HiPIMS Tekonolosi Folasaga

Nu.1 Fa'avae o le maneta fa'amalo malosi maualuga
O le malosi maualuga pulsed magnetron sputtering technique e faʻaaogaina ai le maualuga o le malosi o le pulupulu (2-3 poloaiga o le maualuga maualuga atu nai lo le faʻaogaina o le magnetron sputtering) ma le taʻamilosaga o tiute maualalo (0.5% -10%) e ausia ai le maualuga o le faʻamavaeina o uʻamea (> 50%), lea. e maua mai i le magnetron sputtering uiga, e pei ona faaalia i le Pic 1, lea o le tumutumu o loo i ai le density i le taimi nei I e tutusa ma le exponential nth mana o le lafoaia voltage U, I = kUn (n o se sootaga faifai pea i le fausaga cathode, maneta. ma meafaitino).I le maualalo o le malosi (voltage maualalo) o le tau n e masani lava ile va ole 5 i le 15;fa'atasi ai ma le fa'atuputeleina o le voluma fa'asao, o le maualuga o lo'o i ai nei ma le malosi o le malosi e fa'ateleina vave, ma i le maualuga maualuga o le tau o le n e avea ma 1 ona o le leiloa o le fa'agata maneta.Afai i le maualalo o le malosi densities, o le kesi lafoaia e fuafuaina e kasa ions o loʻo i totonu o le masani pulsed discharge mode;pe afai i le maualuga o le malosi, o le tele o ion u'amea i totonu o le plasma e fa'atupula'ia ma fesuia'i nisi mea, o lo'o i totonu o le fa'aogaina o le tagata lava ia, e pei o le plasma o lo'o fa'atumauina e le ionization o mea e le fa'a'au'au ma uamea lona lua, ma atom kasa inert. e pei o Ar e faʻaaogaina naʻo le faʻamumuina o le plasma, pe a maeʻa ona faʻapipiʻiina le uʻamea uʻamea i tafatafa o le taulaʻiga ma faʻavaveina i tua e osofaʻia le taulaiga sputtered i lalo o le gaioiga o le mageta ma le eletise e faʻamautu ai le maualuga o le alu, ma o le plasma e maualuga. vaega u'amea fa'aioni.Ona o le sputtering faagasologa o le vevela aafiaga i luga o le sini, ina ia mautinoa le faagaoioiga mautu o le sini i talosaga tau alamanuia, o le malosi density tuusao tuusao i le taulaiga e le mafai ona tele tele, e masani lava tuusao vai malulu ma mea autu conductivity vevela. e tatau ona i ai i le tulaga o le 25 W / cm2 i lalo, malulu vai le tuusao, fa'atatau mea fa'avevela fa'avevela e le lelei, mea fa'atatau e mafua mai i le vaevaega ona o le mamafa o le vevela po'o mea fa'atatau o lo'o i ai vaega u'amea vaivai ma isi tulaga o le malosi malosi e mafai ona i totonu. 2 ~ 15 W / cm2 i lalo, i lalo ifo o manaʻoga o le malosi maualuga.E mafai ona foia le faafitauli o le overheating sini e ala i le faʻaaogaina o pulus malosi maualuga.Anders faauigaina maualuga-mana pulsed magnetron sputtering o se ituaiga o pulupulu sputtering lea o le tumutumu o le malosi malosi e sili atu i le averesi malosi density e 2 i le 3 poloaiga o le tele, ma o le taulaiga ion sputtering pulea le sputtering faagasologa, ma le sini sputtering atoms e matua dissociated. .

