1. Termal CVD texnologiyasi
Qattiq qoplamalar asosan metall keramik qoplamalar (TiN va boshqalar) bo'lib, ular qoplamadagi metallning reaktsiyasi va reaktiv gazlashtirish natijasida hosil bo'ladi.Dastlab, termal CVD texnologiyasi 1000 ℃ yuqori haroratda issiqlik energiyasi bilan kombinatsiyalangan reaktsiyaning faollashuv energiyasini ta'minlash uchun ishlatilgan.Bu harorat faqat sementlangan karbid asboblarga TiN va boshqa qattiq qoplamalarni yotqizish uchun javob beradi.Hozirgacha TiN-Al20 kompozit qoplamalarini tsementlangan karbid asboblar boshlariga yotqizish hali ham muhim texnologiyadir.
2. Bo'shliq katodli ion qoplamasi va issiq simli yoyli ion qoplamasi
1980-yillarda qoplamali kesish asboblarini joylashtirish uchun ichi bo'sh katod ion qoplamasi va issiq simli yoy ion qoplamasi ishlatilgan.Ushbu ikkala ion qoplama texnologiyasi ham 20% ~ 40% gacha bo'lgan metallni ionlash darajasiga ega bo'lgan yoyli ion qoplama texnologiyasidir.
3. Katod yoyi ion qoplamasi
Katodik yoyli ion qoplamasining paydo bo'lishi qattiq qoplamalarni qoliplarga yotqizish texnologiyasini ishlab chiqishga olib keldi.Katodik yoy ioni qoplamasining ionlanish darajasi 60% ~ 90% ni tashkil qiladi, bu ko'p miqdordagi metall ionlari va reaksiya gaz ionlarining ishlov beriladigan qismning yuzasiga etib borishi va hali ham yuqori faollikni saqlab turishiga imkon beradi, natijada reaktsiya cho'kishi va qattiq qoplamalar shakllanishiga olib keladi. TiN.Hozirgi vaqtda katodik ark ionli qoplama texnologiyasi asosan qoliplarga qattiq qoplamalarni joylashtirish uchun ishlatiladi.
Katod boshq manbai qattiq erigan suv havzasi bo'lmagan qattiq bug'lanish manbai bo'lib, yoy manbai pozitsiyasi o'zboshimchalik bilan joylashtirilishi mumkin, qoplama xonasining bo'sh joydan foydalanish tezligini yaxshilaydi va o'choqni yuklash hajmini oshiradi.Katod yoy manbalarining shakllariga kichik dumaloq katod yoy manbalari, ustunli yoy manbalari va to'rtburchaklar tekis katta yoy manbalari kiradi.Ko'p qatlamli plyonkalar va nano-ko'p qatlamli plyonkalarni yotqizish uchun kichik boshq manbalari, ustunli boshq manbalari va katta yoy manbalarining turli komponentlari alohida joylashtirilishi mumkin.Shu bilan birga, katodik yoy ion qoplamasining yuqori metall ionlash tezligi tufayli metall ionlari ko'proq reaksiya gazlarini o'zlashtirishi mumkin, bu esa keng jarayon diapazoni va mukammal qattiq qoplamalarni olish uchun oddiy operatsiyaga olib keladi.Shu bilan birga, katodik yoy ion qoplamasi bilan olingan qoplama qatlamining mikro tuzilishida qo'pol tomchilar mavjud.So'nggi yillarda kino qatlamining strukturasini yaxshilash uchun ko'plab yangi texnologiyalar paydo bo'ldi, bu esa arc ion qoplama plyonkasi sifatini oshirdi.
——Ushbu maqola Guangdong Zhenhua Technology tomonidan chop etilgan, aoptik qoplama mashinalari ishlab chiqaruvchisi.
Xabar vaqti: 28-aprel, 2023-yil