Вакуум магнитрон спуттеры реактив чүпләү өчен аеруча яраклы.Чынлыкта, бу процесс теләсә нинди оксид, карбид һәм нитрид материалларының нечкә пленкаларын урнаштыра ала.Моннан тыш, процесс шулай ук оптик конструкцияләр, төсле фильмнар, киемгә чыдам каплагычлар, нано-ламинатлар, суперлатица капламалары, изоляцион фильмнар һ.б.ны кертеп, күпкатлы кино структураларын урнаштыру өчен аеруча яраклы, 1970 елдан ук югары сыйфатлы оптик фильм. төрле оптик кино катлам материаллары өчен чүпләү мисаллары эшләнде.Бу материалларга үтә күренмәле үткәргеч материаллар, ярымүткәргечләр, полимерлар, оксидлар, карбидлар һәм нитридлар керә, ә фторидлар парга әйләнү кебек процессларда кулланыла.
Магнитрон чәчү процессының төп өстенлеге - бу материалларның катламнарын урнаштыру өчен, реактив яки реактив булмаган каплау процессларын куллану һәм катлам составын, кино калынлыгын, кино калынлыгы бердәмлеген һәм катламның механик үзлекләрен контрольдә тоту.Процесс түбәндәгечә характеристикаларга ия.
1 、 Зур чүплек дәрәҗәсе.Speedгары тизлекле магнитрон электродларын куллану аркасында, зур ион агымы алынырга мөмкин, бу каплау процессының чүпләнү тизлеген һәм бөтерелү тизлеген яхшырта.Башка бөтерелү каплау процесслары белән чагыштырганда, магнитрон чәчү югары сыйдырышлыкка һәм югары уңышка ия, һәм төрле сәнәгать производствосында киң кулланыла.
2 power powerгары эффективлык.Магнитронның таралу максаты, гадәттә, 200В-1000В диапазонында көчәнешне сайлый, гадәттә 600В, чөнки 600В көчәнеше көч эффективлыгының иң югары диапазонында.
3. Түбән энергия.Магнитронның көчәнеше түбән кулланыла, һәм магнит кыры катод янындагы плазманы чикли, бу югары энергия корылган кисәкчәләрнең субстратка керүен тыя.
4 、 Түбән субстрат температурасы.Анодны агызу вакытында барлыкка килгән электроннарны читкә юнәлтү өчен кулланырга мөмкин, субстрат ярдәмен тәмамларга кирәк түгел, бу субстратның электрон бомбардирасын эффектив киметә ала.Шулай итеп, субстрат температурасы түбән, бу югары температуралы каплауга бик чыдам булмаган кайбер пластик субстратлар өчен бик идеаль.
5, Магнитрон чәчкән максатчан өслек бертөрле түгел.Магнитронның максатчан өслеген тигезләү максатның тигез булмаган магнит кыры аркасында килеп чыга.Максатлы эфир ставкасының урнашуы зуррак, шуңа күрә максатчан эффектив куллану дәрәҗәсе түбән (куллану ставкасы 20-30%).Шуңа күрә, максатчан куллануны яхшырту өчен, магнит кырын бүлүне билгеле бер ысул белән үзгәртергә кирәк, яисә катодта хәрәкәт итүче магнитларны куллану максатчан куллануны яхшырта ала.
6 、 Композицион максат.Композицион максатлы каплау эретмәсе пленкасы ясый ала.Хәзерге вакытта композит магнитрон максатлы бөтерелү процессын куллану Ta-Ti эретмәсе, (Tb-Dy) -Fe һәм Gb-Co эретмәсе фильмында уңышлы капланган.Композицион максат структурасы дүрт төргә ия, алар түгәрәк белән капланган максат, квадрат белән капланган максат, кечкенә квадрат белән капланган максат һәм сектор белән капланган максат.Максатлы структураны сектор белән куллану яхшырак.
7. Кушымталарның киң ассортименты.Магнитрон чәчү процессы күп элементларны урнаштыра ала, гомуми элементлары: Ag, Au, C, Co, Cu, Fe, Ge, Mo, Nb, Ni, Os, Cr, Pd, Pt, Re, Rh, Si, Ta, Ti , Zr, SiO, AlO, GaAs, U, W, SnO һ.б.
Магнитрон чәчелүе - югары сыйфатлы фильмнар алу өчен иң киң кулланылган каплау процессларының берсе.Яңа катод белән, ул югары максатлы куллануга һәм югары чүпләү дәрәҗәсенә ия.Гуандун Чжэнхуа Технология вакуум магнетрон чәчү каплау процессы хәзер зур мәйданлы субстратлар каплауда киң кулланыла.Бу процесс бер катлы фильмны чүпләү өчен генә түгел, күп катлы кино каплау өчен дә кулланыла, өстәвенә, ул роликта кино, оптик фильм, ламинация һәм башка кино каплау өчен роллда кулланыла.
Пост вакыты: Ноябрь-07-2022