Vo všeobecnosti CVD reakcie závisia od vysokých teplôt, preto sa nazývajú tepelne excitované chemické nanášanie pár (TCVD).Vo všeobecnosti používa anorganické prekurzory a vykonáva sa v teplostenných a studenostenných reaktoroch.Jeho vyhrievané metódy zahŕňajú rádiofrekvenčné (RF) vykurovanie, infračervené žiarenie, odporové vykurovanie atď.
Chemické nanášanie pár horúcimi stenami
V skutočnosti je reaktor na chemické vylučovanie z plynnej fázy s horúcou stenou termostatická pec, zvyčajne vyhrievaná odporovými prvkami, na prerušovanú výrobu.Nákres zariadenia na výrobu chemického nanášania pár horúcimi stenami na povlakovanie trieskových nástrojov je znázornený nasledovne.Táto chemická depozícia na báze horúcej steny môže pokrývať TiN, TiC, TiCN a iné tenké filmy.Reaktor môže byť navrhnutý tak, aby bol dostatočne veľký na to, aby pojal veľké množstvo komponentov, a podmienky depozície možno veľmi presne kontrolovať.Obr. 1 znázorňuje zariadenie s epitaxnou vrstvou na dopovanie kremíka pri výrobe polovodičových prvkov.Substrát v peci je umiestnený vo vertikálnom smere, aby sa znížila kontaminácia povrchu nanášania časticami a výrazne sa zvýšilo výrobné zaťaženie.Teplostenné reaktory na výrobu polovodičov sú zvyčajne prevádzkované pri nízkych tlakoch.
Čas uverejnenia: 8. novembra 2022