ਵੈਕਿਊਮ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਕੋਟਿੰਗ ਦੀਆਂ ਤਕਨੀਕੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

1. ਦਵੈਕਿਊਮ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਪਰਤਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਫਿਲਮ ਸਮੱਗਰੀ ਦਾ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ, ਉੱਚ ਖਲਾਅ ਵਿੱਚ ਭਾਫ਼ ਦੇ ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਦੀ ਆਵਾਜਾਈ, ਅਤੇ ਵਰਕਪੀਸ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਭਾਫ਼ ਦੇ ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਦੇ ਨਿਊਕਲੀਏਸ਼ਨ ਅਤੇ ਵਿਕਾਸ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ।

2. ਵੈਕਿਊਮ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਪਰਤ ਦੀ ਜਮ੍ਹਾ ਵੈਕਯੂਮ ਡਿਗਰੀ ਉੱਚੀ ਹੈ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 10-510^-3Pa. ਗੈਸ ਦੇ ਅਣੂਆਂ ਦਾ ਮੁਕਤ ਮਾਰਗ 1~10m ਦੀ ਤੀਬਰਤਾ ਦਾ ਕ੍ਰਮ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਸਰੋਤ ਤੋਂ ਵਰਕਪੀਸ ਤੱਕ ਦੀ ਦੂਰੀ ਤੋਂ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੈ, ਇਸ ਦੂਰੀ ਨੂੰ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦੂਰੀ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 300~800mm।ਪਰਤ ਦੇ ਕਣ ਗੈਸ ਦੇ ਅਣੂਆਂ ਅਤੇ ਭਾਫ਼ ਦੇ ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਨਾਲ ਮੁਸ਼ਕਿਲ ਨਾਲ ਟਕਰਾਉਂਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਵਰਕਪੀਸ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਦੇ ਹਨ।

3. ਵੈਕਿਊਮ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਕੋਟਿੰਗ ਪਰਤ ਜ਼ਖ਼ਮ ਪਲੇਟਿੰਗ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਅਤੇ ਵਾਸ਼ਪ ਪਰਮਾਣੂ ਉੱਚ ਵੈਕਿਊਮ ਦੇ ਹੇਠਾਂ ਵਰਕਪੀਸ ਵਿੱਚ ਸਿੱਧੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।ਵਰਕਪੀਸ 'ਤੇ ਸਿਰਫ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਸਰੋਤ ਦਾ ਸਾਹਮਣਾ ਕਰਨ ਵਾਲਾ ਪਾਸਾ ਹੀ ਫਿਲਮ ਪਰਤ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਵਰਕਪੀਸ ਦਾ ਸਾਈਡ ਅਤੇ ਪਿਛਲਾ ਹਿੱਸਾ ਮੁਸ਼ਕਿਲ ਨਾਲ ਫਿਲਮ ਪਰਤ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਫਿਲਮ ਪਰਤ ਦੀ ਪਲੇਟਿੰਗ ਖਰਾਬ ਹੈ।

4. ਵੈਕਿਊਮ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਪਰਤ ਪਰਤ ਦੇ ਕਣਾਂ ਦੀ ਊਰਜਾ ਘੱਟ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਵਰਕਪੀਸ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਣ ਵਾਲੀ ਊਰਜਾ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦੁਆਰਾ ਕੀਤੀ ਗਈ ਤਾਪ ਊਰਜਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਕਿਉਂਕਿ ਵੈਕਿਊਮ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਪਰਤ ਦੇ ਦੌਰਾਨ ਵਰਕਪੀਸ ਪੱਖਪਾਤੀ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਧਾਤ ਦੇ ਪਰਮਾਣੂ ਸਿਰਫ ਭਾਫੀਕਰਨ ਦੇ ਦੌਰਾਨ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦੀ ਗਰਮੀ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ 1000~ 2000 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਲਿਜਾਈ ਜਾਣ ਵਾਲੀ ਊਰਜਾ 0.1~ 0.2eV ਦੇ ਬਰਾਬਰ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਫਿਲਮ ਦੇ ਕਣ ਘੱਟ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਫਿਲਮ ਪਰਤ ਅਤੇ ਮੈਟ੍ਰਿਕਸ ਵਿਚਕਾਰ ਬੰਧਨ ਬਲ ਛੋਟਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਪਰਤ ਬਣਾਉਣਾ ਮੁਸ਼ਕਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

5. ਵੈਕਿਊਮ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਪਰਤ ਦੀ ਇੱਕ ਵਧੀਆ ਬਣਤਰ ਹੈ।ਵੈਕਿਊਮ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਪਲੇਟਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਉੱਚ ਵੈਕਿਊਮ ਦੇ ਅਧੀਨ ਬਣਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਵਾਸ਼ਪ ਵਿੱਚ ਫਿਲਮ ਦੇ ਕਣ ਅਸਲ ਵਿੱਚ ਪਰਮਾਣੂ ਪੈਮਾਨੇ ਦੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਵਰਕਪੀਸ ਦੀ ਸਤਹ 'ਤੇ ਇੱਕ ਵਧੀਆ ਕੋਰ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ।