Pasipatan plasma
Sifat plasma dina déposisi uap kimia anu ditingkatkeun plasma nyaéta ngandelkeun énergi kinétik éléktron dina plasma pikeun ngaktipkeun réaksi kimia dina fase gas.Kusabab plasma mangrupikeun kumpulan ion, éléktron, atom nétral sareng molekul, éta sacara nétral sacara éléktrik dina tingkat makroskopis.Dina plasma, sajumlah ageung énergi disimpen dina énergi internal plasma.Plasma asalna dibagi kana plasma panas sareng plasma tiis.dina sistem PECVD éta plasma tiis nu kabentuk ku ngurangan gas tekanan low.Plasma ieu dihasilkeun ku ngurangan tekanan low handap sababaraha ratus Pa mangrupakeun plasma gas non-kasaimbangan.
Sifat plasma ieu nyaéta kieu:
(1) Gerak termal anu henteu teratur éléktron sareng ion ngaleuwihan gerak anu diarahkeun.
(2) Prosés ionisasi na utamana disababkeun ku tabrakan éléktron gancang jeung molekul gas.
(3) Énergi gerak termal rata-rata éléktron nyaéta 1 nepi ka 2 orde gedéna leuwih luhur batan partikel beurat, kayaning molekul, atom, ion jeung radikal bébas.
(4) Leungitna énérgi saatos tabrakan éléktron sareng partikel beurat tiasa diimbalan tina médan listrik antara tabrakan.
Hésé pikeun ngacirian plasma nonequilibrium suhu-rendah sareng sajumlah parameter anu alit, sabab mangrupikeun plasma nonequilibrium suhu-rendah dina sistem PECVD, dimana suhu éléktron Te henteu sami sareng suhu Tj partikel beurat.Dina téknologi PECVD, fungsi utama plasma nyaéta pikeun ngahasilkeun ion aktif sacara kimiawi sareng radikal bébas.Ieu ion jeung radikal bébas meta jeung ion séjén, atom jeung molekul dina fase gas atawa ngabalukarkeun karuksakan kisi jeung réaksi kimiawi dina beungeut substrat, sarta ngahasilkeun bahan aktif mangrupa fungsi dénsitas éléktron, konsentrasi réaktan jeung koefisien ngahasilkeun.Dina basa sejen, ngahasilkeun bahan aktif gumantung kana kakuatan médan listrik, tekanan gas, sarta rentang bébas rata-rata partikel dina waktu tabrakan.Salaku gas réaktan dina plasma dissociates alatan tabrakan éléktron-énergi tinggi, panghalang aktivasina réaksi kimia bisa nungkulan sarta suhu gas réaktan bisa ngurangan.Beda utama antara PECVD sareng CVD konvensional nyaéta prinsip termodinamika réaksi kimiawi béda.Disosiasi molekul gas dina plasma téh non-selektif, jadi lapisan pilem disimpen ku PECVD sagemblengna béda ti CVD konvensional.Komposisi fase nu dihasilkeun ku PECVD bisa jadi unik non-kasaimbangan, sarta formasina geus euweuh diwatesan ku kinétika kasatimbangan.Lapisan pilem anu paling umum nyaéta kaayaan amorf.
fitur PECVD
(1) Suhu déposisi rendah.
(2) Ngurangan setrés internal disababkeun ku mismatch tina koefisien ékspansi linier tina mémbran / bahan dasar.
(3) Laju déposisi rélatif luhur, utamana déposisi suhu handap, anu kondusif pikeun meunangkeun pilem amorf jeung microcrystalline.
Kusabab prosés suhu rendah PECVD, karusakan termal tiasa dikirangan, silih difusi sareng réaksi antara lapisan pilem sareng bahan substrat tiasa dikirangan, sareng sajabana, ku kituna komponén éléktronik tiasa dilapis sateuacanna atanapi kusabab kabutuhan. pikeun rework.Pikeun pembuatan sirkuit terpadu skala ultra-ageung (VLSI, ULSI), téknologi PECVD suksés diterapkeun kana formasi pilem silikon nitrida (SiN) salaku pilem pelindung ahir saatos formasi kabel éléktroda Al, ogé flattening sareng formasi pilem silikon oksida salaku insulasi interlayer.Salaku alat pilem ipis, téknologi PECVD ogé parantos suksés dilarapkeun kana pabrik transistor film tipis (TFTs) pikeun tampilan LCD, jsb., ngagunakeun kaca salaku substrat dina metode matriks aktip.Kalayan pamekaran sirkuit terpadu kana skala anu langkung ageung sareng integrasi anu langkung luhur sareng seueur panggunaan alat semikonduktor sanyawa, PECVD kedah dilakukeun dina suhu anu langkung handap sareng prosés énergi éléktron anu langkung luhur.Pikeun nyumponan sarat ieu, téknologi anu tiasa nyintésis pilem datar anu langkung luhur dina suhu anu langkung handap kedah dikembangkeun.Film SiN sareng SiOx parantos diulik sacara éksténsif ngagunakeun plasma ECR sareng téknologi déposisi uap kimia plasma (PCVD) anyar kalayan plasma hélik, sareng parantos ngahontal tingkat praktis dina ngagunakeun pilem insulasi interlayer pikeun sirkuit terpadu skala anu langkung ageung, jsb.
waktos pos: Nov-08-2022