หลังจากการค้นพบโฟโตโวลตาอิกเอฟเฟ็กต์ในยุโรปในปี พ.ศ. 2406 สหรัฐอเมริกาได้สร้างเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดแรกที่มี (Se) ในปี พ.ศ. 2426 ในยุคแรก ๆ เซลล์แสงอาทิตย์ถูกใช้ในอวกาศ การทหาร และด้านอื่น ๆ เป็นหลักในช่วง 20 ปีที่ผ่านมา การลดลงอย่างรวดเร็วของต้นทุนเซลล์แสงอาทิตย์ได้ส่งเสริมการประยุกต์ใช้เซลล์แสงอาทิตย์อย่างแพร่หลายทั่วโลกณ สิ้นปี 2562 กำลังการผลิตติดตั้งรวมของแผงเซลล์แสงอาทิตย์สูงถึง 616GW ทั่วโลก และคาดว่าจะถึง 50% ของการผลิตไฟฟ้าทั้งหมดของโลกภายในปี 2593 เนื่องจากการดูดกลืนแสงของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์เซลล์แสงอาทิตย์ส่วนใหญ่เกิดขึ้นในช่วงความหนาของ ไม่กี่ไมครอนถึงหลายร้อยไมครอน และอิทธิพลของพื้นผิวของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ต่อประสิทธิภาพของแบตเตอรี่เป็นสิ่งสำคัญมาก เทคโนโลยีฟิล์มบางแบบสุญญากาศถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์
เซลล์แสงอาทิตย์ที่ใช้ในอุตสาหกรรมส่วนใหญ่แบ่งออกเป็นสองประเภท: ประเภทหนึ่งคือเซลล์แสงอาทิตย์แบบผลึกซิลิคอน และอีกประเภทหนึ่งคือเซลล์แสงอาทิตย์แบบฟิล์มบางเทคโนโลยีเซลล์ผลึกซิลิคอนล่าสุด ได้แก่ เทคโนโลยี passivation emitter และ backside cell (PERC) เทคโนโลยี heterojunction cell (HJT) เทคโนโลยี passivation emitter back surface full diffusion (PERT) และเทคโนโลยีเซลล์สัมผัสเจาะออกไซด์ (Topcn)หน้าที่ของฟิล์มบางในเซลล์ซิลิคอนที่เป็นผลึกส่วนใหญ่ประกอบด้วยการเคลือบฟิล์ม การป้องกันแสงสะท้อน การเติม p/n และการนำไฟฟ้าเทคโนโลยีแบตเตอรี่แบบฟิล์มบางกระแสหลัก ได้แก่ แคดเมียมเทลลูไรด์ คอปเปอร์อินเดียม แกลเลียม เซเลไนด์ แคลไซต์ และเทคโนโลยีอื่นๆส่วนใหญ่จะใช้ฟิล์มเป็นชั้นดูดซับแสง ชั้นนำไฟฟ้า ฯลฯ เทคโนโลยีฟิล์มบางแบบสุญญากาศต่างๆ ถูกนำมาใช้ในการเตรียมฟิล์มบางในเซลล์แสงอาทิตย์
เจิ้นหัวสายการผลิตเคลือบเซลล์แสงอาทิตย์การแนะนำ:
คุณสมบัติของอุปกรณ์:
1. ใช้โครงสร้างแบบโมดูลาร์ซึ่งสามารถเพิ่มห้องตามความต้องการของงานและประสิทธิภาพซึ่งสะดวกและยืดหยุ่น
2. สามารถตรวจสอบกระบวนการผลิตได้อย่างเต็มที่และสามารถตรวจสอบพารามิเตอร์กระบวนการได้ซึ่งสะดวกในการติดตามการผลิต
4. ชั้นวางวัสดุสามารถส่งคืนได้โดยอัตโนมัติ และการใช้หุ่นยนต์สามารถเชื่อมต่อกระบวนการเดิมและกระบวนการหลัง ลดต้นทุนแรงงาน ระบบอัตโนมัติในระดับสูง ประสิทธิภาพสูง และประหยัดพลังงาน
เหมาะสำหรับ Ti, Cu, Al, Cr, Ni, Ag, Sn และโลหะธาตุอื่นๆ และมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์เซมิคอนดักเตอร์ เช่น พื้นผิวเซรามิก ตัวเก็บประจุเซรามิก ตัวยึดเซรามิก LED เป็นต้น
เวลาโพสต์: เม.ย.-07-2566