Плазма үзлекләре
Плазманы көчәйткән химик пар парламенты плазмасының табигате шунда ки, ул газ фазасында химик реакцияләрне активлаштыру өчен плазмадагы электроннарның кинетик энергиясенә таяна.Плазма ионнар, электроннар, нейтраль атомнар һәм молекулалар җыелмасы булганлыктан, ул макроскопик дәрәҗәдә электр нейтраль.Плазмада плазманың эчке энергиясендә күп күләмдә энергия саклана.Плазма башта кайнар плазмага һәм салкын плазмага бүленә.PECVD системасында ул салкын плазма, ул түбән басымлы газ чыгару белән барлыкка килә.Берничә йөз Падан түбән басым белән чыгарылган бу плазма тигез булмаган газ плазмасы.
Бу плазманың табигате түбәндәгечә:
(1) Электроннарның һәм ионнарның тәртипсез җылылык хәрәкәте аларның юнәлтелгән хәрәкәтеннән артып китә.
(2) Аның ионлаштыру процессы, нигездә, тиз электроннарның газ молекулалары белән бәрелешеннән килеп чыга.
(3) Электроннарның уртача җылылык хәрәкәте энергиясе молекулалар, атомнар, ионнар һәм ирекле радикаллар кебек авыр кисәкчәләргә караганда зуррак 1-2 зурлыктагы заказ.
(4) Электроннар һәм авыр кисәкчәләр бәрелешеннән соң энергия югалту электр кырыннан бәрелешләр арасында компенсацияләнергә мөмкин.
Түбән температуралы тигезсезлек плазмасын аз санлы параметрлар белән характерлау кыен, чөнки ул PECVD системасында түбән температуралы тигезсезлек плазмасы, монда электрон температурасы Te авыр кисәкчәләрнең Tj температурасы белән бертигез түгел.PECVD технологиясендә плазманың төп функциясе - химик актив ионнар һәм ирекле радикаллар җитештерү.Бу ионнар һәм ирекле радикаллар газ фазасында башка ионнар, атомнар һәм молекулалар белән реакция ясыйлар, яисә субстрат өслегендә такталарга зыян һәм химик реакцияләр китерәләр, һәм актив материал җитештерү электрон тыгызлык, реактив концентрация һәм уңыш коэффициенты.Башкача әйткәндә, актив материалның уңышы электр кырының көченә, газ басымына һәм бәрелеш вакытында кисәкчәләрнең уртача ирекле диапазонына бәйле.Плазмадагы реактив газ югары энергияле электроннарның бәрелеше аркасында аерылгач, химик реакциянең активлаштыру киртәсен җиңеп, реактив газ температурасы кимергә мөмкин.PECVD һәм гадәти CVD арасында төп аерма - химик реакциянең термодинамик принциплары төрле.Плазмадагы газ молекулаларының аерылуы сайлап алынмый, шуңа күрә PECVD урнаштырган кино катламы гадәти CVDдан бөтенләй аерылып тора.PECVD җитештергән фаза составы тигез булмаган уникаль булырга мөмкин, һәм аның формалашуы тигезлек кинетикасы белән чикләнми.Иң типик кино катламы - аморф халәте.
PECVD үзенчәлекләре
(1) Түбән температура.
2) Мембрананың / төп материалның сызыклы киңәю коэффициентының туры килмәве аркасында килеп чыккан эчке стрессны киметү.
(3) Чүпләү дәрәҗәсе чагыштырмача югары, аеруча түбән температурада, аморф һәм микрокристалл фильмнар алу өчен уңайлы.
PECVDның түбән температурасы процессы аркасында җылылык зарарлыгы кимергә мөмкин, кино катламы һәм субстрат материал арасында үзара диффузия һәм реакция кимергә мөмкин, һ.б. электрон компонентлар ясалганчы яисә ихтыяҗ аркасында капланырга мөмкин. эшкәртү өчен.Ультра-зур масштаблы интеграль схемалар (VLSI, ULSI) җитештерү өчен, PECVD технологиясе кремний нитрид пленкасын (SiN) формалаштыруда уңышлы кулланыла, Al электрод чыбыклары барлыкка килгәннән соң соңгы саклагыч фильм, шулай ук яссылык һәм кремний оксиды пленкасын формалаштыру.Нечкә пленка җайланмалары буларак, PECVD технологиясе шулай ук LCD дисплейлар өчен нечкә пленка транзисторлары (TFT) җитештерүдә уңышлы кулланылды, пыяла актив матрица ысулында субстрат итеп кулланылды.Зур масштаблы һәм югары интеграциягә интеграль схемалар үсеше һәм ярымүткәргеч җайланмаларның киң кулланылуы белән, PECVD түбән температурада һәм югары электрон энергия процессларында башкарылырга тиеш.Бу таләпне канәгатьләндерү өчен, түбән температурада югары яссылык фильмнарын синтезлый алырлык технологияләр эшләнергә тиеш.SiN һәм SiOx фильмнары ECR плазмасы һәм гелик плазмалы яңа плазмалы химик пар парламенты (PCVD) технологиясе ярдәмендә киң өйрәнелде, һәм эре масштаблы интеграль схемалар өчен үзара изоляция фильмнарын куллануда практик дәрәҗәгә ирештеләр.
Пост вакыты: Ноябрь-08-2022