Nini Kanuni ya Kufanya Kazi ya Mashine ya Kuweka Ion

Mipako ya ionmashine ilitokana na nadharia iliyopendekezwa na DM Mattox katika miaka ya 1960, na majaribio yanayolingana yalianza wakati huo;Hadi 1971, Chambers na wengine walichapisha teknolojia ya uwekaji wa ion ya boriti ya elektroni;Teknolojia tendaji ya uvukizi wa uvukizi (ARE) iliainishwa katika ripoti ya Bunshah mwaka wa 1972, wakati aina za filamu ngumu sana kama vile TiC na TiN zilipotolewa;Pia mnamo 1972, Smith na Molley walipitisha teknolojia ya mashimo ya cathode katika mchakato wa mipako.Kufikia miaka ya 1980, upako wa ioni nchini China ulikuwa umefikia kiwango cha matumizi ya viwandani, na michakato ya kupaka kama vile uwekaji wa ion ya utupu wa arc nyingi na upako wa ion ya kutokwa na arc ilionekana mfululizo.

Mchakato mzima wa uwekaji wa ion ya utupu ni kama ifuatavyo: kwanza,pampuchumba cha utupu, na kishasubirishinikizo la utupu hadi 4X10 ⁻ ³ Paau bora, ni muhimu kuunganisha ugavi wa umeme wa juu na kujenga eneo la plasma la joto la chini la gesi ya kutokwa kwa voltage ya chini kati ya substrate na evaporator.Unganisha elektrodi ya substrate na voltage ya juu hasi ya 5000V DC ili kuunda kutokwa kwa mwanga wa cathode.Ioni za gesi ajizi huzalishwa karibu na eneo la mwanga hasi.Wanaingia kwenye eneo la giza la cathode na wanaharakishwa na shamba la umeme na bombard uso wa substrate.Huu ni mchakato wa kusafisha, na kisha uingie mchakato wa mipako.Kupitia athari ya kupokanzwa kwa bombardment, vifaa vingine vya mchovyo hutiwa mvuke.Eneo la plasma huingia kwenye protoni, hugongana na elektroni na ioni za gesi za inert, na sehemu ndogo yao ni ionized, Ioni hizi za ionized na nishati ya juu zitapiga uso wa filamu na kuboresha ubora wa filamu kwa kiasi fulani.

Kanuni ya uwekaji wa ioni za utupu ni: katika chumba cha utupu, kwa kutumia hali ya kutokwa kwa gesi au sehemu ya ionized ya nyenzo zilizovukizwa, chini ya milipuko ya ioni za nyenzo zilizovutwa au ioni za gesi, wakati huo huo weka vitu hivi vilivyovukizwa au viitikio vyake kwenye substrate. kupata filamu nyembamba.Mipako ya ionmashineinachanganya uvukizi wa utupu, teknolojia ya plasma na kutokwa kwa mwanga wa gesi, ambayo sio tu inaboresha ubora wa filamu, lakini pia huongeza safu ya matumizi ya filamu.Faida za mchakato huu ni diffraction kali, wambiso mzuri wa filamu, na vifaa mbalimbali vya mipako.Kanuni ya uwekaji wa ion ilipendekezwa kwanza na DM Mattox.Kuna aina nyingi za uwekaji wa ion.Aina ya kawaida ni inapokanzwa kwa uvukizi, ikiwa ni pamoja na kupokanzwa upinzani, inapokanzwa boriti ya elektroni, inapokanzwa boriti ya elektroni ya plasma, inapokanzwa kwa uingizaji wa juu-frequency na mbinu nyingine za joto.