Хусусияти асосии усули бухоркунии вакуумӣ барои гузоштани плёнкаҳо суръати баланди рехтан аст.Хусусияти асосии усули пошидан дар доираи васеи масолехи плёнка ва якрангии хуби кабати плёнка мебошад, вале суръати рехтани он паст аст.Пӯшидани ион усулест, ки ин ду равандро муттаҳид мекунад.
Принсипи пӯшонидани ион ва шароити ташаккули филм
Принсипи кори қабати ион дар расм нишон дода шудааст.Камераи вакуумӣ ба фишори камтар аз 10-4 Па интиқол дода мешавад ва сипас бо гази инертӣ (масалан, аргон) то фишори 0,1 ~ 1 Па пур карда мешавад. Пас аз он ки шиддати манфии доимии то 5 кВ ба субстрат ҷорӣ карда мешавад, Дар байни субстрат ва тигель минтақаи плазмаи разряди гази фишори паст муқаррар карда мешавад.Ионҳои гази инертӣ тавассути майдони электрикӣ суръат мебахшанд ва рӯи заминро бомбаборон мекунанд ва ҳамин тавр сатҳи пораи коркардро тоза мекунанд.Пас аз ба итмом расидани ин раванди тозакунӣ, раванди пӯшиш бо бухор кардани маводе, ки дар тигел пӯшида мешавад, оғоз меёбад.Заррачаҳои буғи буғшуда ба минтақаи плазма ворид шуда, бо ионҳои мусбати инертии ҷудошуда ва электронҳо бархӯрда мешаванд ва як қисми заррачаҳои буғ ҷудо шуда, дар зери шитоби майдони электрикӣ қисмҳои кор ва сатҳи рӯйпӯшро бомбаборон мекунанд.Дар ҷараёни ионпӯшкунии ионҳо на танҳо таҳшиншавӣ, балки пошидани ионҳои мусбат дар рӯи субстрат низ ба амал меояд, аз ин рӯ, филми тунукро танҳо вақте ба вуҷуд овардан мумкин аст, ки таъсири таҳшинкунӣ аз таъсири пошидан зиёдтар бошад.
Раванди пӯшонидани ион, ки дар он субстрат ҳамеша бо ионҳои энергияи баланд бомбаборон карда мешавад, хеле тоза аст ва дар муқоиса бо пошидани пошидан ва бухоршавӣ як қатор афзалиятҳо дорад.
(1) Адгезияи қавӣ, қабати пӯшиш ба осонӣ пӯхта намешавад.
(a) Дар раванди пӯшонидани ионҳо, миқдори зиёди зарраҳои энергияи баланд, ки дар натиҷаи разряди дурахшон тавлид мешаванд, барои ба вуҷуд овардани таъсири пошидани катодӣ дар сатҳи субстрат, пошидан ва тоза кардани газ ва нафти дар сатҳи об адсорбшуда истифода мешаванд. субстрат барои тоза кардани сатҳи субстрат то ба итмом расидани тамоми раванди пӯшиш.
(б) Дар марҳилаи аввали пӯшиш, пошидан ва таҳшиншавӣ якҷоя вуҷуд доранд, ки метавонанд як қабати гузариши ҷузъҳоро дар интерфейси пойгоҳи плёнка ё омехтаи маводи плёнка ва маводи асосиро ташкил кунанд, ки "қабати псевдодиффузия" номида мешавад. ки метавонад самаранокии пайвастшавии филмро беҳтар кунад.
(2) Хусусиятҳои хуби гирдоварӣ.Яке аз сабабҳо дар он аст, ки атомҳои маводи рӯйпӯш дар зери фишори баланд ионизатсия мешаванд ва дар ҷараёни расидан ба субстрат якчанд маротиба бо молекулаҳои газ бархӯрдаанд, то ионҳои маводи рӯйпӯш дар атрофи субстрат пароканда шаванд.Илова бар ин, атомҳои маводи рӯйпӯш дар зери таъсири майдони барқ дар рӯи замин ҷойгир карда мешаванд, аз ин рӯ тамоми субстрат бо плёнкаи тунук ҷойгир карда мешавад, аммо қабати бухоршавӣ ба ин таъсир расонида наметавонад.
(3) Сифати баланди пӯшиш аз пошидани конденсатҳо вобаста аст, ки дар натиҷаи бомбгузории доимии филми гузошташуда бо ионҳои мусбат ба амал меояд, ки зичии қабати пӯшишро беҳтар мекунад.
(4) Интихоби васеи маводҳои пӯшиш ва субстратҳо метавонанд ба маводи металлӣ ё ғайриметаллӣ пӯшонида шаванд.
(5) Дар муқоиса бо таҳшиншавии буғи кимиёвӣ (CVD), он дорои ҳарорати пасттари субстрат, маъмулан аз 500 ° C аст, аммо қувваи часпиданаш бо филмҳои таҳшиншавии буғи химиявӣ комилан муқоисашаванда аст.
(6) Суръати баланди таҳшинкунӣ, ташаккули филми зуд ва метавонад ғафсии филмҳоро аз даҳҳо нанометр то микрон пӯшонад.
Камбудихои пушидани ионхо аз инхо иборатанд: гафсии плёнкаро аник назорат кардан мумкин нест;консентратсияи камбудиҳо баланд аст, вақте ки пӯшиши хуб лозим аст;ва газҳо ҳангоми пӯшиш ба сатҳ ворид мешаванд, ки хосиятҳои рӯизаминиро тағир медиҳанд.Дар баъзе мавридхо пуфакхо ва ядрохо (камтар аз 1 нм) низ ба вучуд меоянд.
Дар мавриди суръати таҳшиншавӣ, пӯшиши ионро бо усули бухоршавӣ муқоиса кардан мумкин аст.Дар мавриди сифати плёнка, филмҳое, ки бо пӯшиши ионӣ истеҳсол мешаванд, нисбат ба филмҳое, ки тавассути пошидан тайёр карда шудаанд, наздик ё беҳтаранд.
Вақти фиристодан: Ноябр-08-2022