د ویکیوم تبخیر کوټینګ اصول
1، د ویکیوم تبخیر کوټینګ تجهیزات او فزیکي پروسه
د ویکیوم تبخیر کوټینګ تجهیزات په عمده ډول د ویکیوم چیمبر او د ایستلو سیسټم څخه جوړ شوي دي.د ویکیوم چیمبر دننه، د تبخیر سرچینې شتون لري (د بیلګې په توګه د تبخیر هیټر)، سبسټریټ او سبسټریټ چوکاټ، سبسټریټ هیټر، د اخراج سیسټم، او نور.
د کوټینګ مواد د ویکیوم چیمبر د تبخیر سرچینې کې ځای په ځای شوي ، او د لوړ خلا شرایطو لاندې ، دا د تبخیر سرچینې لخوا تودوخه کیږي ترڅو تبخیر شي.کله چې د بخار د مالیکولونو منځنۍ ازاده سلسله د ویکیوم چیمبر د خطي اندازې څخه لوی وي، وروسته له دې چې د فلم بخار اتومونه او مالیکولونه د تبخیر سرچینې له سطحې څخه وتښتي، په ندرت سره د نورو مالیکولونو یا اتومونو د ټکر لخوا خنډ کیږي، او په مستقیم ډول د سبسټریټ سطح ته رسي چې پوښل کیږي.د سبسټریټ د ټیټ تودوخې له امله، د فلم بخار ذرات په هغې باندې کنډیږي او یو فلم جوړوي.
د تبخیر مالیکولونو او سبسټریټ چپکولو ته وده ورکولو لپاره ، سبسټریټ د مناسب تودوخې یا آئن پاکولو له لارې فعال کیدی شي.د ویکیوم تبخیر کوټینګ د لاندې فزیکي پروسو څخه تیریږي د موادو تبخیر څخه ، ترانسپورت په فلم کې زیرمه کول.
(1) د انرژی نور ډولونه په حرارتی انرژی بدلولو لپاره د بیلابیلو لارو په کارولو سره، د فلم مواد د یو ټاکلی مقدار انرژی (0.1 څخه 0.3 eV) سره د ګازو ذراتو (اټومونو، مالیکولونو یا اتومیک کلسترونو) د تبخیر یا ذخیرې کولو لپاره تودوخه کیږي.
(2) ګازي ذرات د فلم له سطحې څخه وځي او د سبسټریټ سطح ته په یو ټاکلي سرعت کې لیږدول کیږي، په اصل کې پرته له ټکر څخه، په مستقیم کرښه کې.
(3) هغه ګازي ذرات چې د سبسټریټ سطحې ته رسي او نیوکلیټ سره یوځای کیږي او بیا په جامد مرحله فلم کې وده کوي.
(4) د اتومونو بیا تنظیم یا کیمیاوي اړیکه چې فلم جوړوي.
2، د تبخیر تودوخه
(1) د مقاومت تودوخې تبخیر
د مقاومت تودوخې تبخیر د تودوخې ترټولو ساده او تر ټولو عام کارول کیږي، په عمومي ډول د 1500 ℃ څخه د خټکي نقطې سره د کوټ کولو موادو لپاره تطبیق کیږي، په تار یا شیټ شکل کې د لوړ خټکي نقطه فلزات (W, Mo, Ti, Ta، بوران نایټریډ، او نور) دي. معمولا د تبخیر سرچینې په مناسب شکل کې رامینځته شوی ، د بخارۍ موادو سره بار شوی ، د بریښنایی جریان د جول تودوخې له لارې د پلیټینګ موادو منحل ، تبخیر یا ذخیرې کولو لپاره ، د تبخیر سرچینې شکل په عمده ډول ملټي سټرینډ سرپل ، U-shaped ، سین څپې شاملې دي. پتلی پلیټ، کشتۍ، مخروط ټوکر، او داسې نور. په ورته وخت کې، طریقه د تبخیر سرچینې موادو ته اړتیا لري چې لوړ خټکي نقطه ولري، د بخار ټیټ فشار، باثباته کیمیاوي ملکیتونه، په لوړه تودوخه کې د کوټینګ موادو سره کیمیاوي تعامل نلري، د تودوخې ښه مقاومت، د بریښنا په کثافت کې کوچنی بدلون، او داسې نور. دا د تبخیر سرچینې له لارې لوړ جریان غوره کوي ترڅو د مستقیم تودوخې په واسطه د فلم مواد تودوخه او تبخیر کړي، یا د فلم مواد د ګرافیت څخه جوړ شوي کروسیبل کې واچوي او د لوړې تودوخې په وړاندې مقاومت ولري. فلزي اکسایډونه (لکه A202، B0) او نور مواد د غیر مستقیم تودوخې لپاره د تبخیر لپاره.
د مقاومت تودوخې تبخیر کوټینګ محدودیتونه لري: انعکاس لرونکي فلزات د بخار ټیټ فشار لري، کوم چې د پتلی فلم جوړول ستونزمن دي؛ځینې عناصر د تودوخې تار سره د مصر د جوړولو لپاره اسانه دي؛دا آسانه نه ده چې د مصر د فلم یونیفورم ترکیب ترلاسه کړي.د ساده جوړښت له امله، ټیټ قیمت او د مقاومت تودوخې تبخیر میتود اسانه عملیات، دا د تبخیر میتود خورا عام غوښتنلیک دی.
