ஸ்பட்டரிங் பூச்சு தொழில்நுட்பம்

1, ஸ்பட்டர் பூச்சு அம்சங்கள்
வழக்கமான வெற்றிட ஆவியாதல் பூச்சுடன் ஒப்பிடும்போது, ​​ஸ்பட்டரிங் பூச்சு பின்வரும் அம்சங்களைக் கொண்டுள்ளது:
(1) எந்தவொரு பொருளையும், குறிப்பாக அதிக உருகுநிலை, குறைந்த நீராவி அழுத்தம் கூறுகள் மற்றும் சேர்மங்கள் போன்றவற்றைக் கக்க முடியும்.அது ஒரு திடப்பொருளாக இருக்கும் வரை, அது ஒரு உலோகம், குறைக்கடத்தி, மின்கடத்தி, கலவை மற்றும் கலவை போன்றவையாக இருந்தாலும், அது ஒரு தொகுதியாக இருந்தாலும், சிறுமணிப் பொருளை இலக்குப் பொருளாகப் பயன்படுத்தலாம்.இன்சுலேடிங் பொருட்கள் மற்றும் ஆக்சைடுகள் போன்ற உலோகக் கலவைகளைத் தெளிக்கும் போது சிறிய சிதைவு மற்றும் பின்னம் ஏற்படுவதால், அவை மெல்லிய படலங்கள் மற்றும் அலாய் ஃபிலிம்களை இலக்குப் பொருளைப் போன்ற சீரான கூறுகளைக் கொண்டு தயாரிக்கப் பயன்படுகின்றன, மேலும் சிக்கலான கலவைகளைக் கொண்ட சூப்பர் கண்டக்டிங் படங்களும் கூட. ஆக்சைடுகள், நைட்ரைடுகள், கார்பைடுகள் மற்றும் சிலிசைடுகள் போன்ற இலக்குப் பொருட்களிலிருந்து முற்றிலும் மாறுபட்ட சேர்மங்களின் பிலிம்களை உருவாக்கவும் எதிர்வினை ஸ்பட்டரிங் முறை பயன்படுத்தப்படலாம்.
(2) தெறித்த படலத்திற்கும் அடி மூலக்கூறுக்கும் இடையே நல்ல ஒட்டுதல்.ஆவியாக்கப்பட்ட அணுக்களின் ஆற்றலை விட 1-2 ஆர்டர் அளவு அதிகமாக இருப்பதால், அடி மூலக்கூறில் டெபாசிட் செய்யப்பட்ட உயர் ஆற்றல் துகள்களின் ஆற்றல் மாற்றமானது அதிக வெப்ப ஆற்றலை உருவாக்குகிறது, இது அடி மூலக்கூறில் சிதறிய அணுக்களின் ஒட்டுதலை மேம்படுத்துகிறது.உயர்-ஆற்றல் தெளிக்கப்பட்ட அணுக்களின் ஒரு பகுதி பல்வேறு அளவுகளில் செலுத்தப்பட்டு, அடி மூலக்கூறின் மீது போலி-பரவல் அடுக்கு என்று அழைக்கப்படும், அங்கு தூவப்பட்ட அணுக்கள் மற்றும் அடி மூலக்கூறு பொருளின் அணுக்கள் ஒன்றோடொன்று "கலக்கும்".கூடுதலாக, ஸ்பட்டரிங் துகள்களின் குண்டுவீச்சின் போது, ​​அடி மூலக்கூறு எப்போதும் பிளாஸ்மா மண்டலத்தில் சுத்தம் செய்யப்பட்டு செயல்படுத்தப்படுகிறது, இது மோசமாக ஒட்டிக்கொண்ட வேகமான அணுக்களை நீக்குகிறது, அடி மூலக்கூறு மேற்பரப்பை சுத்திகரிக்கிறது மற்றும் செயல்படுத்துகிறது.இதன் விளைவாக, அடி மூலக்கூறுக்கு sputtered film அடுக்கு ஒட்டுதல் பெரிதும் மேம்படுத்தப்படுகிறது.
(3) ஸ்பட்டர் பூச்சுகளின் அதிக அடர்த்தி, குறைவான பின்ஹோல்கள் மற்றும் ஃபிலிம் லேயரின் அதிக தூய்மை, ஏனெனில் க்ரூசிபிள் மாசுபாடு இல்லை, இது ஸ்பட்டர் பூச்சு செயல்முறையின் போது வெற்றிட நீராவி படிவுகளில் தவிர்க்க முடியாதது.
(4) பட தடிமன் நல்ல கட்டுப்பாடு மற்றும் மீண்டும் மீண்டும்.ஸ்பட்டர் பூச்சுகளின் போது வெளியேற்ற மின்னோட்டத்தையும் இலக்கு மின்னோட்டத்தையும் தனித்தனியாகக் கட்டுப்படுத்த முடியும் என்பதால், இலக்கு மின்னோட்டத்தைக் கட்டுப்படுத்துவதன் மூலம் படத் தடிமனைக் கட்டுப்படுத்தலாம், இதனால், படத் தடிமனைக் கட்டுப்படுத்துவதும், ஸ்பட்டர் பூச்சுகளை பல முறை தெளிப்பதன் மூலம் படத் தடிமன் மறுஉற்பத்தி செய்வதும் நல்லது. , மற்றும் முன்னரே தீர்மானிக்கப்பட்ட தடிமன் கொண்ட படம் திறம்பட பூசப்படலாம்.கூடுதலாக, sputter பூச்சு ஒரு பெரிய பகுதியில் ஒரு சீரான படம் தடிமன் பெற முடியும்.இருப்பினும், பொதுவான ஸ்பட்டர் பூச்சு தொழில்நுட்பத்திற்கு (முக்கியமாக இருமுனை ஸ்பட்டரிங்), உபகரணங்கள் சிக்கலானது மற்றும் உயர் அழுத்த சாதனம் தேவைப்படுகிறது;ஸ்பட்டர் படிவின் பட உருவாக்க வேகம் குறைவாக உள்ளது, வெற்றிட ஆவியாதல் படிவு விகிதம் 0.1~5nm/min ஆகும், அதே சமயம் 0.01~0.5nm/நிமிடமாகும்;அடி மூலக்கூறு வெப்பநிலை உயர்வு அதிகமாக உள்ளது மற்றும் அசுத்த வாயு போன்றவற்றால் பாதிக்கப்படக்கூடியது. இருப்பினும், RF sputtering மற்றும் magnetron sputtering தொழில்நுட்பத்தின் வளர்ச்சியின் காரணமாக, வேகமான sputtering படிவு மற்றும் அடி மூலக்கூறு வெப்பநிலையை குறைப்பதில் பெரும் முன்னேற்றம் பெறப்பட்டுள்ளது.மேலும், சமீபத்திய ஆண்டுகளில், புதிய ஸ்பட்டர் பூச்சு முறைகள் ஆராயப்படுகின்றன - பிளானர் மேக்னட்ரான் ஸ்பட்டரிங் அடிப்படையில் - பூஜ்ஜிய-அழுத்தம் வரை ஸ்பட்டரிங் காற்று அழுத்தத்தைக் குறைக்க, அங்கு ஸ்பட்டரிங் போது உட்கொள்ளும் வாயுவின் அழுத்தம் பூஜ்ஜியமாக இருக்கும்.