Ogólnie reakcje CVD opierają się na wysokich temperaturach, stąd nazywane są chemicznym osadzeniem z fazy gazowej ze wzbudzeniem termicznym (TCVD).Zwykle wykorzystuje nieorganiczne prekursory i jest przeprowadzany w reaktorach z gorącą i zimną ścianą.Jego podgrzewane metody obejmują ogrzewanie o częstotliwości radiowej (RF), ogrzewanie promieniowaniem podczerwonym, ogrzewanie oporowe itp.
Chemiczne osadzanie z fazy gazowej gorących ścian
W rzeczywistości reaktor do chemicznego osadzania z fazy gazowej z gorącymi ścianami jest piecem termostatycznym, zwykle ogrzewanym elementami oporowymi, do produkcji przerywanej.Rysunek zakładu produkcyjnego do chemicznego osadzania z fazy gazowej gorących ścian do powlekania narzędzi do wiórów przedstawiono poniżej.To chemiczne osadzanie z fazy gazowej gorących ścian może pokrywać TiN, TiC, TiCN i inne cienkie warstwy.Reaktor można zaprojektować tak, aby był wystarczająco duży, aby pomieścić dużą liczbę składników, a warunki osadzania można bardzo precyzyjnie kontrolować.Rys. 1 przedstawia urządzenie z warstwą epitaksjalną do domieszkowania krzemu w produkcji urządzeń półprzewodnikowych.Podłoże w piecu jest umieszczane w kierunku pionowym, aby zmniejszyć zanieczyszczenie powierzchni osadzania cząstkami i znacznie zwiększyć obciążenie produkcyjne.Reaktory z gorącą ścianą do produkcji półprzewodników są zwykle eksploatowane przy niskim ciśnieniu.
Czas postu: 08-11-2022