Nu.2 O uiga o le mana maualuga pulsed magnetron sputtering coating deposition

O le malosi maualuga pulsed magnetron sputtering e mafai ona maua ai le plasma ma le maualuga o le dissociation rate ma le maualuga o le malosi o le ion, ma e mafai ona faʻaogaina le faʻaituau e faʻavaveina ai ion ua molia, ma o le faʻaogaina o le faʻapipiʻiina o loʻo faʻapipiʻiina e vaega maualuga-malosi, o se tekinolosi masani IPVD.O le malosi o le ion ma le tufatufaina atu o loʻo i ai se aafiaga taua tele i le lelei o le ufiufi ma le faʻatinoga.
E uiga i le IPVD, e faʻavae i luga o le taʻutaʻua o le Thorton structural region model, na tuʻuina atu e Anders se faʻataʻitaʻiga o le itulagi e aofia ai le plasma deposition ma ion etching, faʻalauteleina le sootaga i le va o le faʻapipiʻiina o le fausaga ma le vevela ma le mamafa o le ea i le Thorton structural region model i le sootaga i le va o le fausaga faʻapipiʻi, vevela ma le malosi o le ion, e pei ona faʻaalia i le Ata 2. I le tulaga o le maualalo o le malosi o le faʻapipiʻiina o le ion, o le fausaga faʻapipiʻi e ogatusa ma le faʻataʻitaʻiga o le sone fausaga a Thorton.Faatasi ai ma le faateleina o le vevela o le tuu, o le suiga mai le itulagi 1 (fa'a tioata alava matatala) i le itulagi T (vaila tioata mafiafia), itulagi 2 (kolumnar tioata) ma le itulagi 3 (recrystallization itulagi);fa'atasi ai ma le fa'ateleina o le fa'aputuga o le malosi o le ion, o le suiga o le vevela mai le itulagi 1 i le itulagi T, itulagi 2 ma le itulagi 3 fa'aitiitia.O tioata fiber maualuga ma tioata columnar e mafai ona saunia i le maualalo o le vevela.Pe a faʻateleina le malosi o ions teuina i le faʻatonuga o le 1-10 eV, o le osofaʻiga ma le faʻaogaina o ion i luga o le faʻapipiʻiina o mea faʻapipiʻi e faʻaleleia ma faʻateleina le mafiafia o paʻu.

Nu.3 Sauniuniga o le fa'alava fa'alava fa'amalo e ala i le malosi maualuga pulsed magnetron sputtering technology
O le faʻapipiʻiina e saunia e le eletise eletise magnetron sputtering eletise maualuga e sili atu ona mafiafia, ma sili atu mea faʻainisinia ma maualuga le mautu o le vevela.E pei ona faaalia i le Pic 3, o le magnetron sputtered TiAlN coating masani o se fausaga tioata columnar ma le maaa o le 30 GPa ma a Young modulus o le 460 GPa;o le HIPIMS-TiAlN faʻapipiʻi e 34 GPa maaa ae o le Young's modulus e 377 GPa;o le fua faatatau i le va o le maaa ma le modulus a Young o le fua lea o le faigata o le faʻapipiʻi.O le maualuga o le ma'a'a ma le la'ititi o Young's modulus o lona uiga e sili atu le malosi.O le HIPIMS-TiAlN faʻapipiʻi e sili atu le mautu o le vevela maualuga, faʻatasi ai ma AlN vaega hexagonal faʻafefe i le TiAlN faʻapipiʻi masani ina ua maeʻa togafitiga faʻafefete maualuga ile 1,000 °C mo le 4 itula.O le maaa o le ufiufi e faʻaitiitia i le maualuga o le vevela, ae o le HIPIMS-TiAlN faʻapipiʻi e tumau pea e le suia pe a maeʻa togafitiga vevela i le vevela tutusa ma le taimi.O le HIPIMS-TiAlN fa'apipi'i e iai fo'i le maualuga o le vevela amata o le fa'ama'iina o le vevela maualuga nai lo le fa'alavalava masani.O le mea lea, o le HIPIMS-TiAlN coating o loʻo faʻaalia ai le sili atu le lelei o le faʻatinoga i meafaigaluega faʻapipiʻi maualuga nai lo isi meafaigaluega faʻapipiʻi saunia e le PVD process.