(2) د الکترون بیم حرارتی تبخیر
د الکترون بیم تبخیر یوه طریقه ده چې د کوټینګ مواد د تبخیر کولو طریقه ده چې د لوړ انرژي کثافت الیکترون بیم سره د اوبو په یخ شوي مسو کرسیبل کې ځای پرځای کولو سره بمباري کوي.د تبخیر سرچینه د الکترون د اخراج سرچینه، د الکترون سرعت د بریښنا سرچینه، یو کروسیبل (معمولا د مسو کروسیبل)، د مقناطیسي ساحې کویل، او د یخولو د اوبو سیټ، او داسې نور شامل دي. په دې وسیله کې، ګرم شوي مواد په اوبو کې ځای پر ځای کیږي. - یخ شوی کروسیبل، او د الکترون بیم یوازې د موادو ډیره کوچنۍ برخه بمباري کوي، پداسې حال کې چې ډیری پاتې مواد د کروسیبل د یخولو اغیز لاندې په خورا ټیټ حرارت کې پاتې کیږي، کوم چې د کروسیبل بمبار شوي برخه ګڼل کیدی شي.په دې توګه، د تبخیر لپاره د الکترون بیم تودوخې طریقه کولی شي د کوټینګ موادو او د تبخیر سرچینې موادو ترمنځ د ککړتیا مخه ونیسي.
د الکترون بیم د تبخیر سرچینې جوړښت په دریو ډولونو ویشل کیدی شي: مستقیم ټوپک (بولیز ټوپک)، حلقوي ټوپکونه (برقی ډوله انعطاف شوي) او ای-توپک (مقناطیسی انعطاف شوي).یو یا څو کرسیبلونه د تبخیر په تاسیساتو کې کیښودل کیدی شي ، کوم چې کولی شي په یوځل یا جلا ډول ډیری بیلابیل توکي تبخیر او زیرمه کړي.
د الکترون بیم تبخیر سرچینې لاندې ګټې لري.
① د الکترون بیم بمبارۍ تبخیر سرچینې لوړ بیم کثافت کولی شي د مقاومت تودوخې سرچینې په پرتله خورا لوی انرژي کثافت ترلاسه کړي ، کوم چې کولی شي د لوړ خټکي نقطې توکي بخار کړي ، لکه W, Mo, Al2O3 او داسې نور.
②د پوښ کولو مواد د اوبو په یخ شوي مسو کې ځای پر ځای شوي، کوم چې کولی شي د تبخیر سرچینې موادو د تبخیر مخه ونیسي، او د دوی ترمنځ غبرګون.
③تودوخه په مستقیم ډول د کوټینګ موادو سطح ته اضافه کیدی شي ، کوم چې د تودوخې موثریت لوړ کوي او د تودوخې لیږد او تودوخې وړانګې ټیټوي.
د الکترون بیم د تودوخې تبخیر میتود نیمګړتیا دا ده چې د الیکټران ټوپک څخه لومړني الیکټرانونه او د کوټینګ موادو له سطحې څخه ثانوي الیکترونونه به د بخارۍ اتومونو او د ګازو پاتې کیدو مالیکولونه آیونیز کړي ، کوم چې ځینې وختونه د فلم کیفیت اغیزه کوي.
(3) د لوړې فریکونسۍ انډکشن تودوخې تبخیر
د لوړې فریکونسۍ انډکشن تودوخې تبخیر د لوړې فریکونسۍ سرپل کویل په مرکز کې د کوټینګ موادو سره کروسیبل ځای په ځای کول دي ، ترڅو د کوټینګ مواد د لوړې فریکونسۍ بریښنایی مقناطیسي ساحې د داخلیدو لاندې قوي ایډي اوسني او هیسټریسیس اغیز رامینځته کړي ، کوم چې د دې لامل کیږي. د فلم پرت د تودوخې لپاره تر هغه وخته پورې چې بخار او تبخیر شي.د تبخیر سرچینه عموما د اوبو یخ شوي لوړ فریکونسۍ کویل او د ګرافیت یا سیرامیک (مګنیشیم اکسایډ، المونیم اکسایډ، بوران اکسایډ، او داسې نور) کریسبل څخه جوړ دی.د لوړ فریکونسۍ بریښنا رسولو له لسو زرو څخه تر څو سوه زره هرټز فریکونسۍ کاروي، د ان پټ بریښنا له څو څخه تر څو سوه کیلو واټ دی، د جھلی موادو حجم کوچنی دی، د انډکشن فریکونسۍ لوړه ده.د انډکشن کویل فریکونسۍ معمولا د اوبو یخ شوي مسو ټیوب څخه جوړیږي.
د لوړې فریکونسۍ انډکشن تودوخې تبخیر میتود نیمګړتیا دا ده چې د ان پټ بریښنا تنظیم کول اسانه ندي ، دا لاندې ګټې لري.
①د تبخیر لوړه کچه
②د تبخیر سرچینې تودوخه یونیفورم او باثباته ده، نو د کوټینګ څاڅکو ویشلو پیښې رامینځته کول اسانه ندي ، او دا په زیرمه شوي فلم کې د pinholes پیښې څخه هم مخنیوی کولی شي.
③ د تبخیر سرچینه یو ځل بار کیږي، او د تودوخې درجه نسبتا اسانه او د کنټرول لپاره ساده ده.
د پوسټ وخت: اکتوبر-28-2022