Cácsơn chân khôngquy trình máy được chia thành: lớp phủ bay hơi chân không, lớp phủ phún xạ chân không và lớp phủ ion chân không.
1、Lớp phủ bay hơi chân không
Trong điều kiện chân không, làm cho vật liệu bay hơi, chẳng hạn như kim loại, hợp kim kim loại, v.v. sau đó lắng đọng chúng trên bề mặt đế, phương pháp phủ bay hơi thường sử dụng gia nhiệt điện trở, sau đó bắn tia điện tử vào vật liệu phủ, làm cho chúng bay hơi thành pha khí, sau đó lắng đọng trên bề mặt chất nền, trong lịch sử, lắng đọng hơi chân không là công nghệ sớm hơn được sử dụng trong phương pháp PVD.
2、lớp phủ phún xạ
Khí được phóng điện phát sáng trong điều kiện chân không chứa đầy (Ar) Tại thời điểm này, ion nguyên tử argon (Ar) thành ion nitơ (Ar), Các ion được gia tốc bởi lực điện trường，và bắn phá mục tiêu cực âm mà được làm bằng vật liệu phủ, mục tiêu sẽ được phún xạ ra ngoài và lắng đọng trên bề mặt đế Các ion sự cố trong lớp phủ phún xạ, thường thu được bằng cách phóng điện phát sáng, nằm trong khoảng từ 10-2pa đến 10Pa，Vì vậy, các hạt phún xạ rất dễ va chạm với các phân tử khí trong buồng chân không khi bay về phía bề mặt, làm cho hướng chuyển động ngẫu nhiên và màng lắng đọng dễ đồng nhất.
3、Lớp phủ ion
Trong điều kiện chân không, Trong điều kiện chân không, Sử dụng một kỹ thuật ion hóa plasma nhất định để ion hóa một phần các nguyên tử vật liệu phủ thành ion. Đồng thời, nhiều nguyên tử trung hòa năng lượng cao được tạo ra ， phân cực âm trên đế. Theo cách này, các ion được lắng đọng trên bề mặt đế dưới một độ lệch âm sâu để tạo thành một màng mỏng.
Thời gian đăng: 23-03-2023