇ ਗੈਸ, ਵੈਕਿਊਮ ਪੱਧਰ ਨੂੰ ਕੋਟਿੰਗ ਲਈ ਢੁਕਵੀਂ ਰੇਂਜ ਵਿੱਚ ਵਿਵਸਥਿਤ ਕਰੋ।

7、ਟਾਈਟੇਨੀਅਮ ਪਲੇਟਿਡ ਬੇਸ ਪਰਤ। ਐਨੋਡਿਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਢਹਿ-ਢੇਰੀ ਹੋਈ ਚਿਨ ਮੈਟਲ ਇੰਗੌਟ ਉੱਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਦਾ ਵਹਾਅ, ਗਤੀ ਊਰਜਾ ਦਾ ਥਰਮਲ ਊਰਜਾ ਵਿੱਚ ਪਰਿਵਰਤਨ, ਗਰਮ ਕਰਨ ਦੁਆਰਾ ਚਿਨ ਧਾਤ ਦਾ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ, ਭਾਫ਼ ਦੇ ਪਰਮਾਣੂ ਟਾਈਟੇਨੀਅਮ ਫਿਲਮ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਵਰਕਪੀਸ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਦੇ ਹਨ।

8、TiN. ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਗੈਸ ਦਾ ਜਮ੍ਹਾ ਕੋਟਿੰਗ ਚੈਂਬਰ ਨੂੰ ਸਪਲਾਈ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਗੈਸ ਅਤੇ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਵਾਲੇ ਪਰਮਾਣੂ ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਅਤੇ ਟਾਈਟੇਨੀਅਮ ਆਇਨਾਂ ਵਿੱਚ ਆਇਓਨਾਈਜ਼ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। ਕਰੂਸੀਬਲ ਦੇ ਉੱਪਰ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਜਨ-ਡੀਡੀਏਸ਼ਨ ਦੇ ਨਾਲ ਟਾਈਟੇਨੀਅਮ ਭਾਫ਼ ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਦੇ ਅਸਥਿਰ ਟਕਰਾਅ ਦੀ ਉੱਚ ਸੰਭਾਵਨਾ, ਧਾਤੂ ਦੇ ਵਿਘਨ ਦੀ ਦਰ 20%~40% ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਉੱਚੀ ਹੈ।,ਟਾਈਟੈਨੀਅਮ ਆਇਨਾਂ ਦੇ ਰਸਾਇਣਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਗੈਸ ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਨਾਲ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਕਰਨ ਦੀ ਜ਼ਿਆਦਾ ਸੰਭਾਵਨਾ ਹੈ, ਇੱਕ ਨਾਈਟ੍ਰਾਈਡ ਮੈਂਟਲ ਫਿਲਮ ਪਰਤ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਜਮ੍ਹਾ। ਖੋਖਲਾ ਕੈਥੋਡ ਬੰਦੂਕ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦਾ ਸਰੋਤ ਹੈ，ਇੱਕ ਹੋਰ ਸਰੋਤ ਕੋਟਿੰਗ ਦੇ ਦੌਰਾਨ, ਕਰੂਸੀਬਲ ਦੇ ਆਲੇ ਦੁਆਲੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਕੋਇਲ ਦੇ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਵੀ ਐਡਜਸਟ ਕੀਤਾ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਨੂੰ ਸਮੇਟਣ ਦੇ ਕੇਂਦਰ ਵੱਲ ਫੋਕਸ ਕਰੋ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਵਹਾਅ ਦੀ ਪਾਵਰ ਘਣਤਾ ਵਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

9、ਪਾਵਰ ਬੰਦ। ਫਿਲਮ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਪੂਰਵ-ਨਿਰਧਾਰਤ ਫਿਲਮ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਚਾਪ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਬੰਦ ਕਰੋ, ਬਿਆਸ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਅਤੇ ਹਵਾ ਸਪਲਾਈ।