د تبخیر کوټینګ په جریان کې ، د فلم پرت نیوکلیشن او وده د مختلف آئن کوټینګ ټیکنالوژۍ اساس دی
1. Nucleation
Inد ویکیوم تبخیر کوټینګ ټیکنالوژيوروسته له دې چې د فلم پرت ذرات د اتومونو په بڼه د تبخیر سرچینې څخه تبخیر کیږي، دوی په مستقیم ډول په لوړ خلا کې د ورک پیس ته الوتنه کوي او د ورک پیس په سطح کې د نیوکلیشن او ودې په واسطه د فلم طبقه جوړوي.د ویکیوم تبخیر په جریان کې، د فلم پرت اتومونو انرژي چې د تبخیر سرچینې څخه تیریږي شاوخوا 0.2eV دی.کله چې د فلم پرت د ذراتو تر منځ همغږي د فلم پرت او د کارپیس د اتومونو ترمنځ د اړیکو ځواک څخه ډیر وي، د ټاپو نیوکلیوس جوړوي.د یو واحد فلم پرت اتوم د وخت په اوږدو کې د کاري پیس په سطحه کې پاتې کیږي د غیر منظم حرکت ، خپریدو ، مهاجرت یا د نورو اتومونو سره ټکر کولو لپاره د اټومي کلسترونو رامینځته کولو لپاره په اټومي کلستر کې د اتومونو شمیر یو ټاکلي مهم ارزښت ته رسي ، یو مستحکم نیوکلیوس جوړیږي، چې د همجنس شکل لرونکي نیوکلیوس په نوم یادیږي.
نرم، او ډیری نیمګړتیاوې او مرحلې لري، کوم چې د راډیو اکټیو اتومونو ته د ورک پیس د مختلفو برخو جذب ځواک کې د توپیر لامل کیږي.د عیب د سطحې جذب انرژي د نورمال سطح څخه ډیره ده، نو دا په فعال مرکز بدلیږي، کوم چې د ترجیحي نیوکلیشن لپاره مناسب دی، چې د هیټروجینس نیوکلیشن په نوم یادیږي.کله چې همغږي ځواک د پابند قوې سره مساوي وي، یا د جھلی اتومونو او ورک پیس ترمنځ د پابند ځواک د جھلی اتومونو ترمنځ د همغږۍ ځواک څخه ډیر وي، د لیملر جوړښت رامینځته کیږي.د آیون پلیټینګ ټیکنالوژۍ کې ، د ټاپو کور په ډیری قضیو کې رامینځته کیږي.
2. وده
یوځل چې د فلم اصلي برخه جوړه شي ، دا د پیښې اتومونو په ځړولو سره وده ته دوام ورکوي. جزیرې وده کوي او یو له بل سره یوځای کیږي ترڅو لوی نیم کره رامینځته کړي ، په تدریجي ډول د نیم کره ټاپو پرت جوړوي چې د ورک پیس په سطحه خپریږي.
کله چې د فلم پرت اتومي انرژي لوړه وي، دا کولی شي په سطح کې په کافي اندازه توزیع کړي او یو نرم دوامداره فلم رامینځته کیدی شي کله چې راتلونکي راتلونکي اټومي کلسترونه کوچني وي. زیرمه شوي کلسترونه لوی دي، دوی د لوی ټاپوزول نیوکلی په توګه شتون لري. د ټاپو پورتنۍ برخه په مقعر برخه کې قوي سیوري اغیزه لري، دا د "سیوري اغیز" دی. د سطحې پروجیکشن د راتلونکو زیرمو اتومونو د نیولو لپاره ډیر مناسب دی. او غوره وده، چې په پایله کې په سطحه د مخروطي درجې د زیاتوالي سبب کیږي ترڅو د کافي اندازې مخروطي یا کالم کرسټالونه جوړ کړي.د مخروطي کرسټالونو تر منځ د ننوتو وړ خلاونه رامنځته کیږي او د سطحې د خړوبۍ ارزښت زیاتیږي. په لوړ خلا کې ښایسته نسجونه ترلاسه کیدی شي، د ویکیوم درجې په کمیدو سره، د غشا مایکرو ساختمان ضعیف او ضعیف کیږي.
د پوسټ وخت: می-24-2023