Nói chung, các phản ứng CVD dựa vào nhiệt độ cao, do đó được gọi là lắng đọng hơi hóa học kích thích nhiệt (TCVD).Nó thường sử dụng tiền chất vô cơ và được thực hiện trong các lò phản ứng tường nóng và tường lạnh.Các phương pháp gia nhiệt của nó bao gồm gia nhiệt bằng tần số vô tuyến (RF), gia nhiệt bằng bức xạ hồng ngoại, gia nhiệt bằng điện trở, v.v.
Tường nóng lắng đọng hơi hóa chất
Trên thực tế, lò phản ứng lắng đọng hơi hóa học tường nóng là một lò điều nhiệt, thường được làm nóng bằng các phần tử điện trở, để sản xuất không liên tục.Bản vẽ của một cơ sở sản xuất lắng đọng hơi hóa chất tường nóng cho lớp phủ công cụ chip được thể hiện như sau.Sự lắng đọng hơi hóa học trên tường nóng này có thể phủ TiN, TiC, TiCN và các màng mỏng khác.Lò phản ứng có thể được thiết kế đủ lớn để chứa một số lượng lớn các thành phần và các điều kiện có thể được kiểm soát rất chính xác để lắng đọng.Ảnh 1 cho thấy một thiết bị lớp epiticular để pha tạp silicon trong sản xuất thiết bị bán dẫn.Chất nền trong lò được đặt theo hướng thẳng đứng để giảm ô nhiễm bề mặt lắng đọng bởi các hạt và tăng đáng kể tải sản xuất.Lò phản ứng tường nóng để sản xuất chất bán dẫn thường được vận hành ở áp suất thấp.
Thời gian đăng: Nov-08-2022