Як ми всі знаємо, визначення напівпровідника полягає в тому, що він має провідність між сухими провідниками та ізоляторами, питомий опір між металом та ізолятором, який зазвичай за кімнатної температури знаходиться в діапазоні 1 мОм-см ~ 1 ГОм-см. В останні роки, вакуумного напівпровідникового покриття у великих напівпровідникових компаніях, зрозуміло, що його статус стає все більш високим, особливо в деяких широкомасштабних методах розробки технології розробки схем інтегрованої системи для пристроїв магнітоелектричного перетворення, світловипромінюючих пристроїв та інших дослідницьких робіт.Важливу роль відіграє вакуумне напівпровідникове покриття.
Напівпровідники характеризуються власними характеристиками, температурою та концентрацією домішок.Матеріали вакуумного напівпровідникового покриття відрізняються один від одного в основному складовими сполуками.Приблизно всі вони засновані на борі, вуглеці, кремнії, германію, миш’яку, сурмі, телурі, йоді тощо, а деякі порівняно небагато GaP, GaAs, lnSb тощо. Існують також деякі оксидні напівпровідники, такі як FeO, Fe₂O₃, MnO, Cr₂O₃, Cu₂O тощо.
Вакуумне випаровування, напилення покриття, іонне покриття та інше обладнання може зробити вакуумне напівпровідникове покриття.Це обладнання для нанесення покриттів різне за своїм принципом роботи, але всі вони створюють матеріал покриття напівпровідникового матеріалу, який наноситься на підкладку, і в якості матеріалу підкладки немає вимоги, може він бути напівпровідником чи ні.Крім того, покриття з різними електричними та оптичними властивостями можуть бути отримані як дифузією домішок, так і іонною імплантацією на поверхні напівпровідникової підкладки в ряді.Отриманий тонкий шар також можна обробити як напівпровідникове покриття взагалі.
Вакуумне напівпровідникове покриття є невід’ємною частиною електроніки, як для активних, так і для пасивних пристроїв.Завдяки безперервному розвитку технології вакуумного напівпровідникового покриття став можливим точний контроль продуктивності плівки.
В останні роки аморфне та полікристалічне покриття досягли швидкого прогресу у виробництві фотопровідних пристроїв, покритих польових трубок та високоефективних сонячних елементів.Крім того, завдяки розробці вакуумного напівпровідникового покриття та тонкої плівки сенсорів, що також значно зменшує складність вибору матеріалу та поступово спрощує процес виробництва.Обладнання для вакуумного напівпровідникового покриття стало необхідним для напівпровідникових застосувань.Обладнання широко використовується для напівпровідникового покриття камерних пристроїв, сонячних елементів, транзисторів з покриттям, польової емісії, катодного світла, електронної емісії, тонкоплівкових чутливих елементів тощо.
Лінія магнетронного напилення розроблена з повністю автоматичною системою керування, зручним та інтуїтивно зрозумілим сенсорним екраном інтерфейсу «людина-машина».Лінія розроблена з повним функціональним меню для досягнення повного моніторингу робочого стану компонентів усієї виробничої лінії, налаштування параметрів процесу, захисту роботи та функцій сигналізації.Вся електрична система управління є безпечною, надійною та стабільною.Оснащений верхньою та нижньою двосторонньою мішенню для магнетронного розпилення або системою одностороннього покриття.
Обладнання в основному застосовується до керамічних плат, високовольтних конденсаторів мікросхем та інших покриттів підкладки, основними областями застосування є електронні плати.
Час публікації: 07 листопада 2022 р